據媒體報道,韓國外交部第一次官(副部長)趙世暎7月1日召見日本駐韓國大使長嶺安政,要求日本撤回對韓國出口半導體材料的管制措施。據韓國外交部介紹,趙世暎指出,日方此次措施不僅不利于相關產業(yè)發(fā)展,也可能對兩
——IGZO(indium gallium zinc oxide)為銦鎵鋅氧化物的縮寫,非晶IGZO材料是用于新一代薄膜晶體管技術中的溝道層材料
2018年,國內半導體材料在各方共同努力下,部分領域取得了可喜成績,但中高端領域用關鍵材料本土化上進展緩慢,取得的突破較少,總體情況不容樂觀。
2018年11月7-8日,第三屆半導體材料器件表征及可靠性研究交流會在上海召開,由泰克公司攜手復旦大學,聯(lián)合南京大學、中科院上海技術物理研究所、中國科學院納米中心共同舉辦。本屆會議旨在加強全國各相關領域研究隊伍的交流、提供學術界與產業(yè)界相互分享最新研究成果的機會,推動我國先進電子材料與器件的發(fā)展,促進杰出青年科學家的迅速成長和協(xié)同創(chuàng)新。
2018年11月7-8日,第三屆半導體材料器件表征及可靠性研究交流會在上海召開,本屆會議旨在加強全國各相關領域研究隊伍的交流、提供學術界與產業(yè)界相互分享最新研究成果的機會,推動我國先進電子材料與器件的發(fā)展,促進杰出青年科學家的迅速成長和協(xié)同創(chuàng)新。
第三代寬禁帶半導體材料被廣泛應用在各個領域,包括電力電子,新能源汽車,光伏,機車牽引,以及微波通訊器件等,由于它突破第一、二代半導體材料的發(fā)展瓶頸,被業(yè)界一直看好。
據臺灣媒體報道,漲價缺貨的野火如今已擴散到CMOS圖像感測元件上,今年電子關鍵零組件及半導體材料接二連三調漲售價,有錢也拿不到貨,前車之鑒,讓代理商及客戶端一聽到缺貨就害怕,而這一波CMOS供貨吃緊,就是在這樣的氛圍下醞釀成形,且有跡可尋,早在今年第2季,中國大陸高端鏡頭馬達就已傳出供貨吃緊情況。
近日,在中國電子科技集團公司第二研究所(簡稱中國電科二所)生產大樓內,100臺碳化硅(SiC)單晶生長設備正在高速運行,SiC單晶就在這100臺設備里“奮力”生長。
受惠于臺積電等晶圓代工廠持續(xù)沖刺先進制程,代理半導體設備和硅晶圓的崇越科技(5434)今年首季合并營收已創(chuàng)64.46億元單季新高,崇本季在半導體、半導體產業(yè)相關材料出貨持續(xù)增加下,有望再拼新高。
3月14日至16日,2018慕尼黑上海電子生產設備展在上海新國際博覽中心如期舉辦。慕尼黑上海電子生產設備展是中國電子制造行業(yè)領軍展會,旨在聚焦精密電子生產設備和制造組裝服務,展示電子制造核心科技。全球領先的材
據美國半導體行業(yè)協(xié)會(SIA)數據統(tǒng)計,全球半導體行業(yè)2017年的銷售總額達到了4122億美元,這是該行業(yè)有史以來的最高銷售額。對比2016年數據,全球半導體產業(yè)在2016年營收達到3389億美元,同比增長了21.6%,創(chuàng)下有史以
日前,由中科院蘇州納米所牽頭承辦的第608次香山科學會議在蘇州舉行,來自國內外的40多位專家學者參會。本次大會的主題為“化合物半導體器件的異質集成與界面調控”,中科院院士李樹深、黃如、中科院蘇州納米所所長楊輝、香港大學教授謝茂海擔任本次大會的執(zhí)行主席。
“到2030年,第三代半導體產業(yè)力爭全產業(yè)鏈進入世界先進行業(yè),部分核心關鍵技術國際引領,核心環(huán)節(jié)有1至3家世界龍頭企業(yè),國產化率超過70%?!边@是日前在京舉辦的第三代半導體戰(zhàn)略發(fā)布會上,第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲所描述的我國半導體產業(yè)未來的發(fā)展前景。
“到2030年,第三代半導體產業(yè)力爭全產業(yè)鏈進入世界先進行業(yè),部分核心關鍵技術國際引領,核心環(huán)節(jié)有1至3家世界龍頭企業(yè),國產化率超過70%?!边@是日前在京舉辦的第三代半導體戰(zhàn)略發(fā)布會上,第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲所描述的我國半導體產業(yè)未來的發(fā)展前景。
照明技術的迅猛發(fā)展使得該領域有更廣的拓展與實踐,半導體照明一直是照明技術的關鍵領域。
半導體材料升級換代。作為集成電路發(fā)展基礎,半導體材料逐步更新?lián)Q代,第一代半導體材料以硅(Si)為主導,目前,95%的半導體器件和 99%以上的集成電路都是硅材料制作。
藍光LED(發(fā)光二極管)的技術專利受制于歐美日等從事該行業(yè)較早的國家。因此處于發(fā)展初期的基于AlGaN(鋁鎵氮)材料的紫外LED成為突破專利壟斷的最佳領域。另外,紫外LED也是目前氮化物技術發(fā)展和第三代材料技術發(fā)展的主要趨勢,擁有廣闊的應用前景。
繼第一代元素半導體材料(si)和第二代化合物半導體材料后,第三代禁帶寬度半導體材料(SiC、GaN、C-BN、ZnSe等)已經在獲得了眾多半導體廠商的認可。第三代半導體材料具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速
近十年來,全世界對石墨烯和二維材料的研究進行了巨大的投入。這些努力沒有白費。近期,一種可應用于未來超算設備的新型半導體材料浮出水面。這種半導體名為硒化銦 (InSe),它只有幾原子厚,十分接近石墨烯。本月,曼