
美光在 CES 2019 宣布,自駕車解決方案廠商 Mobileye 選擇美光存儲器,以推進(jìn)第 5 代 EyeQ 5 系統(tǒng)單芯片(SoC)EPM5 平臺發(fā)展,實(shí)現(xiàn)全自動駕駛。
三星電子表示,盈利下降部分原因是存儲器需求疲軟,四季度出貨量增長不及三季度;預(yù)計(jì)儲存器一季度還將延續(xù)這種態(tài)勢,但供需下半年將改善,公司業(yè)績料將隨之增強(qiáng);智能手機(jī)市場競爭加劇,盡管是銷售旺季,但銷量仍然陷入停滯。
說到STM32的FLSAH,我們的第一反應(yīng)是用來裝程序的,實(shí)際上,STM32的片內(nèi)FLASH不僅用來裝程序,還用來裝芯片配置、芯片ID、自舉程序等等。當(dāng)然, FLASH還可以用來裝數(shù)據(jù)。 自己收集了一些資料,現(xiàn)將這些資料總結(jié)了一下
分類:1 ROM (EPROM、EEPROM、NOR_Flash、NAND_Flash) 只讀存儲器,斷電后數(shù)據(jù)保存,以前ROM是只能讀取,不能擦寫的,隨著技術(shù)的發(fā)展,flash逐漸取代了rom,但功能上還沿用了rom的作用,所以把它歸為rom類。 2 RAM (
急劇下跌的存儲器價(jià)格、中美之間的貿(mào)易緊張關(guān)系,再加上各大存儲器廠商在策略應(yīng)對上因?yàn)橘Q(mào)易戰(zhàn)火所大刀砍下的資本支出預(yù)算,尤其是在先進(jìn)制程領(lǐng)域的存儲器制造商,甚至包括大陸晶圓廠以及部分7納米制程先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。
旺宏電子董事會決議通過明年新增資本支出新臺幣 8.65 億元(約1.9億人民幣),并繼續(xù)與 IBM 合作開發(fā)相變化存儲器。
日媒稱,全球半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售額2019年預(yù)計(jì)將出現(xiàn)4年來的首次下滑。其原因在于韓國和中國半導(dǎo)體制造廠商減少設(shè)備投資,也有意見指出這與美中貿(mào)易摩擦影響有關(guān)。
近來,DRAM和NAND Flash全球價(jià)格雙雙下跌。對于存儲芯片廠商來說,這個(gè)冬天不好過,有的緊衣縮食,有的報(bào)團(tuán)取暖。展望2019年,存儲器產(chǎn)業(yè)是否還會持續(xù)低迷?
12月24日,紫光存儲科技有限公司(以下簡稱“紫光存儲”)與群聯(lián)電子股份有限公司(以下簡稱“群聯(lián)電子”)在京簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議,宣布在存儲產(chǎn)品供應(yīng)鏈、產(chǎn)品設(shè)計(jì)、代工生產(chǎn)等領(lǐng)域全面深化合作,建立密切的合作伙伴關(guān)系,充分發(fā)揮各自行業(yè)優(yōu)勢,共同促進(jìn)雙方的業(yè)務(wù)發(fā)展和產(chǎn)品延伸,實(shí)現(xiàn)生態(tài)共贏。群聯(lián)電子董事長潘健成、紫光集團(tuán)全球執(zhí)行副總裁兼紫光存儲董事長馬道杰、紫光存儲總裁任奇?zhèn)サ入p方高層出席了簽約儀式。
分析師補(bǔ)充指出,銷售額估計(jì)為63.8萬億韓元,年減3.2%,上一季的銷售額,65.46萬億韓元,三星預(yù)計(jì)于1月初公布其第4季初步財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)。
