單片機存儲器類型分析

data-----指單片機內(nèi)部自帶RAM空間xdata----指單片機外擴RAM空間pdata----指單片機外擴RAM空間中的頁面空間0x00~0xff（256字節(jié)/頁），頁地址由P2口決定。bit--------指RAM中位尋址空間0x20~0x7f地址單元。code-----指

鐵電存儲器在應用中所起的作用

8051單片機存儲器的組織結(jié)構(gòu)是怎樣的？

8051存儲器包括程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器，從邏輯結(jié)構(gòu)上看，可以分為三個不同的空間：（1）64KB的程序存儲器地址空間：0000H~FFFFH，其中0000H~0FFFH為片內(nèi)4KB的ROM地址空間，1000H~FFFFH為外部ROM地址空間；（2）256B

利用永久性存儲器實現(xiàn)智能汽車功能的全面調(diào)用

捍衛(wèi)存儲器高毛利 SK海力士轉(zhuǎn)戰(zhàn)HBM

存儲器業(yè)經(jīng)歷大多頭的牛市之后，是否即將回檔，各方爭辯不休。韓廠SK海力士加快腳步增產(chǎn)高頻寬存儲器(HBM)，期盼能以技術(shù)拉開和對手的差距，維持高毛利。BusinessKorea 6日報導，中國大力發(fā)展半導體，各界憂慮存儲器未來將陷入供給過盛。SK海力士未雨綢繆，轉(zhuǎn)向發(fā)展HBM，此種芯片可用于人工智能(AI)加速器和服務器，進入門檻較高、價格也高于一般通用型芯片。

臺積電慌了！三星攜手ARM優(yōu)化7納米及5納米制程芯片

雖然2018年包括臺積電、三星、格羅方德都要導入7納米制程技術(shù)。其中，三星為了追趕臺積電，還在首代的7納米(LPP)制程中導入EUV技術(shù)。不過，臺積電也非省油的燈，除了積極布局7納米制程技術(shù)之外，2018年初也已經(jīng)宣布在南科啟動5納米建廠計劃，正式投入5納米制程的研發(fā)。因此，三星為了能縮減與臺積電的差距，5日正式宣布攜手知識產(chǎn)權(quán)大廠安謀(ARM)，雙方協(xié)議將進一步優(yōu)化7納米及5納米制程芯片。

斥資80億！華天科技擬在南京開發(fā)區(qū)投建集成電路先進封測產(chǎn)業(yè)基地

華天科技7月6日晚間發(fā)布公告，公司擬在南京浦口經(jīng)濟開發(fā)區(qū)投資建設南京集成電路先進封測產(chǎn)業(yè)基地項目。公司與南京浦口經(jīng)濟開發(fā)區(qū)管理委員會于2018年7月6日簽訂南京集成電路先進封測產(chǎn)業(yè)基地項目《投資協(xié)議》。項目總投資80億元，分三期建設，主要進行存儲器、MEMS、人工智能等集成電路產(chǎn)品的封裝測試。

MCS-51單片數(shù)據(jù)存儲器RAM的擴展應用實例

RAM是用來存放各種數(shù)據(jù)的，MCS-51系列8位單片機內(nèi)部有128 B RAM存儲器，CPU對內(nèi)部RAM具有豐富的操作指令。但是，當單片機用于實時數(shù)據(jù)采集或處理大批量數(shù)據(jù)時，僅靠片內(nèi)提供的RAM是遠遠不夠的。此時，

基于AT89S51的程序存儲器的操作時序

　　1．訪問程序存儲器的控制信號　　　　AT89S51單片機訪問片外擴展的程序存儲器時，所用的控制信號有以下3種?！　　　?1) ALE——用于低8位地址鎖存控制?！　　　?2) PSEN（的反）——片外程序存儲

MCU--51單片機CPU和存儲器

單片機8051的CPU由運算器和控制器組成。 一、運算器 運算器以完成二進制的算術(shù)/邏輯運算部件ALU為核心，再加上暫存器TMP、累加器ACC、寄存器B、程序狀態(tài)標志寄存器PSW及布爾處理器。累加器ACC是一個

