英飛凌發(fā)布《2026年GaN技術(shù)展望》:技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域氮化鎵高速增長
· 至2030年,氮化鎵(GaN)市場規(guī)模預(yù)計將達到30億美元,年復(fù)合增長率高達44%
· 英飛凌高壓GaN雙向開關(guān)采用變革性的共漏極設(shè)計與雙柵極結(jié)構(gòu)
· GaN功率半導(dǎo)體拓展至AI、機器人、量子計算等新興市場
【2026年2月10日, 德國慕尼黑訊】氮化鎵(GaN)電源解決方案的普及正推動功率電子行業(yè)迎來一場重大變革。全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)發(fā)布《2026年GaN技術(shù)展望》,深度解析GaN的技術(shù)現(xiàn)狀、應(yīng)用場景及未來前景,為行業(yè)提供重要參考。
英飛凌科技氮化鎵系統(tǒng)業(yè)務(wù)線負責人Johannes Schoiswohl表示:“GaN已經(jīng)成為一個切實的市場應(yīng)用,在多個行業(yè)獲得了廣泛關(guān)注。英飛凌致力于快速、高效地為客戶創(chuàng)造價值。憑借‘從產(chǎn)品到系統(tǒng)’的解決方案、領(lǐng)先的制造實力,以及豐富的GaN產(chǎn)品組合,我們?yōu)榭蛻籼峁┑慕鉀Q方案幫助客戶在市場上獲得成功。我們將持續(xù)努力,保持英飛凌作為值得信賴的合作伙伴的地位,幫助客戶應(yīng)對GaN技術(shù)所帶來的挑戰(zhàn),充分釋放其潛力?!?
依托300毫米GaN晶圓制造技術(shù),英飛凌GaN產(chǎn)品性能卓越,為各類應(yīng)用場景帶來顯著優(yōu)勢。
分析師預(yù)測,到2030年,GaN功率半導(dǎo)體市場規(guī)模有望接近30億美元,較2025年市場規(guī)模增長400%1。這一快速增長得益于2025年啟動的大規(guī)模產(chǎn)能擴張,這推動了GaN技術(shù)在多個行業(yè)的廣泛應(yīng)用,還促進了該技術(shù)在新興領(lǐng)域中的滲透。預(yù)計該市場在2025至2030年間的年復(fù)合增長率(CAGR)將達到44%2,2026年其營收將達到9.2億美元,較2025年增長58%3。
GaN產(chǎn)品創(chuàng)新進展
到2026年,設(shè)計人員有望在光伏逆變器、電動汽車(EV)車載充電器之外,發(fā)掘更多GaN雙向開關(guān)(BDS)的新型應(yīng)用場景。英飛凌的高壓GaN雙向開關(guān)采用變革性的共漏極設(shè)計與雙柵極結(jié)構(gòu),并基于成熟的柵極注入晶體管(GIT)技術(shù)。這種獨特架構(gòu)使同一漂移區(qū)可實現(xiàn)雙向電壓阻斷,相較傳統(tǒng)背靠背方案顯著縮小了芯片面積。例如,采用英飛凌CoolGaN? BDS(支持最高開關(guān)頻率1MHz)的光伏微型逆變器在同等尺寸下功率提升了40%,同時降低了系統(tǒng)成本。
GaN技術(shù)正拓展至新興應(yīng)用領(lǐng)域
GaN技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域正在不斷拓展,包括AI數(shù)據(jù)中心、機器人、電動汽車、可再生能源等行業(yè),以及數(shù)字健康、量子計算等新興領(lǐng)域。在數(shù)據(jù)中心市場,采用新型拓撲結(jié)構(gòu)的GaN電源實現(xiàn)了空前的效率與功率密度,功耗最多降低30%,助力部署更加高效緊湊的數(shù)據(jù)中心架構(gòu)。在人形機器人領(lǐng)域,GaN電機驅(qū)動體積可縮減40%,同時還能提高對于精細運動的控制能力。
為何選擇英飛凌GaN技術(shù)?
英飛凌是全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者,以硅(Si)、碳化硅(SiC)和GaN領(lǐng)域的創(chuàng)新解決方案聞名。公司依托垂直整合制造(IDM)戰(zhàn)略,結(jié)合業(yè)界領(lǐng)先的系統(tǒng)理解能力,提供各種領(lǐng)先技術(shù),滿足行業(yè)不斷變化的需求。依托300毫米GaN晶圓制造技術(shù),英飛凌GaN產(chǎn)品性能卓越,為各類應(yīng)用場景帶來顯著優(yōu)勢。例如:
· 英飛凌全新的CoolGaN? 650V G5晶體管系列產(chǎn)品在品質(zhì)因數(shù)(導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗的乘積)方面領(lǐng)先業(yè)界30-40%,可大幅提升系統(tǒng)性能和設(shè)計自由度。
· 英飛凌創(chuàng)新的CoolGaN? Transistor MV G5系列產(chǎn)品在器件內(nèi)集成了肖特基二極管,減少了15%的損耗,并將器件溫度降低了10%以上,在縮小尺寸、降低成本的同時,提高了效率與可靠性。
· 英飛凌的全新CoolGaN? 100V車規(guī)級晶體管系列產(chǎn)品進一步鞏固了其全球汽車半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者的地位。它滿足AEC-Q101標準的嚴苛要求,可幫助客戶應(yīng)對新一代汽車架構(gòu)設(shè)計中從12V向48V系統(tǒng)轉(zhuǎn)型的應(yīng)用需求。
英飛凌擁有超過50款GaN產(chǎn)品的豐富產(chǎn)品組合,涵蓋分立與高度集成解決方案,電壓覆蓋從40V至700V,布局消費電子、工業(yè)電子及汽車電子應(yīng)用領(lǐng)域,可為廣泛的功率應(yīng)用場景提供各類解決方案。
2026年,憑借出色的性能、效率與可靠性,GaN技術(shù)將進一步應(yīng)用于功率電子行業(yè)。作為GaN技術(shù)的市場領(lǐng)導(dǎo)者,英飛凌致力于賦能客戶與合作伙伴,在這一新領(lǐng)域不斷探索,共同打造面向未來的節(jié)能技術(shù)。
資料獲取
《2026年GaN技術(shù)展望》電子版現(xiàn)已在英飛凌官網(wǎng)上線,文中深入解讀了GaN技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀、產(chǎn)品布局、應(yīng)用場景,以及未來可能面臨的機遇與挑戰(zhàn)。





