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英飛凌碳化硅功率半導(dǎo)體成功應(yīng)用于豐田“bZ4X”新車型
【2026年2月28日，德國慕尼黑和日本東京訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)近日宣布，全球最大汽車制造商豐田已在其新款車型bZ4X中采用了英飛凌的CoolSiC? MOSFET(碳化硅功率MOSFET)產(chǎn)品。這款碳化硅MOSFET集成在車載充電器(OBC)和DC/DC轉(zhuǎn)換器中，利用碳化硅材料低損耗、耐高溫、耐高壓的特性和優(yōu)勢，能夠有效延長電動(dòng)汽車的續(xù)航里程并縮短充電時(shí)間。
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英飛凌榮膺陽光電源2025年度“全球戰(zhàn)略伙伴”殊榮
【2026年2月12日, 中國上海訊】近日，在陽光電源2026全球合作伙伴大會上，全球功率系統(tǒng)半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技憑借卓越的技術(shù)創(chuàng)新能力、豐富的產(chǎn)品組合以及深度的產(chǎn)業(yè)協(xié)同榮膺陽光電源2025年度“全球戰(zhàn)略伙伴”殊榮。英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁Dr. Peter Wawer、英飛凌科技高級副總裁兼工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)首席營銷官Andreas Weisl、英飛凌科技執(zhí)行副總裁Dominik Bilo、英飛凌科技高級副總裁、工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)負(fù)責(zé)人于代輝出席了本次活動(dòng)。
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英飛凌發(fā)布《2026年GaN技術(shù)展望》：技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域氮化鎵高速增長
【2026年2月10日, 德國慕尼黑訊】氮化鎵(GaN)電源解決方案的普及正推動(dòng)功率電子行業(yè)迎來一場重大變革。全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)發(fā)布《2026年GaN技術(shù)展望》，深度解析GaN的技術(shù)現(xiàn)狀、應(yīng)用場景及未來前景，為行業(yè)提供重要參考。
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MOS管關(guān)斷緩慢致恒流區(qū)與夾斷區(qū)臨界點(diǎn)發(fā)熱嚴(yán)重的機(jī)理及解決對策
MOS管作為電壓控制型功率半導(dǎo)體器件，憑借高頻開關(guān)特性、低導(dǎo)通損耗等優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器等電力電子電路中，其工作穩(wěn)定性直接決定整個(gè)電子系統(tǒng)的可靠性與能效水平。在理想工況下，MOS管應(yīng)在導(dǎo)通與關(guān)斷狀態(tài)間瞬時(shí)切換，開關(guān)損耗可忽略不計(jì)，但實(shí)際工程應(yīng)用中，關(guān)斷緩慢導(dǎo)致器件長時(shí)間停留于恒流區(qū)與夾斷區(qū)臨界點(diǎn)的問題頻發(fā)，引發(fā)劇烈發(fā)熱，不僅降低電路效率，還會加速器件老化，甚至導(dǎo)致MOS管燒毀、系統(tǒng)癱瘓，成為電力電子設(shè)計(jì)中的核心痛點(diǎn)。本文結(jié)合MOS管工作特性，深入剖析該現(xiàn)象的內(nèi)在機(jī)理、影響因素，并提出針對性優(yōu)化方案，為工程設(shè)計(jì)提供參考。
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功率半導(dǎo)體和寬禁半導(dǎo)體有何不同？有哪些應(yīng)用領(lǐng)域
在這篇文章中，小編將對半導(dǎo)體的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對它的了解程度，和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。
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長距離出行需求下的功率器件革命
在全球新能源汽車產(chǎn)業(yè)向 “長續(xù)航、快充電、高效率” 轉(zhuǎn)型的浪潮中，功率半導(dǎo)體作為電能轉(zhuǎn)換的核心部件，直接決定車輛續(xù)航里程與能源利用效率。傳統(tǒng)硅基 IGBT 器件因?qū)〒p耗高、耐高溫性差等局限，已難以滿足超長距離電動(dòng)汽車(續(xù)航目標(biāo) 600km+)的技術(shù)需求。碳化硅(SiC)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，憑借其卓越的電學(xué)特性，成為破解長距離出行痛點(diǎn)的關(guān)鍵技術(shù)，其有效實(shí)施正在重塑電動(dòng)汽車功率系統(tǒng)的設(shè)計(jì)邏輯。
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SK keyfoundry加速碳化硅化合物功率半導(dǎo)體技術(shù)開發(fā)
-- 通過收購SK powertech掌握核心技術(shù)能力，目標(biāo)2025年底前提供工藝技術(shù) -- 韓國首爾2025年11月12日 /美通社/ -- 韓國8英寸純晶圓代工廠SK keyfoundry宣布，正加速開發(fā)碳化硅(SiC)化合物功...