存儲器功能的數(shù)字溫度計－DS1624技術(shù)應用與原理分析

1．DS1624基本原理　　 DS1624是美國DALLAS公司生產(chǎn)的集成了測量系統(tǒng)和存儲器于一體的芯片。數(shù)字接口電路簡單，與I2C總線兼容，且可以使用一片控制器控制多達8片的DS1624。其數(shù)字溫度輸出達13位，精度為

FinFET存儲器的設計、測試 和修復方法

同任何IP模塊一樣，存儲器必須接受測試。但與很多別的IP模塊不同，存儲器測試不是簡單的通過/失敗檢測。存儲器通常都設計了能夠用來應對制程缺陷的冗余行列，從而使片上系統(tǒng)(SoC)良率提高到90%或更高。

TMS320C32的存儲器接口設計

1 TMS320C32的外部存儲器接口的特點 　　TMS320C32是一個32位微處理器，它可以通過24位地址總線、32位數(shù)據(jù)總線和選通信號對外部存儲器進行訪問。其外部存儲器接口結(jié)構(gòu)如下圖l所示。

大容量存儲器集成電路測試

　　大容量存儲器集成電路的測試系統(tǒng)是科技型中小企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新基金項目,是根據(jù)大容量存儲器集成電路SDRAM、DDR SDRAM和：flash RAM的發(fā)展趨勢而研究開發(fā)的測試系統(tǒng)。方案的主要內(nèi)容為測試方法和測試程序

關于STM32的存儲器映像

1. 外設存儲器映像外設的基地址：響應外設的存儲器起始地址+地址偏移（參見STM32參考手冊存儲器影響部分和相應的外設存儲器）2. SRAM STM32F10xxx 內(nèi)置20K 字節(jié)的靜態(tài)SRAM。它可以以字節(jié)、半字(16 位)或

學嵌入式應該知道的基礎知識框架整理

以應用為中心，以計算機技術(shù)為基礎，且軟硬件可裁減，適應應用系統(tǒng)對功能、可靠性、成本、體積、功耗的嚴格要求的專用計算機系統(tǒng)。

基于DSP的外部Flash存儲器在線編程的軟硬件設計

隨著嵌入式系統(tǒng)向體積更小、性能更高的方向發(fā)展，傳統(tǒng)的DIP(雙列直插)集成電路因體積龐大、元器件I／O引腳數(shù)量受封裝限制等缺陷，已逐漸淡出人們的視線。在嵌入式產(chǎn)品設計中，大量采用SMT貼片元器.

基于JTAG口對DSP外部Flash存儲器的在線編程設計

在采用TI數(shù)字信號處理器（DSP）的嵌放式硬件系統(tǒng)開發(fā)完成，軟件也有CCS2.0集成開發(fā)環(huán)境下仿真測試通過后，怎樣將編譯、鏈接后生成的可執(zhí)行文件（.Out），經(jīng)過轉(zhuǎn)換后的十六進制文。

短期內(nèi)中國大陸集成電路制造業(yè)仍系于中芯國際與存儲器族群

中國大陸存儲器業(yè)者的生產(chǎn)計劃包括福建晉華、合肥長鑫、長江存儲、紫光集團，預定投產(chǎn)時間介于2018年下半年-2019年，主要產(chǎn)品包括DRAM、利基型存儲器、NAND Flash，初期產(chǎn)能介于2-5萬片，未來最大產(chǎn)能可望上沖4-10萬片，中長期計劃更將擴大至12.5-30萬片的規(guī)模。但是由于短期內(nèi)國際購并案推行不易，技術(shù)、人才取得受阻，導致短期內(nèi)中國大陸發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)仍需克服專利及人力等重重障礙。

基于DSP的存儲器共享與快速訪問技術(shù)設計

本文介紹了在多個DSP之間或者DSP與其他CPU之間存儲器共享技術(shù)的基本設計方法，重點介紹了如何在設計上提高存儲器的訪問速度和克服訪問競爭的方法。在多任務信號處理系統(tǒng)中，為了提高信號的處理速度。