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簡(jiǎn)述IGBT保護(hù)電路設(shè)計(jì)中必知問(wèn)題
1 引言IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MO
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如何有效解決三極管溫漂問(wèn)題？
現(xiàn)在利用三極管搭建了一個(gè)高頻振蕩電路，頻率為2.5M，但是在不同的溫度下，產(chǎn)生的波形的幅值不同，個(gè)人認(rèn)為是由于三極管的溫漂引起的，請(qǐng)問(wèn)各位有沒有較好的辦法解決或者減小溫漂的影響呢?三極管溫漂是因?yàn)殡S著溫度的
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深入剖析電感電流
在開關(guān)電源的設(shè)計(jì)中電感的設(shè)計(jì)為工程師帶來(lái)的許多的挑戰(zhàn)。工程師不僅要選擇電感值，還要考慮電感可承受的電流，繞線電阻，機(jī)械尺寸等等。本文專注于解釋：電感上的DC電流效應(yīng)。這也會(huì)為選擇合適的電感提供必要的信息
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鎘鎳電池充電電路圖
本電路中，R1選用10Ω，R2選用200Ω。當(dāng)開關(guān)向上合時(shí)，充電電流為60mA（恒流）；當(dāng)開關(guān)向下合時(shí)，充電電流為3mA（恒流）。硅二極管CR1，CR2的總壓降為1.2V，而Q1
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如何Hold住所有線性電源指標(biāo)（二）
接下來(lái)這一講我們會(huì)主要介紹：線性電源中的回讀準(zhǔn)確度、回讀分辨率、遠(yuǎn)端感測(cè)、穩(wěn)定性指標(biāo)、溫度穩(wěn)定性、負(fù)載調(diào)整率、線路調(diào)整率指標(biāo)?；刈x準(zhǔn)確度回讀準(zhǔn)確度有時(shí)也稱為儀表
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電動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)速控制電路
電動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)速控制電路
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IGBT礎(chǔ)知識(shí)大全
有關(guān)IGBT你了解多少，IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體
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Linear推出電纜壓降補(bǔ)償器 LT6110 無(wú)需檢測(cè)線即可校正遠(yuǎn)端負(fù)載調(diào)節(jié)誤差
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出電纜壓降補(bǔ)償器 LT6110，該新器件改善了遠(yuǎn)端負(fù)載的電壓調(diào)節(jié)能力，而無(wú)需開爾文檢測(cè)線。LT6110 是為設(shè)計(jì)人員提供的新組件
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電抗器主要特點(diǎn)
進(jìn)線電抗器1、該進(jìn)線電抗器為三相，均為鐵芯干式;2、鐵芯采用優(yōu)質(zhì)低損耗進(jìn)口冷軋硅鋼片， 氣隙采用環(huán)氧層壓玻璃布板作間隔，以保證電抗器氣隙在運(yùn)行過(guò)程中不發(fā)生變化;3、線
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LDO和DCDC的區(qū)別
LDO 是一種線性穩(wěn)壓器。線性穩(wěn)壓器使用在其線性區(qū)域內(nèi)運(yùn)行的晶體管或 FET，從應(yīng)用的輸入電壓中減去超額的電壓，產(chǎn)生經(jīng)過(guò)調(diào)節(jié)的輸出電壓。所謂壓降電壓，是指穩(wěn)壓器將輸出電壓維持在其額定值上下 100mV 之內(nèi)所需的輸入
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Linear推出通用的250mA 高壓降壓-升壓型充電泵LTC3245
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出通用的 250mA 高壓降壓-升壓型充電泵 LTC3245。該器件采用開關(guān)電容器分?jǐn)?shù)轉(zhuǎn)換，以在 2.7V 至 38V 的寬輸入電壓范圍內(nèi)保
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采用參數(shù)固態(tài)繼電器的調(diào)光燈電路
采用參數(shù)固態(tài)繼電器的調(diào)光燈電路
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采用開關(guān)電源的開關(guān)恒流源
圖中BG1 為開關(guān)管,BG2 為驅(qū)動(dòng)管, RL 為負(fù)載電阻, RS 為取樣電阻, SG3524 為脈寬調(diào)制控制器,L 1、E2、E3、E4為儲(chǔ)能元件, RW 提供基準(zhǔn)電壓U ref。工作原理: 減小開關(guān)器件的導(dǎo)
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太陽(yáng)能充電器電路
太陽(yáng)能充電器電路
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IGBT知識(shí)梳理
有關(guān)IGBT你了解多少，今天就隨小編一起來(lái)系統(tǒng)的了解一下IGBT吧！IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效
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實(shí)用應(yīng)急燈電路（一）
實(shí)用應(yīng)急燈電路（一）
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LDO與DC-DC器件的區(qū)別
DCDC的意思是直流變(到)直流(不同直流電源值的轉(zhuǎn)換)，只要符合這個(gè)定義都可以叫DCDC轉(zhuǎn)換器，包括LDO。但是一般的說(shuō)法是把直流變(到)直流由開關(guān)方式實(shí)現(xiàn)的器件叫DCDC。LDO是低壓降的意思，這有一段說(shuō)明：低壓降(LDO)線
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TSV型溫度傳感器典型應(yīng)用電路圖
此電路輸出電壓Vo的溫度靈敏度為10mV/℃，電阻R為限流電阻，野心家C用以改善電路的穩(wěn)定性。當(dāng)測(cè)試的位置與讀數(shù)位置較遠(yuǎn)時(shí)，導(dǎo)線電阻上的壓降將引入一定的測(cè)量誤差。
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淺談LDO和DC/DC電源的區(qū)別
應(yīng)當(dāng)可以這樣理解：DC-DC的意思是直流變(到)直流(不同直流電源值的轉(zhuǎn)換)，只要符合這個(gè)定義都可以叫DC-DC轉(zhuǎn)換器，包括LDO。但是一般的說(shuō)法是把直流變(到)直流由開關(guān)方式實(shí)現(xiàn)
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LDO
摘要：本文論述了低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)的基本原理和主要參數(shù)，并介紹LDO的典型應(yīng)用和國(guó)內(nèi)發(fā)展概況。引言便攜電子設(shè)備不管是由交流市電經(jīng)過(guò)整流(或交流適配器)后供電，還是
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