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東芝攜150年創(chuàng)新積淀八赴進(jìn)博，以科技賦能可持續(xù)未來
上海2025年11月5日 /美通社/ -- 深秋時(shí)節(jié)，黃浦江畔，第八屆中國國際進(jìn)口博覽會（以下簡稱"進(jìn)博會"）盛大舉行，再次奏響全球交融發(fā)展的新樂章。作為進(jìn)博會堅(jiān)定不移的"老朋友"，東芝連續(xù)八年參與這一全球經(jīng)貿(mào)盛會。展會現(xiàn)場，東芝以&quo...
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泰瑞達(dá)宣布推出ETS-800 D20雙站點(diǎn)自動(dòng)測試系統(tǒng)，滿足功率半導(dǎo)體多樣化測試需求
2025年10月23日，中國 北京訊 —— 全球領(lǐng)先的自動(dòng)測試設(shè)備和機(jī)器人供應(yīng)商泰瑞達(dá)(NASDAQ:TER)宣布，推出面向功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的高性能測試平臺ETS-800的最新成員ETS-800 D20。ETS-800 D20，具備多功能性與成本效益優(yōu)勢，可同時(shí)滿足大批量芯片測試以及多品種、小批量芯片測試需求，可更好地服務(wù)客戶的多樣化場景。
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瑞薩電子采用下一代功率半導(dǎo)體 為800伏直流AI數(shù)據(jù)中心架構(gòu)供電
2025 年 10 月 14 日，中國北京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子(TSE：6723)宣布，支持NVIDIA宣布的800伏直流電源架構(gòu)的高效電源轉(zhuǎn)換和分配，推動(dòng)下一代更智能、更快速的人工智能(AI)基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)展。
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英飛凌2025財(cái)年第三季營收符合預(yù)期，利潤超出預(yù)期 盡管面臨持續(xù)的關(guān)稅不確定性和美元走弱，本季度預(yù)計(jì)將進(jìn)一步增長
· 2025 財(cái)年展望：假設(shè)第四季度歐元兌美元匯率為1:1.15(此前為1:1.125)，預(yù)計(jì)本財(cái)年?duì)I收約為146億歐元，較上一年將略有下降。調(diào)整后的毛利率預(yù)計(jì)達(dá)到40%以上(此前為約40%)，利潤率為17%~19%左右(此前為14%~16%)。投資額約 22 億歐元(此前為23億歐元)。自由現(xiàn)金流將自然增長至10 億歐元左右(此前為約9億歐元)。考慮到從Marvell收購汽車以太網(wǎng)業(yè)務(wù)即將完成，自由現(xiàn)金流預(yù)計(jì)將達(dá)到約負(fù)12億歐元。調(diào)整后的自由現(xiàn)金流(扣除對前道廠房的投資和大型并購交易后)預(yù)計(jì)為約17億歐元(此前為16億歐元)。
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開啟電子熱管理技術(shù)圈的正向設(shè)計(jì)之門|魯歐智造第三屆用戶大會成功舉辦
7月18日，由魯歐智造(山東)數(shù)字科技有限公司主辦、中關(guān)村集成電路設(shè)計(jì)園、北航確信可靠性聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室協(xié)辦的第三屆用戶大會在北京朗麗茲西山花園酒店成功舉辦。本次大會以“開啟電子熱管理技術(shù)圈的正向設(shè)計(jì)之門”為主題，吸引了來自全國各地的300余名行業(yè)專家、企業(yè)代表及技術(shù)精英齊聚北京。
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確?？煽啃裕禾蓟璁a(chǎn)品上市前的開發(fā)與制造
從 MOSFET、二極管到功率模塊，功率半導(dǎo)體產(chǎn)品是生活中無數(shù)電子設(shè)備的核心。從醫(yī)療設(shè)備和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施，到個(gè)人電子產(chǎn)品和電動(dòng)汽車 (EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設(shè)備的持續(xù)運(yùn)行。第三代寬禁帶(WBG)解決方案是半導(dǎo)體技術(shù)的前沿，如使用碳化硅(SiC)。與傳統(tǒng)的硅(Si)晶體管相比，SiC 的優(yōu)異物理特性使基于 SiC 的系統(tǒng)能夠在更小的外形尺寸內(nèi)顯著減少損耗并加快開關(guān)速度。
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確保可靠性： 碳化硅產(chǎn)品上市前的開發(fā)與制造
從 MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導(dǎo)體產(chǎn)品是我們生活中無數(shù)電子設(shè)備的核心。 從醫(yī)療設(shè)備和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施，到個(gè)人電子產(chǎn)品和電動(dòng)汽車 (EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設(shè)備的持續(xù)運(yùn)行。
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GaN 車載應(yīng)用已成趨勢
在全球汽車產(chǎn)業(yè)加速向電氣化、智能化轉(zhuǎn)型的浪潮中，功率半導(dǎo)體技術(shù)的革新成為關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。氮化鎵(GaN)作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料，正憑借其獨(dú)特的性能優(yōu)勢，逐漸在車載應(yīng)用領(lǐng)域嶄露頭角，成為行業(yè)矚目的焦點(diǎn)。從當(dāng)前發(fā)展態(tài)勢來看，GaN 車載應(yīng)用已成不可逆轉(zhuǎn)的趨勢。
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新一代功率半導(dǎo)體前景廣闊，中國企業(yè)如何縮小差距?
