聯(lián)電創(chuàng)近7年來首虧 第三季凈損14.13億臺幣

臺灣晶圓代工大廠聯(lián)電日前公布財報，第3季凈損14.1億臺幣，遠(yuǎn)低于市場預(yù)估的凈利20.35億。此為2001年第四季度以來，首度出現(xiàn)的單季虧損紀(jì)錄，當(dāng)時虧損37.53億。 聯(lián)電第3季營收247.5億元，季衰退1.9%，年減約20%，由

臺積電第三季度凈利潤與去年基本持平

10月30日消息，臺積電周四發(fā)布了2008財年第三季度財報。報告顯示，雖然各類半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求均有所增加，臺積電第三季度凈利潤僅比上年同期有小幅增長。在截至9月30日的第三季度，臺積電凈利潤新臺幣305.7億元，合每

臺積電：全球半導(dǎo)體行業(yè)明年可能下滑10%

全球最大的合同芯片制造商首席執(zhí)行官昨日表示，明年全球半導(dǎo)體行業(yè)可能面臨至多10%的下滑。 臺灣積體電路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company，簡稱臺積電)首席執(zhí)行官蔡力行(Rick Tsai)稱

中芯國際第三季凈虧損3030萬美元

北京時間10月29日消息，據(jù)國外媒體報道，中芯國際周三發(fā)布了2008財年第三季度財報，雖然科技支出縮減影響了利潤，但該公司凈虧損仍低于分析師預(yù)期。該公司同時宣布暫停產(chǎn)能擴(kuò)張計劃。第三季度，中芯國際凈虧損3030萬

迎戰(zhàn)臺積電 聯(lián)電展示28nm制程

臺灣代工廠商聯(lián)電（UMC）展示了28nm制程的SRAM芯片，為推出28nm制程奠定基礎(chǔ)。該技術(shù)既支持高k金屬柵也支持二氧化硅制程。 UMC在300mm晶圓廠中進(jìn)行28nm制程的研發(fā)，晶體管密度是40nm制程的兩倍。在28nm平臺上，UMC也

傳淡馬錫洽售特許半導(dǎo)體60%股權(quán)給臺積電

臺積電或為日本瑞薩代工芯片

日本共同社報導(dǎo)指出,瑞薩科技(Renesas Technology)考慮將一大部份的新一代數(shù)碼電子產(chǎn)品微晶片委托臺積電代工。 瑞薩是日立制作所與三菱電機(jī)的合資事業(yè),共同社引述熟悉內(nèi)情人士指出,瑞薩希望藉由委托臺積電代工以降低

成本杠桿傾斜,日企瑞薩將委托臺積電代工

日本共同社報導(dǎo)指出,瑞薩科技(Renesas Technology)考慮將一大部份的新一代數(shù)碼電子產(chǎn)品微晶片委托臺積電(2330.TW: 行情)代工. 瑞薩是日立制作所(6501.T: 行情)與三菱電機(jī)(6503.T: 行情)的合資事業(yè),共同社引述熟悉內(nèi)

瑞薩科技可能委托臺積電代工晶片,以節(jié)省成本

瑞薩科技(Renesas Technology)考慮將一大部份的新一代數(shù)碼電子產(chǎn)品微晶片委托臺積電代工. 瑞薩是日立制作所與三菱電機(jī)的合資事業(yè),共同社引述熟悉內(nèi)情人士指出,瑞薩希望藉由委托臺積電代工以降低生產(chǎn)成本,并轉(zhuǎn)而將資

臺積電28nm工藝仍將采用液浸ArF曝光 EUV將用于22nm以下工藝

臺積電（TSMC）于2008年10月20日在橫浜舉行的技術(shù)研討會“TSMC 2008 Technology Symposium”上公布了其有關(guān)曝光技術(shù)的發(fā)展藍(lán)圖。 該公司首先公布了未來的發(fā)展方針，表示繼已量產(chǎn)的40nm工藝之后，預(yù)定2010年初開始

瑞薩科技可能委托臺積電代工晶片,以節(jié)省成本