摘 要:通過計算雙軸應變下氮化鎵的電子能帶結(jié)構(gòu),給出了GaN有效質(zhì)量與應變的變化關(guān)系。在弛豫時間近似的條件下,這種關(guān)系決定了雙軸應變AlGaN/GaN中二維電子氣(2DEG)的遷移率的改變。在其他物理參量不變的情況下,這種二維電子氣遷移率將隨著張應變的增加而增加,并隨著壓應變的增加而減小。計算結(jié)果表明,張應變對2DEG遷移率的影響要比壓應變大。此外,GaN有效質(zhì)量的變化在低溫時對遷移率的作用更明顯。而在低溫低濃度的條件下,遷移率卻對有效質(zhì)量的依賴很小。