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三星首批面向AI時代的QLC第九代V-NAND啟動量產(chǎn)
三星最新的QLC V-NAND綜合采用了多項突破性技術，其中通道孔蝕刻技術能基于雙堆棧架構實現(xiàn)最高單元層數(shù) 推出的三星首批QLC和TLC第九代V-NAND，為各種AI應用提供優(yōu)質內存解決方案 深圳2024年9月12日 /美通社/ -- 三星電子今日宣布，三星首款1太比...
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基礎篇：關于單片機的存儲器結構介紹
存儲器是單片機的又一個重要組成部分，存儲容量為256個單元的存儲器結構中每個存儲單元對應一個地址，256個單元共有256個地址，用兩位16進制數(shù)表示，即存儲器的地址(00H～FFH)。存儲器中每個存儲單元可存放一個八位二進制信息，通常用兩位16進制數(shù)來表示，這就是存儲器的內容。存儲器的存儲單元地址和存儲單元的內容是不同的兩個概念，不能混淆。
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主存儲器概述及優(yōu)化
快速讀寫快速頁式工作技術(動態(tài)存儲器的快速讀寫技術)：讀寫動態(tài)存儲器同一行的數(shù)據(jù)時，其行地址第一次讀寫時鎖定后保持不變，以后讀寫該行多列中的數(shù)據(jù)時，僅鎖存列地址即可，省去了鎖存行地址的時間，加快了主存儲器的讀寫速度。
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存儲單元概述
存儲單位：在存儲器中有大量的存儲元，把它們按相同的位劃分為組，組內所有的存儲元同時進行讀出或寫入操作，這樣的一組存儲元稱為一個存儲單元。一個存儲單元通常可以存放一個字節(jié);存儲單元是CPU訪問存儲器的基本單位。
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人工智能技術怎樣去突破算力極限
高級人工智能所需算力每三個半月就會翻一番 算法、數(shù)據(jù)和算力被視為推動人工智能發(fā)展的三大要素，其中算力更是被形容為支撐人工智能走向應用的“發(fā)動機”。人工智能研究組織OpenAI最近指出，“
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新趨勢！邊緣存儲助力物聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)各盡其用
物聯(lián)傳媒本文作者：露西Gartner曾預測，到2021年，40%的大型企業(yè)會將邊緣計算、存儲與分析納入項目范圍，而2017年這一比例僅為不到1%。時代的變化讓這兩個數(shù)據(jù)差異如此之大。如今5G已至，新基建加持，未來將有數(shù)百億的智能終端聯(lián)網(wǎng)，全球存儲空間恐將告急的擔憂已經(jīng)開始出現(xiàn)。但...
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1分鐘看懂，你的硬盤是如何儲存數(shù)據(jù)的？
這是你的個人電腦，里面的硬盤則是你的命根子，藏著你多年以來積累的文檔、照片、視頻和游戲。
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執(zhí)行下列單片機指令后各有關存儲單元內容填空
設內部RAM（30H）=5AH，（5AH）=40H，（40H）=00H，端口P1=7FH，問執(zhí)行下列指令后，各有關存儲單元（即R0，R1，A，B，P1，30H，40H及5AH單元）的內容如何？MOVR0,#30H;R0=30HMOVA,@R0;A=5AHMOVR1,A;R1=5AHMOVB,R1;B=
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嵌入式系統(tǒng)掉電保護的設計方案
在嵌入式系統(tǒng)設計過程中，系統(tǒng)的掉電保護越來越受到重視。本文介紹的方法是在用ARM7系列芯片S3C4510B和μClinux構建的嵌入式平臺上實現(xiàn)的。整個掉電保護實現(xiàn)的基本思路是
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SDRAM電路設計詳解
介紹SDRAM電路設計之前先了解下SDRAM的尋址原理。SDRAM內部是一個存儲陣列，可以把它想象成一個表格，和表格的檢索原理一樣，先指定行，再指定列，就可以準確找到所需要的存儲單元，這是內存芯片尋址
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三星電子宣布量產(chǎn)3bit 3D V-NAND閃存
近日消息，三星電子宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)用于固態(tài)硬盤的業(yè)內首個3bit MLC 3D V-NAND閃存。 三星電子存儲芯片營銷部門負責人韓宰洙高級副總裁表示：“通過推出一條全新的高性能高密度固態(tài)硬盤產(chǎn)品線，我們相信3bit V
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SSD前景因延遲和錯誤率蒙上陰影
加州大學和微軟的研究發(fā)現(xiàn)，隨著芯片尺寸縮小，NAND Flash記憶體會出現(xiàn)顯著的性能退化。當電路尺寸從今天的25nm縮小到6.5nm，SSD的延遲會增加一倍。加州大學的研究生Laura
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基于FPGA低成本數(shù)字芯片自動測試儀的完整方案
項目背景及可行性分析項目名稱：基于FPGA低成本數(shù)字芯片自動測試儀的研發(fā)研究目的：應用VertexⅡ Pro 開發(fā)板系統(tǒng)實現(xiàn)對Flash存儲器的功能測試。研究背景：隨著電路復雜程度
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鐵電存儲器的主要技術特點
電能表經(jīng)過一個世紀多的演進：由機械式電表到今日的各種不同型式的電子電能表，包含新的預付費電能表 復費率電能表以及具有雙向通訊能力的電子式電能表等，其提供的擴展功
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瑞薩電子推出全新的先進低功耗SRAM產(chǎn)品
進一步擴大先進低功耗 SRAM 產(chǎn)品陣營采用 110 納米工藝技術實現(xiàn)高軟錯誤免疫能力2013年9月24日，日本東京訊—全球領先的半導體及解決方案供應商瑞薩電子株式會社(TSE：
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宏力攜手同方量產(chǎn)0.13微米閃存存儲單元SIM卡
晶圓制造服務公司上海宏力半導體制造有限公司（以下簡稱“宏力半導體”）與國內主要的智能卡設計公司之一，北京同方微電子有限公司（以下簡稱“同方微電子”）共同宣布, 同方微電子采用宏力半導體0.13微米微縮版嵌入
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淺析存儲器數(shù)據(jù)的軟誤差率(SER)問題
軟誤差率(SER)問題是于上個世紀70年代后期作為一項存儲器數(shù)據(jù)課題而受到人們的廣泛關注的，當時DRAM開始呈現(xiàn)出隨機故障的征兆。隨著工藝幾何尺寸的不斷縮小，引起失調所需的臨界電荷的減少速度要比存儲單元中的電荷聚
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鐵電存儲器的技術特點簡介
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ARM指令里幾個特殊符號
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存儲器數(shù)據(jù)的軟誤差率(SER)問題介紹
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