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大聯(lián)大詮鼎集團推出兩款基于英諾賽科產(chǎn)品的48V四相2kW降壓電源方案
2025年9月11日，致力于亞太地區(qū)市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下詮鼎推出兩款基于英諾賽科(Innoscience)InnoGaN INN100EA035A氮化鎵功率晶體管和INS2002FQ氮化鎵半橋驅動IC的48V四相2kW降壓電源方案。
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使用單個 PWM 信號控制 GaN 半橋功率級
分立氮化鎵 (GaN) FET 的興起增加了對更用戶友好界面的需求，同時也提高了效率。半橋 GaN 功率級（例如LMG5200）具有用于高低 GaN FET 的單獨驅動輸入。兩個輸入（圖 1 中的引腳 4 和 5）使我們能夠優(yōu)化效率，因為我們可以調整每個 FET 開啟和關閉的確切點。
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IR2304半橋驅動集成電路的功能原理及應用
IR2304是美國IR公司生產(chǎn)的新一代半橋驅動集成芯片，該芯片內部集成了互相獨立的控制驅動輸出電路，可直接驅動兩個中功率半導體器件如MOSFET或IGBT，動態(tài)響應快，驅動能力強，工作頻率高，且具有多種保護功能。
