
Axiom Microdevices有限公司近日宣布:中國手機(jī)設(shè)計制造商經(jīng)緯科技(Ginwave Technologies)有限公司,廣泛使用AX502四頻GPRS互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體功率放大器(CMOS PA)到其多款手機(jī)中。 這里所指的Axiom Mic
如圖所示為厚膜集成塊功率放大電路。由圖(a)可知,輸入信號通過阻容耦合電路(電阻為33kΩ,電容為4.7μF)送入STK3048的同相輸入端,經(jīng)厚膜功放塊STK3048放大后,由其輸出端(引腳5、6)加到功放管Q1、Q2的基極。功放采
如圖所示為2W×2音頻功率放:該電路采用了雙集成運(yùn)放LM1877作為放大器件。由圖可知,電路為上、下對稱結(jié)構(gòu),有兩路信號分別加到LM1877的兩個運(yùn)放的同相輸入端,其輸出端外接方式相同:由2.7Ω電阻和0.1μF的電容組成
蜂窩通信的發(fā)展與先進(jìn)調(diào)制方案的關(guān)系日益密切。在最新一代(2.5G和3G)基站中,設(shè)計策略包括實現(xiàn)高線性度同時把功耗減至最小的方法。
如圖所示為2W×2音頻功率放:該電路采用了雙集成運(yùn)放LM1877作為放大器件。由圖可知,電路為上、下對稱結(jié)構(gòu),有兩路信號分別加到LM1877的兩個運(yùn)放的同相輸入端,其輸出端外接方式相同:由2.7Ω電阻和0.1μF的電容組成
設(shè)計了一種用于耳機(jī)驅(qū)動的CMOS功率放大器,該放大器采用0.35 μm雙層多晶硅工藝實現(xiàn),驅(qū)動32 Ω的電阻負(fù)載.該設(shè)計采用三級放大兩級密勒補(bǔ)償?shù)碾娐方Y(jié)構(gòu),通過提高增益帶寬來提高音頻放大器的性能.仿真結(jié)果表明,該電路的開環(huán)直流增益為70 dB,相位裕度達(dá)到86.6°,單位增益帶寬為100 MHz.輸出級采用推挽式AB類結(jié)構(gòu),能有效地提高輸出電壓的擺幅,從而得到電路在低電源電壓下的高驅(qū)動能力.結(jié)果表明,在3.3 V電源電壓下,電壓輸出擺幅為2.7 V.
本文系統(tǒng)分析了射頻CMOS功率放大器的設(shè)計方法,并基于TSMC 0.35μm RF工藝設(shè)計了一種工作頻率在2.4GHz,電源電壓為3.3V的三級CMOS功率放大器。
利用MOS場效應(yīng)管(MOSFET),采取AB類推挽式功率放大方式,采用傳輸線變壓器寬帶匹配技術(shù),設(shè)計出一種寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器模塊
利用MOS場效應(yīng)管(MOSFET),采取AB類推挽式功率放大方式,采用傳輸線變壓器寬帶匹配技術(shù),設(shè)計出一種寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器模塊
Doherty方法被認(rèn)為是提高效率最有前景的一種結(jié)構(gòu)。前饋與Doherty結(jié)構(gòu)相結(jié)合的結(jié)構(gòu)或者數(shù)字預(yù)失真與Doherty結(jié)合的結(jié)構(gòu)具有很大的價值。
對于任何功率放大器(功率放大器)設(shè)計,輸出匹配電路的性能都是個關(guān)鍵。但是,在設(shè)計過程中,有一個問題常常為人們所忽視,那就是輸出匹配電路的功率損耗。這些功率損耗出現(xiàn)在匹配網(wǎng)絡(luò)的電容器、電感器,以及其他耗能元件中。功率損耗會降低功率放大器的工作效率及功率輸出能力。
數(shù)字音頻功率放大器也稱為開關(guān)放大器、D類放大器,具有效率高的突出優(yōu)點.放大器由輸入信號處理電路、開關(guān)信號形成電路、大功率開關(guān)電路和低通濾波器等四部分組成.
本文采用最新的LDMOS FET器件,及平衡放大電路結(jié)構(gòu)設(shè)計數(shù)字電視發(fā)射機(jī)中的驅(qū)動級功率放大器,經(jīng)過優(yōu)化和調(diào)試,滿足系統(tǒng)要求。
最近出現(xiàn)了一種有可能利用CMOS工藝制造PA的新技術(shù),這樣,PA就可以被放在一個簡單塑料封裝內(nèi)。
如何才能實現(xiàn)高效能且多頻段的GSM/EDGE功率放大器模塊?銳迪科微電子新推出的RDA6216提供了一個比較成功的設(shè)計方案。
本文探討了一種全新的功率放大器設(shè)計概念:其功率放大器的驅(qū)動電路在一般情況下都以中低等輸出功率工作,只有在需要高輸出功率時才啟動功耗較高的功率放大器電路。