MEMS產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟最新報告: 微機(jī)電系統(tǒng)器件首次被廣泛用于消費(fèi)電子設(shè)備中

EMS和微結(jié)構(gòu)兩大產(chǎn)業(yè)的行業(yè)協(xié)會“微機(jī)電系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟”(MIG)公布了一年一度的產(chǎn)業(yè)報告，該報告論述了MEMS產(chǎn)業(yè)內(nèi)高速增長的細(xì)分市場。以MEMS集成為焦點(diǎn)的《MIG產(chǎn)業(yè)報告》預(yù)測今年將是MEMS大舉進(jìn)攻消費(fèi)電子">消費(fèi)電子市

IR公布2007財年第二財季業(yè)績

IR公布2007財年第二財季業(yè)績

Linear 推出的高性能正交調(diào)制器

凌力爾特公司（Linear Technology Corporation）推出的新型高性能正交調(diào)制器 LT5571 為 850MHz 至 965MHz GSM、CDMA2000、ISM 和 RFID 調(diào)制器應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。

2005～2006年度電子元件行業(yè)分析報告(1)

第一章電子元件行業(yè)發(fā)展特征研究 2005年，受我國宏觀經(jīng)濟(jì)形勢的影響和外需進(jìn)一步加大的拉動，我國電子元件產(chǎn)業(yè)的利潤總額以高出全行業(yè)平均水平的姿態(tài)繼續(xù)保持快速增長，這對促進(jìn)我國電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展起到了重要

2005～2006年度電子元件行業(yè)分析報告(2)

第三章電子元件行業(yè)進(jìn)出口情況分析 2005年，在“科技興貿(mào)”戰(zhàn)略的推動下，我國電子元件產(chǎn)品進(jìn)出口繼續(xù)保持高速增長勢頭，實(shí)現(xiàn)了三個突破： 一是全年進(jìn)出口額首次突破五百億美元，達(dá)到566.23億美元，比上年

大唐移動在TD-SCDMA試驗(yàn)基站中使用Wintegra器件

fabless半導(dǎo)體公司，宣布其Winpath接入處理器被大唐移動采用在大容量超級Node-B基站中。大唐移動是TD-SCDMA3G技術(shù)開發(fā)和設(shè)備制造的領(lǐng)導(dǎo)者，其超級Node-B基站正在參加中國TD-SCDMA的應(yīng)用試驗(yàn)，為當(dāng)前和將來的3G作部署

高速增長也需未雨綢繆，印度嵌入式產(chǎn)業(yè)仍面臨威脅

印度25.3億美元的嵌入式軟件產(chǎn)業(yè)在享受高速增長的同時，也面臨大量與技術(shù)人員短缺相關(guān)的挑戰(zhàn)。印度已把自身建立為一個低成本的嵌入式軟件開發(fā)基地。開發(fā)嵌入式軟件的超大規(guī)模集成電路(VLSI)公司以及由OEM外包的日益增

日本AKE鎵化砷半導(dǎo)體晶圓廠開始運(yùn)營，瞄準(zhǔn)霍爾器件市場

日本Asahi Kasei旗下Asahi Kasei Electronics(AKE)日前宣布，該公司一座新的鎵化砷半導(dǎo)體晶圓廠已開始運(yùn)作。AKE生產(chǎn)和銷售霍耳效應(yīng)器件(Hall Effect elements)、霍爾芯片和其他磁性傳感器，這些是Asahi Kasei EMD Gr

Ramtron 推出汽車級16Kb SPI接口FRAM器件

Ramtron International 公司宣布其16Kb、5V、SPI FRAM存儲器件FM25C160已經(jīng)獲得AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證 (汽車電子設(shè)備委員會針對集成電路而設(shè)的測試標(biāo)準(zhǔn))。

Vishay 推出屬于IR接收器系列的四款新型模塊

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布為其 TSOP1xxxx IR 收發(fā)器系列增添四款具有出色脈沖距離編碼性能的新型模塊。

TI 推出集成器件采樣速率轉(zhuǎn)換器

日前，德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界最高性能的集成器件采樣速率轉(zhuǎn)換器—— SRC4392。

TI 推出集成器件采樣速率轉(zhuǎn)換器

日前，德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界最高性能的集成器件采樣速率轉(zhuǎn)換器—— SRC4392。

瑞薩 發(fā)布SuperH系列SH7652微處理器

瑞薩科技公司（Renesas）今天宣布，推出具有片上以太網(wǎng)控制器的32位SuperH系列SH7652微處理器。

IR 推出200V DirectFET MOSFET

國際整流器公司 (IR) 推出IRF6641TRPbF 功率MOSFET，采用 IR標(biāo)準(zhǔn)的 DirectFET 封裝技術(shù)結(jié)合 IR 最新的200V HEXFET MOSFET硅技術(shù)，可實(shí)現(xiàn) 95% 的效率。

IR 推出200V DirectFET MOSFET

國際整流器公司 (IR) 推出IRF6641TRPbF 功率MOSFET，采用 IR標(biāo)準(zhǔn)的 DirectFET 封裝技術(shù)結(jié)合 IR 最新的200V HEXFET MOSFET硅技術(shù)，可實(shí)現(xiàn) 95% 的效率。

IR 推出200V DirectFET MOSFET

國際整流器公司 (IR) 推出IRF6641TRPbF 功率MOSFET，采用 IR標(biāo)準(zhǔn)的 DirectFET 封裝技術(shù)結(jié)合 IR 最新的200V HEXFET MOSFET硅技術(shù)，可實(shí)現(xiàn) 95% 的效率。

我國微電子集成電路器件研究取得重大進(jìn)展

東南大學(xué)“長江學(xué)者獎勵計(jì)劃”特聘教授、射頻與光電集成電路研究所副所長黃風(fēng)義博士領(lǐng)導(dǎo)的研究小組，日前在電子和集成電路器件研究方面取得重大進(jìn)展，其成果于今年10月在集成電路領(lǐng)域國際最權(quán)威的雜志IEEEJSSC（《固

Fairchild 發(fā)布新型Motion-SPM器件

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild) 宣布進(jìn)一步擴(kuò)展其智能功率模塊 (SPM™) 產(chǎn)品系列，推出三款采用29mm x 12mm表面安裝 (SMD) 封裝的新型Motion-SPM™ 器件：FSB50325S (250V)、FSB50250S (500V) 和FSB50450S (500V)。

六大領(lǐng)域帶動電聲器件高速增長

電聲器件正在向著家庭娛樂中心的方向發(fā)展，其四大發(fā)展趨勢———家電化、網(wǎng)絡(luò)化、家居化、智能化正是技術(shù)融合的發(fā)展方向，同時也更好地滿足了家庭娛樂的要求。可以說，IT技術(shù)、互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)與電聲技術(shù)的結(jié)合是一個不可