內(nèi)存
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博通發(fā)布10萬兆“網(wǎng)卡” ，支持雙通道DDR4-2400 ECC內(nèi)存
博通今天發(fā)布的這個Stingra PS1100R網(wǎng)卡可以歸類于家里有礦系列了，因為這是一個100Gbe的10萬兆網(wǎng)絡適配器，核心的BCM58804H處理器集成了4個Cortex-A72核心，支持雙通道DDR4-2400 ECC內(nèi)存。
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第二季DRAM供給吃緊，報價上揚，營收再創(chuàng)新高
2018年第二季由于供給吃緊情況延續(xù)，帶動整體DRAM報價走揚，DRAM總營收較上季成長11.3%，再創(chuàng)新高。除了繪圖用內(nèi)存(graphic DRAM)仍受惠于虛擬挖礦(cryptocurrency)需求的增溫，帶動價格有15%顯著上漲外，其余各應用別的內(nèi)存季漲幅約在3%左右。
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2018年DRAM芯片產(chǎn)值將突破1000億美元！三星成最大贏家
內(nèi)存芯片產(chǎn)值高，受益最高的就是韓國企業(yè)了，尤其是三星電子，三星在DRAM內(nèi)存占據(jù)全球市場份額的45%，NAND閃存占37%。
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內(nèi)存芯片產(chǎn)值將破千億美元,韓國獨占四分之三
這兩年DRAM內(nèi)存、NAND閃存行業(yè)的瘋狂激蕩大家都看在眼里。內(nèi)存尤其夸張，價格持續(xù)飆升。閃存方面倒是基本穩(wěn)定了，但市場需求持續(xù)異常旺盛。兩大行業(yè)空前火熱，從業(yè)者自然也是賺得盆滿缽滿。根據(jù)市調(diào)機構(gòu)IC Insight的
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內(nèi)存是塊肥田！2018年全球DRAM銷售額有望突破1000億美元大關
報告稱，今年全球半導體銷售總額將達4280億美元，其中DRAM所占比重將達24%，若加上NAND閃存的市場份額，兩大存儲器在半導體市場上占比將高達38%。
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國之驕傲！清華紫光自主研發(fā)的內(nèi)存芯片，將在美國硅谷首次公開
韓媒稱，中國半導體企業(yè)清華紫光推出自主研發(fā)的內(nèi)存芯片，將在美國硅谷首次公開。中美貿(mào)易戰(zhàn)之下，中國半導體企業(yè)宣布進軍市場。
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STM32使用DMA從串口讀數(shù)據(jù)到內(nèi)存
使用DMA從串口讀數(shù)據(jù)到內(nèi)存和從內(nèi)存搬數(shù)據(jù)到串口一樣，只是要注意所使用的DMA通道不一樣。當配置好后，如果串口上有數(shù)據(jù)傳輸，DMA就自動把數(shù)據(jù)搬到內(nèi)存中。當工作在正常模式，DMA搬運了設定長度的數(shù)據(jù)后，會產(chǎn)生中斷
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NAND閃存價格還要連跌10%！大容量SSD將加速普及！
3D NAND閃存產(chǎn)能持續(xù)增加，預計Q3、Q4兩個季度中NAND價格都會下跌10%，不用過這也加速了大容量SSD硬盤的普及，未來2-3內(nèi)512GB將成為主流之選。
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SK Hynix斥資15萬億韓元建設DRAM工廠
SK Hynix日前宣布了新的投資計劃，將斥資15萬億韓元，約合134億美元或者916億人民幣在韓國總部京畿道利川市3.5萬平方米的場地上建設新的工廠，編號M16。
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存儲企業(yè)是贏家！西數(shù)Q4財季凈利大漲170%
由于西數(shù)已經(jīng)收購了Sandisk閃迪公司，所以他們的業(yè)務中不再以HDD硬盤為絕對主力，Q4季度中營收51.17億美元，相比去年同期的548.4億美元增長5.7%。運營利潤8.43億美元，凈利潤7.56億美元，而去年同期運營利潤、凈利潤分別是6.52億美元、2.8億美元，分別上漲了29%、170%。
