旺宏電子董事會決議通過明年新增資本支出新臺幣 8.65 億元(約1.9億人民幣)，并繼續(xù)與 IBM 合作開發(fā)相變化存儲器。

盡管存儲器行情明年不被看好，但旺宏對于未來展望仍審慎樂觀，預(yù)期高端快閃型存儲器如 NOR Flash 等市場仍會持續(xù)成長，產(chǎn)品價(jià)格應(yīng)還算穩(wěn)定。且在今年 10 月底通過資本支出預(yù)算為新臺幣 142 億元，自第 4 季起開始投資，以提升公司 12 英寸晶圓廠高端產(chǎn)能及研發(fā)需求。

董事長吳敏求于此前法說會時(shí)曾強(qiáng)調(diào)，將把制程從 36 納米升級至 19 納米，以強(qiáng)化 NAND Flash 的競爭力。且自 2001 年開始，旺宏就已成立前瞻技術(shù)實(shí)驗(yàn)室，并且投入相變化存儲器的研發(fā)，2004 年與 IBM 簽署「合作研發(fā)相變化非揮發(fā)性存儲器」聯(lián)盟協(xié)定，如今過了十幾年，仍然沒有放棄。

相變化存儲器(Phase-change memory，PCM)是一種非揮發(fā)性存儲器裝置，其特色是使用硫族化物玻璃(Chalcogenide glass)制成。硫?qū)俨ＡУ奶匦允峭高^改變溫度可以成為晶體或非晶體并具有不同的電阻，以此來儲存不同的數(shù)值，是未來可能取代快閃存儲器的技術(shù)之一，目前許多國際大廠如英特爾、三星等都有投入研發(fā)。

IBM 指出，PCM 的速度比現(xiàn)有的快閃存儲器快近百倍，而讀寫次數(shù)甚至可達(dá)千萬次，而英特爾和美光在近年所推出的 3D Xpoint 技術(shù)更號稱是比閃存快 1,000 倍的技術(shù)。目前 PCM 的試驗(yàn)品已展現(xiàn)出極佳的性能，尤其是制程的進(jìn)步將使 PCM 技術(shù)趨于成熟，但降低成本恐怕才是最大的挑戰(zhàn)。目前在中國方面也有消息稱，江蘇時(shí)代芯存半導(dǎo)體即將于明年第一季量產(chǎn) PCM 存儲器。

雖然 PCM 存儲器技術(shù)看似即將成熟，但到普及恐怕還需要一點(diǎn)時(shí)間，但為了因應(yīng)新興科技的發(fā)展，高速儲存裝置仍然是不可或缺的技術(shù)，也是市場關(guān)注的焦點(diǎn)。旺宏表示，記憶形式的儲存級存儲器是未來的趨勢。