
日韓突發(fā)貿(mào)易戰(zhàn),引得存儲器價格狂漲,普通消費者叫苦不迭。這背后,究竟隱藏著怎樣的陰謀陽謀?潮流向左,DIY 向右。在這個電子產(chǎn)品日新月異的時代,總有些極客玩家喜歡特立獨行,自己擺弄些 DIY 產(chǎn)品。DIY 全稱 Do it Yourself ,中文翻譯過來即是“自己動手做”。一般而言,DIY 黨樂于發(fā)揮自己的聰明才智,發(fā)動主觀能動性改造、組裝機械和電子產(chǎn)品。在 PC 市場上,DIY 一定程度上代表了攢機。
海盜船今日推出全新Vengeance LPX系列內(nèi)存,單條容量高達32GB,提供多種頻率、延遲、套裝可選。 Vengeance LPX是海盜船的頂級內(nèi)存序列,品質(zhì)一如既往,擁有精心挑選的顆粒、高品質(zhì)的
在這篇文章中,小編將為大家介紹一款大家可能經(jīng)常忽略的電腦硬件之一:內(nèi)存影馳HOF OC Lab Master DDR4 4000,那么它的具體情況和配置如何呢?看完全文你就知道了。
最擔(dān)心的事情還是來了,自從前幾天內(nèi)存現(xiàn)貨價格首次出現(xiàn)10個月來的漲價之后,這幾天現(xiàn)貨價格連續(xù)上漲了。盡管半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)上周才給內(nèi)存漲價潑了一盆冷水,指出價格跌幅從之前的10
說到存儲芯片,目前主要是指DRAM內(nèi)存、NAND閃存及少部分NOR閃存,內(nèi)存速度極快但成本貴,而且斷電不能保存數(shù)據(jù),NAND、NOR閃存可以保存數(shù)據(jù),成本也廉價,不過性能、延遲是沒法跟內(nèi)存相比的。 在
由于日本本月初開始管制對韓國出口的氟聚酰亞胺、光刻膠及氟化氫三種材料,連跌了3個季度的內(nèi)存價格走勢開始撲朔迷離,因為這三種材料中有兩種都會影響到半導(dǎo)體芯片生產(chǎn),韓國三星、SK海力士等公司都要依賴日本供應(yīng)。
近日,魯大師公布了2019年上半年的PC硬件排行榜,這里來看看硬盤、內(nèi)存的情況。硬盤方面的統(tǒng)計有些特殊,除了樣本數(shù)量不低于1000,魯大師還將同樣型號、不同容量的產(chǎn)品歸在一起,只顯示速度最快的版本。最
上周,日本突然宣布對韓國進行出口制裁,涉及包括光刻膠、氟化氫在內(nèi)的半導(dǎo)體芯片、OLED面板重要原料。 沒想到,在上峰斡旋尋求解決的時候,韓國的零售商們先不淡定了,就這幾天時間,三星的DDR4 PC4-
2016年Q2季度開始,全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)開始了大漲價的牛市周期,當(dāng)時8GB單條199元的史低價格很快成為歷史,2017年底的時候內(nèi)存價格達到了巔峰,8GB單條一度逼近1000元大關(guān),下游市場苦不堪言,三星
最近因為華為被制裁、東芝工廠停電以及日本制裁韓國,導(dǎo)致存儲芯片市場蠢蠢欲動,其中閃存及SSD硬盤廠商已經(jīng)有開始大膽調(diào)價的了,內(nèi)存廠商這邊也指望著年底價格反彈。不過從今年的趨勢來看,內(nèi)存價格觸底反彈并不
所謂動態(tài)內(nèi)存分配(Dynamic Memory Allocation)就是指在程序執(zhí)行的過程中動態(tài)地分配或者回收存儲空間的分配內(nèi)存的方法。動態(tài)內(nèi)存分配不像數(shù)組等靜態(tài)內(nèi)存分配方法那樣需要預(yù)先分配存儲空間,而是由系統(tǒng)根據(jù)程序的需要即時分配,且分配的大小就是程序要求的大小。
看好IoT以及5G世代的大容量需求,宜鼎率先推出32GB工業(yè)級系列內(nèi)存 隨著AI以及5G的快速發(fā)展,聯(lián)網(wǎng)設(shè)備對于邊緣運算的高速與高容量需求已經(jīng)浮現(xiàn)。宜鼎國際推出全新的32G系列內(nèi)存,為未來AIoT架構(gòu)提早布局,率先提供支
6月30日消息 在本周早些時候與投資者和金融分析師召開的收益電話會議上,美光對其長期未來及對其產(chǎn)品的強勁需求表示了信心,該公司還概述了擴大產(chǎn)能的計劃,并迅速轉(zhuǎn)向更先進的工藝技術(shù)。美光表示,“我們相信,
隨著物聯(lián)網(wǎng)時代的到來,海量的數(shù)據(jù)蜂擁而至。特別是各種應(yīng)用終端和邊緣側(cè)需要處理的數(shù)據(jù)越來越多,而且對處理器的穩(wěn)定性,以及功耗提出了越來越高的要求,這樣,傳統(tǒng)的計算體系和架構(gòu)的短板就顯得愈加突出,未來,具有更高效率和更低功耗的計算系統(tǒng)一定會大行其道。
6月30日晚間,紫光集團發(fā)布公告稱,決定組建紫光集團DRAM事業(yè)群,全力加速發(fā)展國產(chǎn)內(nèi)存。根據(jù)通知,紫光集團委任刁石京為紫光集團DRAM事業(yè)群董事長,委任高啟全為紫光集團DRAM事業(yè)群CEO。對于紫光
作為內(nèi)存行業(yè)的老大,三星正在遭受著雙重打擊。日本政府已經(jīng)從本月開始對韓國實行限購,聚酰亞胺(Fluorine Polyimide)、半導(dǎo)體制造中的核心材料光刻膠和高純度氟化氫(Eatching Gas
據(jù)悉,日本本月初開始管制對韓國出口的氟聚酰亞胺、光刻膠及氟化氫三種材料,連跌了3個季度的內(nèi)存價格走勢開始撲朔迷離,因為這三種材料中有兩種都會影響到半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn),韓國三星、SK海力士等公司都要依賴日本供應(yīng)。在這樣的情況下,如何確保公司的內(nèi)存、閃存芯片生產(chǎn)已經(jīng)成為三星的頭等大事。
業(yè)界普遍認(rèn)為未來從數(shù)據(jù)中將能挖掘出最大的價值,但要挖掘數(shù)據(jù)的價值除了需要很強的計算能力之外,數(shù)據(jù)的存儲也非常關(guān)鍵。目前,新型存儲器也是領(lǐng)先的企業(yè)非常關(guān)注的一個方向,蘭開斯特大學(xué)(Lancaster U
在2017年Zen架構(gòu)處理器問世之前,AMD的產(chǎn)品路線圖也經(jīng)歷過很多折騰,延期也是常態(tài),不過從銳龍Ryzen、EPYC霄龍上市開始,現(xiàn)在的Zen架構(gòu)產(chǎn)品線路線圖穩(wěn)定多了,今年7nm Zen 2架構(gòu)的銳
專注于MRAM(磁阻內(nèi)存)研究的Everspin最近宣布,繼去年底首次提供預(yù)產(chǎn)樣品之后,現(xiàn)在已經(jīng)開始試產(chǎn)第二代STT-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存)。MRAM是一種非易失性存儲,其前景被廣泛看好,In