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國產(chǎn)要自強！紫光預計年底可DDR4內(nèi)存顆粒推向市場
近年來，我國對集成電路、存儲等半導體領域投資加大，成效也漸漸凸顯出來，紫光在存儲領域的發(fā)展也非常迅速，預計今年年底可以將DDR4內(nèi)存顆粒推向市場，再過些時日，我國或擺脫對國外存儲產(chǎn)品的嚴重依賴。
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三星第二代10nm工藝LPDDR4X內(nèi)存量產(chǎn) 性能不變更省電
內(nèi)存漲價給三星帶來了利潤的飆升，也促使三星加快內(nèi)存產(chǎn)品的推出和量產(chǎn)?，F(xiàn)在智能手機都免不了日日充這一尷尬局面，所以手機產(chǎn)品對功耗的要求也是越來越高，三星第二代10nm級別工藝的LPDDR4X內(nèi)存已經(jīng)量產(chǎn)，在性能方面和第一代相當，但功耗大降10%，整體封裝厚度減少20%，非常貼合現(xiàn)在智能手機的發(fā)展趨勢。
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STM32的內(nèi)存地址映射與IAP下載
stm32的flash地址起始于0x08000000，結(jié)束地址是0x080000000加上芯片實際的flash大小，不同的芯片flash大小不同。RAM起始地址上0x200000000，結(jié)束地址是0x20000000加上芯片的RAM大小。STM32將外設等都映射為地址的形式
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明年內(nèi)存鐵定要降價!中國三大存儲公司將量產(chǎn)內(nèi)存、閃存
對于關注國產(chǎn)內(nèi)存、閃存的用戶來說，從明年開始將會有實質(zhì)性的成果，因為長江存儲、晉華集成電路以及合肥Innotro存儲都將量產(chǎn)。據(jù)臺灣電子時報報道稱，2019年，中國大陸地區(qū)將有三家存儲芯片廠竣工并投入量產(chǎn)。目前，
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大動作來襲！韓國加大對內(nèi)存芯片研發(fā)支持 應對中國競爭對手
韓國貿(mào)易、工業(yè)和能源部長白云揆(Paik Un-gyu)日前表示，韓國政府將加大對大型研發(fā)項目的支持，以開發(fā)尖端內(nèi)存芯片，應對中國競爭對手的崛起。
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2018年全球半導體產(chǎn)值將首次突破5000億美元！閃存、內(nèi)存漲價居首功
2018年全球電子系統(tǒng)產(chǎn)值將達到1.62萬億美元，其中半導體市場產(chǎn)值將達到5091億美元，也是全球半導體產(chǎn)值首次突破5000億美元大關，同比增長14%，原因跟DRAM內(nèi)存、NAND閃存均價大幅增長有關。
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兩條4GB內(nèi)存應如何升級？直接加根8GB可行嗎？
只加一條8GB，這樣既可以擁有16GB的內(nèi)存容量又可以保留升級潛力，而且這也是最省錢的方法，只是插三條內(nèi)存不知道會不會有什么負面影響。
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10nm工藝、速率高達6400Mb/s！三星首發(fā)8Gb LPDDR5 DRAM
最新消息，三星電子宣布 成功開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款LPDDR5-6400內(nèi)存芯片，采用10nm工藝。
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AMR中宏的使用與結(jié)構(gòu)化內(nèi)存表的建立
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三星把利潤放在第一位！為防止內(nèi)存降價抑制產(chǎn)能
去年，三星業(yè)績瘋漲，離不開內(nèi)存價格的瘋漲。在嘗到了高額利潤的甜頭之后，以利潤為重的三星當然想維持這一局面，為防止內(nèi)存降價，三星就故意抑制產(chǎn)能。
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