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功率 MOS

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  • S-MOS 單元技術提高了 SiC MOSFET 的效率

    初創(chuàng)公司mqSemi提出了一種適用于基于功率 MOS 的器件的單點源 MOS (S-MOS) 單元概念。S-MOS 概念已通過使用 Silvaco Victory 工藝和設備軟件的 3D-TCAD 模擬在 1200V SiC MOSFET 結構上進行了調整和實施。提供了全套靜態(tài)和動態(tài)結果，用于比較 S-MOS 與采用平面和溝槽 MOS 單元設計的參考 SiC MOSFET 2D 結構。