可以滿足RF功率測量的對數(shù)放大器的設(shè)計

對數(shù)放大器(通常稱為對數(shù)放大器，有時稱為對數(shù)檢測器)是RF電路和電光接口中使用的模擬元件。其傳遞函數(shù)在概念上很簡單：輸出電壓或電流與輸入電壓或電流的對數(shù)成正比(圖1)。

ST - 碳化硅MOSFET的短路實驗性能與有限元分析法熱模型的開發(fā)

就目前而言，碳化硅(SiC)材料具有極佳的的電學(xué)和熱學(xué)性質(zhì)，使得碳化硅功率器件在性能方面已經(jīng)超越硅產(chǎn)品。在需要高開關(guān)頻率和低電能損耗的應(yīng)用中，碳化硅MOSFET正在取代標(biāo)準(zhǔn)

利用霍爾效應(yīng)磁傳感器測量智能家居中的功率

測量功率正在成為智能家居中越來越重要的元素。推出智能電網(wǎng)和智能電表的成本應(yīng)該通過節(jié)省電力成本來彌補(bǔ)，但目前還沒有簡單的方法來進(jìn)行測量。智能網(wǎng)絡(luò)還希望識別作為主要

如何保護(hù)汽車逆變器設(shè)計中的功率晶體管

在無線溫度傳感器的能量收集設(shè)計中添加溫度測量功能

溫度監(jiān)測在廣泛的應(yīng)用中發(fā)揮著重要作用。對于電子系統(tǒng)，高于或低于規(guī)格的溫度會影響電路和系統(tǒng)的標(biāo)稱性能。除了這些傳統(tǒng)的熱管理應(yīng)用之外，溫度測量已從偶然的系統(tǒng)監(jiān)控功能

將新6軸IMU與DSP結(jié)合實現(xiàn)高性能運(yùn)動跟蹤精度

高性能運(yùn)動跟蹤技術(shù)已從深奧的軍事，航空電子，船舶和工業(yè)應(yīng)用轉(zhuǎn)移到不斷擴(kuò)展的消費(fèi)應(yīng)用領(lǐng)域。盡管如此，將高性能運(yùn)動跟蹤引入消費(fèi)者市場往往迫使設(shè)計人員協(xié)調(diào)相互沖突的目

滿足帶集成攝像頭的移動設(shè)備要求的閃光LED驅(qū)動器的介紹

智能手機(jī)和其他移動設(shè)備中相機(jī)的廣泛采用，以及消費(fèi)者對更高質(zhì)量，更清晰圖像的期望，推動了對更簡單設(shè)計，更小尺寸和更少元件數(shù)量的需求，特別是隨著許多智能手機(jī)向前端和

ST新推超結(jié)功率MOSFET晶體管系列快速開關(guān)產(chǎn)品

基于MCU系列的智能電網(wǎng)設(shè)計解決方案

為了提高能效，電網(wǎng)管理和優(yōu)質(zhì)電力輸送，工程師們設(shè)計了智能電網(wǎng)。增加智能電網(wǎng)的復(fù)雜性是微電網(wǎng)相對較新的概念。在連接微電網(wǎng)和公用電網(wǎng)系統(tǒng)時，通過使用實時數(shù)據(jù)管理來控

MCS-51單片機(jī)實現(xiàn)的功率因素表

什么叫運(yùn)算電源功率

實際上是發(fā)電廠高壓母線輸入系統(tǒng)得等值功率，它等于發(fā)電機(jī)機(jī)壓母線送出的功率減去變壓器阻抗、導(dǎo)納的功率損耗，再加上發(fā)電廠高壓母線所連線路導(dǎo)納中無功功率損耗的一半；運(yùn)

基于FRAM的存儲器和MCU器件構(gòu)建低功耗能量采集應(yīng)用

雖然EEPROM和閃存通常是大多數(shù)應(yīng)用中非易失性存儲器(NVM)的首選，但鐵電RAM(FRAM)為能量收集應(yīng)用中的許多低功耗設(shè)計(如無線傳感器節(jié)點(diǎn))提供了明顯的優(yōu)勢。智能電表和其他數(shù)

可用于能量輸送和儲存的鋰離子電池充電方案

便攜式設(shè)備的充電系統(tǒng)并非總是在設(shè)計中具有高優(yōu)先級，但它可以在系統(tǒng)的電池壽命中起主要作用，并且經(jīng)過適當(dāng)優(yōu)化后，可以允許使用比其他方式更小的電池組。被需要。不僅需要

如何采用USB-C新標(biāo)準(zhǔn)實現(xiàn)計USB-C連接器的設(shè)計

USB Type-C™規(guī)范引入了通過USB提供可擴(kuò)展電源傳輸?shù)男逻x項，但規(guī)范錯綜復(fù)雜，開發(fā)人員面臨安全和布局問題。本文將介紹USB Type-C(也稱為USB-C插座解決方案)，并指導(dǎo)開

如何使用高度集成的柵極驅(qū)動器實現(xiàn)緊湊型電機(jī)控制系統(tǒng)的設(shè)計

采用鋰離子電池供電的高功率密度，高效率，三相無刷直流(BLDC)電機(jī)可實現(xiàn)無繩電動工具，真空吸塵器和電動自行車的開發(fā)。然而，為了節(jié)省更緊湊的機(jī)電設(shè)備的空間，設(shè)計人員面

第二級LC濾波器中的PWM開關(guān)建模介紹

管理電源上的輸出電壓紋波是滿足法規(guī)排放要求的方法之一。第二級LC濾波器的有效實施需要額外的分析和調(diào)整以使電源穩(wěn)定。實現(xiàn)第二級LC濾波器的反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計可以使用更少

從入門到精通：我們?yōu)槟榻B非線性GaN 模型的基礎(chǔ)知識

氮化鎵(GaN) 功率放大器(PA) 設(shè)計是當(dāng)前的熱門話題。出于多種原因，GaN HEMT 器件已成為滿足大多數(shù)新型微波功率放大器需求的領(lǐng)先解決方案。過去，PA 設(shè)計以大致的起點(diǎn)開始并

分立元件成就一切：如何簡化48V至60V直流饋電三相逆變器設(shè)計

想象一下，您正在設(shè)計伺服、計算機(jī)數(shù)控(CNC)或機(jī)器人應(yīng)用的下一個功率級。這種情況下，功率級是低壓直流饋電三相逆變器，電壓范圍為12 VDC到60 VDC ，額定功率小于1 kW。該

IR 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET

AOS推出適用于便攜式應(yīng)用的功率MOSFET