全球半導(dǎo)體市場自2017年以后,一直由智能手機(jī)和數(shù)據(jù)中心使用的半導(dǎo)體存儲器拉動增長,實(shí)現(xiàn)了罕見的高增長。半導(dǎo)體廠商也增加投資。
近日,根據(jù)韓國媒體《BusinessKorea》報(bào)道,為強(qiáng)化韓國半導(dǎo)體實(shí)力,韓國政府正在推出一項(xiàng)大型的半導(dǎo)體制造集群計(jì)劃,該項(xiàng)計(jì)劃將由 4 家大型半導(dǎo)體制造商,以及大約50 家的上下游零組件或設(shè)備生產(chǎn)廠商來整合執(zhí)行,韓國政府預(yù)計(jì)該計(jì)劃在10 年內(nèi)將投入金額約120 兆韓元(約人民幣7334億元 )。其中,韓國存儲器大廠SK 海力士將在這個(gè)半導(dǎo)體制造集群中投資興建一座新的半導(dǎo)體工廠。
首先介紹下TI的M25P16,它是16Mbit(2Mbyte)的FLASH存儲器,與常用的華邦公司的W25X16,ATMEL公司的AT51DB161比較接近。最高支持50M的SPI時(shí)鐘,存儲器可以以1到256字節(jié)byte,使用頁編程操作將2M的容量分為32個(gè)塊(Blo
CPU對于內(nèi)存的讀寫是通過導(dǎo)線和內(nèi)存進(jìn)行傳輸數(shù)據(jù),這些導(dǎo)線和平常電子元件常見的銅線一樣只是做的細(xì)罷了,這些導(dǎo)線在一起通常成為總線,為了區(qū)分這些總線傳輸?shù)膬?nèi)容邏輯上分為3類,地址總線(傳輸?shù)氖莾?nèi)存地址)
TrendForce存儲器研究(DRAMeXchange)分析,中美貿(mào)易沖擊升溫、英特爾CPU缺貨、蘋果新機(jī)出貨量不如預(yù)期等3大因素沖擊,造成NAND Flash旺季不旺,展望明年上半年供過于求的情況恐更加顯著,價(jià)格跌勢難止,預(yù)估第1季NAND合約價(jià)將再進(jìn)一步走跌,跌幅約10%。
存儲器:用來存放計(jì)算機(jī)中的所有信息:包括程序、原始數(shù)據(jù)、運(yùn)算的中間結(jié)果及最終結(jié)果等。只讀存儲器(ROM):只讀存儲器在使用時(shí),只能讀出而不能寫入,斷電后ROM中的信息不會丟失。因此一般用來存放一些固定程序,
存儲器市場正面臨景氣反轉(zhuǎn)的憂慮。日前,外資花旗銀行在一份報(bào)告中表示,2019 年在 NAND Flash 方面將會降價(jià) 45%,而 DRAM 方面則會降價(jià) 30%,這樣的情況至少會持續(xù)到年中。
內(nèi)存和外存的概念內(nèi)存內(nèi)存指 內(nèi)部存儲器,運(yùn)行程序的地方 RAM外存外存指 外部存儲器, 保存數(shù)據(jù)或者文件的地方 ROMCPU連接內(nèi)存和外存的方式內(nèi)存通過數(shù)據(jù)總線和地址總線直接和CPU 相連接。好處 : 訪問速度快,操作方
當(dāng)我們在完成某一個(gè)實(shí)驗(yàn),當(dāng)我們正慶幸的時(shí)候,我們不由得產(chǎn)生一種不安的想法——我們是否已經(jīng)少許明白其中的種種細(xì)節(jié)?尤其,當(dāng)我們所有的事情都依賴于編譯環(huán)境或Firmware,抑或他人的程序,而自己僅僅是Copy和Modi
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣轉(zhuǎn)弱又出現(xiàn)新信號!韓國媒體報(bào)導(dǎo),三星電子宣稱引進(jìn)的EUV設(shè)備數(shù)量已經(jīng)足夠應(yīng)付現(xiàn)況,預(yù)計(jì)明年不會購買EUV(極紫外線)設(shè)備,未來若要持續(xù)引進(jìn),將會評估2020年晶圓代工和存儲器半導(dǎo)體部門的訂單再做決定。