三星擬投資7.8億美元升級(jí)內(nèi)存生產(chǎn)線

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，全球最大的內(nèi)存芯片制造商韓國(guó)三星電子周一表示，將斥資7485億韓元(合7.8億美元)，升級(jí)其內(nèi)存芯片生產(chǎn)線，并提高產(chǎn)能。三星在提交給韓國(guó)證券交易委員會(huì)的文件中說，此次投資將在年內(nèi)進(jìn)行，以滿足日益

IBM和TDK聯(lián)手研發(fā)磁阻內(nèi)存 系統(tǒng)啟動(dòng)只需數(shù)秒

三星擬投資7.8億美元升級(jí)內(nèi)存生產(chǎn)線

相變內(nèi)存成為研發(fā)熱點(diǎn) 趕超F(xiàn)eRAM與MRAM

相變內(nèi)存(PhaseChangeMemory，PCM)是近年來內(nèi)存業(yè)界熱門研發(fā)主題之一，針對(duì)此一新式內(nèi)存技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)與廠商專利現(xiàn)況，工研院IEK-ITIS計(jì)劃發(fā)表最新研究報(bào)告指出，臺(tái)灣地區(qū)已有不少?gòu)S商投入該技術(shù)的研發(fā)，相較于FeRAM與

相變內(nèi)存成為研發(fā)熱點(diǎn) 趕超F(xiàn)eRAM與MRAM

三星調(diào)高閃存價(jià)格 帶動(dòng)內(nèi)存價(jià)格上升

全球擴(kuò)建12寸晶圓廠 至2008年底產(chǎn)能提升1倍

奇夢(mèng)達(dá)將在中國(guó)蘇州設(shè)立內(nèi)存研發(fā)中心

奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)宣布將在中國(guó)蘇州設(shè)立一座專門開發(fā)記憶體產(chǎn)品的研發(fā)中心。這家新的研發(fā)中心將幫助奇夢(mèng)達(dá)實(shí)現(xiàn)擴(kuò)大和多樣化產(chǎn)品組合的目標(biāo)。新研發(fā)中心位于奇夢(mèng)達(dá)設(shè)在蘇州工業(yè)園區(qū)(SuzhouIndustrialPark，SIP)負(fù)責(zé)組裝

奇夢(mèng)達(dá)在中國(guó)蘇州設(shè)立新存儲(chǔ)產(chǎn)品研發(fā)中心

奇夢(mèng)達(dá)公司（Qimonda）今日宣布，該公司計(jì)劃在中國(guó)蘇州設(shè)立一家新的專門開發(fā)存儲(chǔ)產(chǎn)品的研發(fā)中心。這家新的研發(fā)中心將幫助奇夢(mèng)達(dá)實(shí)現(xiàn)擴(kuò)大和多樣化產(chǎn)品組合的目標(biāo)。新研發(fā)中心位于奇夢(mèng)達(dá)設(shè)在蘇州工業(yè)園區(qū)負(fù)責(zé)組裝和測(cè)試

奇夢(mèng)達(dá)宣布2千萬美元建蘇州研發(fā)中心

NAND閃存芯片吃緊 加劇行業(yè)整合態(tài)勢(shì)

隨著NAND閃存芯片需求的增加，內(nèi)存廠商已越來越難得到充足的NAND閃存芯片供應(yīng)，NAND閃存芯片吃緊加劇了內(nèi)存產(chǎn)業(yè)整合，業(yè)內(nèi)人士稱現(xiàn)在已有許多小規(guī)模的內(nèi)存廠商從市場(chǎng)中退出。 今年前一段時(shí)間NAND閃存芯片價(jià)

中芯國(guó)際切入NAND閃存市場(chǎng)

在iPhone的帶動(dòng)下，NAND閃存市場(chǎng)近期一片大好，國(guó)內(nèi)的晶元代工大廠中芯國(guó)際也抵制不住NAND閃存市場(chǎng)的誘惑，在近期宣布，下半年將開始量產(chǎn)2Gb NAND閃存顆粒并已經(jīng)投入8GbNAND閃存顆粒的研發(fā)，預(yù)計(jì)明年將成為全球重要的

投資5000萬美元的聯(lián)志電子封裝項(xiàng)目落戶南昌

據(jù)商務(wù)部投資指南消息，由香港聯(lián)志公司投資5000萬美元在南昌高新區(qū)建設(shè)的聯(lián)志（南昌）電子有限公司生產(chǎn)基地日前正式開工。據(jù)悉，聯(lián)志電子具有臺(tái)灣聯(lián)華電子的背景。該基地主要封裝70納米內(nèi)存。今年年底建成投產(chǎn)后