功率半導(dǎo)體作為電子產(chǎn)業(yè)鏈中極為關(guān)鍵的一類器件，肩負(fù)著電能轉(zhuǎn)換與電路控制的重任，在電路里發(fā)揮著功率轉(zhuǎn)換、放大、開關(guān)、線路保護(hù)以及逆變、整流等諸多重要作用。其身影廣泛出現(xiàn)在電網(wǎng)輸變電、新能源汽車、軌道交通、新能源、變頻家電等眾多領(lǐng)域，是推動(dòng)現(xiàn)代社會電氣化進(jìn)程的核心力量。
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英飛凌與科士達(dá)深入合作，全棧方案樹立UPS高效可靠新標(biāo)桿
【2025年4月10日, 中國上海訊】在全球數(shù)據(jù)中心加速向高效化、集約化轉(zhuǎn)型的背景下，高頻中大功率UPS（不間斷電源）市場需求持續(xù)攀升，對能效、功率密度及可靠性的要求亦日益嚴(yán)苛。 近日，英飛凌宣布與深圳科士達(dá)科技股份有限公司深化合作，通過提供英飛凌1200V CoolSiC? MOSFET和CoolSiC?二極管、650V CoolSiC? MOSFET器件以及EiceDRIVER?系列單通道磁隔離驅(qū)動(dòng)器等全套功率半導(dǎo)體解決方案，助力科士達(dá)100kVA在線式UPS系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵突破，滿足數(shù)據(jù)中心對高可靠、高能效電源的嚴(yán)苛需求。
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DB HiTek將參展PCIM 2025，加強(qiáng)歐洲市場推廣
…… 德國最大的功率半導(dǎo)體展會于紐倫堡舉行（5月6日至8日）…… 分享模擬與電源、專用CIS、SiC和GaN技術(shù)的最新進(jìn)展 韓國首爾2025年4月7日 /美通社/ -- 領(lǐng)先的8英寸晶圓代工企業(yè)DB HiTek將參加于當(dāng)?shù)貢r(shí)間5月6...
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Kulicke & Soffa 推出全新垂直線焊解決方案，市場領(lǐng)先地位繼續(xù)擴(kuò)大 ATPremier MEM PLUS?進(jìn)一步提高存儲器封裝密度
新加坡—2025年3月26日—Kulicke and Soffa Industries，股份有限公司(NASDAQ:KLIC)(“Kulicke & Soffa”、“K&S”、“我們”或“公司”)宣布推出適用于大容量存儲器應(yīng)用的ATPremier MEM PLUS?。
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是德科技在寬禁帶半導(dǎo)體裸片上實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)測試
是德科技(NYSE: KEYS )增強(qiáng)了其雙脈沖測試產(chǎn)品組合，使客戶能夠從寬禁帶(WBG)功率半導(dǎo)體裸芯片的動(dòng)態(tài)特性的精確和輕松測量中受益。在測量夾具中實(shí)施新技術(shù)最大限度地減少了寄生效應(yīng)，并且不需要焊接到裸芯片上。這些夾具與是德科技的兩個(gè)版本的雙脈沖測試儀兼容。
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