功率半導體

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新一代功率半導體掌握多個領域節(jié)能關鍵

最近幾年，在半導體之中，原本在人們眼中“不出彩”的功率半導體成為了關注的焦點。功率半導體的作用是轉換直流與交流、通過變壓等方式高效控制電力，用于充電裝

嵌入式動態(tài)
2014-01-26

富士通功率半導體碳化硅電量
新一代功率半導體掌握著多個領域節(jié)能的關鍵

【導讀】作為節(jié)能背后的主角，功率半導體如今成為了關注的焦點。功率半導體的作用是轉換直流與交流、通過變壓等方式高效控制電力，用于充電裝置和馬達。如今，這種半導體已配備于家電、汽車、工業(yè)機械、鐵路車輛、輸

半導體
2014-01-23

馬達功率半導體碳化硅電量
政策扶持重點功率半導體產(chǎn)業(yè)進黃金發(fā)展期

據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會的相關人士透露，有關促進集成電路發(fā)展的綱要性文件已草擬完畢，目前正在進行部際協(xié)調(diào)。上證報資訊獲悉，政策扶持的重點將主要集中于集成電路的設計和制造方面，尤其是本土自主核心產(chǎn)業(yè)龍頭企業(yè)

模擬
2014-01-20

半導體產(chǎn)業(yè) MOSFET 節(jié)能減排功率半導體
節(jié)能技術獲支持功率半導體產(chǎn)業(yè)進黃金期

據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會的相關人士透露，有關促進半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的綱要性文件已草擬完畢，目前正在進行部際協(xié)調(diào)。獲悉，政策扶持的重點將主要集中于集成電路的設計和制造方面，尤其是本土自主核心產(chǎn)業(yè)龍頭企業(yè)，功率半

電子設計自動化
2014-01-17

半導體產(chǎn)業(yè) 節(jié)能技術節(jié)能減排功率半導體
國家釋放政策紅利功率半導體產(chǎn)業(yè)進入黃金期

LED半導體照明網(wǎng)訊據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會的相關人士透露，有關促進集成電路發(fā)展的綱要性文件已草擬完畢，目前正在進行部際協(xié)調(diào)。上證報資訊獲悉，政策扶持的重點將主要集中于集成電路的設計和制造方面，尤其

顯示光電
2014-01-11

半導體產(chǎn)業(yè) 半導體行業(yè) 節(jié)能減排功率半導體
新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

半導體
2014-01-10

元件 GAN SIC 功率半導體
新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈

SiC功率半導體方面，在柵極設有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進一步降低損耗。導通電阻降低后

半導體
2014-01-08

元件 GAN SIC 功率半導體
國家釋放政策紅利功率半導體產(chǎn)業(yè)進入黃金發(fā)展期

據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會的相關人士透露，有關促進集成電路發(fā)展的綱要性文件已草擬完畢，目前正在進行部際協(xié)調(diào)。上證報資訊獲悉，政策扶持的重點將主要集中于集成電路的設計和制造方面，尤其是本土自主核心產(chǎn)業(yè)龍頭企業(yè)

顯示光電
2014-01-06

半導體產(chǎn)業(yè) 半導體行業(yè) 節(jié)能減排功率半導體
新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

半導體
2014-01-04

元件 GAN SIC 功率半導體
新一代功率半導體加速導入元器件廠商拼殺

與現(xiàn)在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

消費電子
2014-01-03

元器件 GAN SIC 功率半導體
新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

消費電子
2014-01-03

元件 GAN SIC 功率半導體
新一代功率半導體：元件開發(fā)競爭激烈，亞洲企業(yè)紛紛涉足

與現(xiàn)在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

電子設計自動化
2014-01-03

元件 GAN SIC 功率半導體
新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

電子設計自動化
2014-01-03

元件 GAN SIC 功率半導體
新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈

SiC功率半導體方面，在柵極設有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進一步降低損耗。導通電阻降低后

模擬
2014-01-02

元件 GAN SIC 功率半導體
21ic新聞大爆炸：新一代功率半導體開發(fā)競爭激烈

1、新一代功率半導體開發(fā)競爭激烈亞洲企業(yè)紛紛涉足今后在從事GaN功率元件的半導體廠商之間，估計會展開激烈的價格競爭。尤其是韓國、中國大陸和臺灣等亞洲半導體廠商全面涉足GaN功率元件業(yè)務之后，價格競爭將更為激

21ic專訪
2013-12-31

IGBT IC LTE 功率半導體
元件開發(fā)競爭激烈亞洲企業(yè)紛紛涉足

與現(xiàn)在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

電子設計自動化
2013-12-31

元件基板 GAN 功率半導體
新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

模擬
2013-12-30

元件 GAN SIC 功率半導體
新一代功率半導體：元件開發(fā)競爭激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)

電源
2013-12-30

元件 GAN SIC 功率半導體
AMAT全方位強化功率半導體生產(chǎn)設備業(yè)務

美國應用材料公司(Applied Materials，AMAT)瞄準近年來需求高漲的功率半導體及MEMS器件市場，將強化200mm晶圓生產(chǎn)設備相關業(yè)務，將來還打算支持功率半導體領域的300mm晶圓及SiC/GaN的生產(chǎn)。AMAT的主力業(yè)務歸根結底還

電子設計自動化
2013-12-30

器件晶圓 MEMS 功率半導體
英飛凌連續(xù)十年位居功率半導體市場榜首

汽車傳感器市場領導者英飛凌科技股份公司（法蘭克福股票交易所股票代碼：IFX / 美國柜臺交易市場股票代碼：IFNNY）連續(xù)十年位居世界功率半導體市場榜首。這是北美市場研究機構IHS Inc的調(diào)查結果。調(diào)查顯示，在該市場

消費電子
2013-12-24

英飛凌半導體市場代碼功率半導體

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功率半導體

新一代功率半導體掌握多個領域節(jié)能關鍵

新一代功率半導體掌握著多個領域節(jié)能的關鍵

政策扶持重點功率半導體產(chǎn)業(yè)進黃金發(fā)展期

節(jié)能技術獲支持功率半導體產(chǎn)業(yè)進黃金期

國家釋放政策紅利功率半導體產(chǎn)業(yè)進入黃金期

新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈

新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈

國家釋放政策紅利功率半導體產(chǎn)業(yè)進入黃金發(fā)展期

新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈

新一代功率半導體加速導入元器件廠商拼殺

新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈

新一代功率半導體：元件開發(fā)競爭激烈，亞洲企業(yè)紛紛涉足

新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈

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21ic新聞大爆炸：新一代功率半導體開發(fā)競爭激烈

元件開發(fā)競爭激烈亞洲企業(yè)紛紛涉足

新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈

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AMAT全方位強化功率半導體生產(chǎn)設備業(yè)務

英飛凌連續(xù)十年位居功率半導體市場榜首

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