
NAND Flash存儲器是一種具有高速讀寫、高存儲密度和低功耗的存儲器技術,廣泛應用于各種電子設備和系統(tǒng)中。在電路系統(tǒng)的設計中,基于NAND Flash存儲器的應用可以提供可靠的數(shù)據(jù)存儲和高效的數(shù)據(jù)讀寫,為系統(tǒng)的性能和功能提供了良好的支持。本文將介紹如何基于NAND Flash存儲器實現(xiàn)電路系統(tǒng)的設計。
NAND Flash存儲器是一種非易失性存儲器,廣泛應用于各種電子設備中,如智能手機、平板電腦、數(shù)碼相機等。它的高性能、高存儲密度和低功耗使其成為現(xiàn)代電子設備的理想選擇。本文將詳細介紹NAND Flash存儲器的工作原理及其應用。
我們已經(jīng)知道了CPU如何通過總線進行存儲器的讀寫,也知道地址總線的寬度決定了CPU的尋址空間,數(shù)據(jù)總線的寬度則決定了CPU的位數(shù)(單次能夠讀寫的數(shù)據(jù)量),而控制總線在一定程度上影響了訪存的速度(WR與RD為0的時間越短,訪存速度越快,當然也要存儲器速度跟得上才行)。有了CPU和存儲器,以及連接它們的總線,這就足以構成一個完整的、可正常運行的計算機系統(tǒng)。
Flash存儲器是一種非易失性存儲設備,常用于嵌入式設備、移動設備和計算機存儲系統(tǒng)中。它具有高速讀寫、低功耗、機械抗振動和可靠性好等優(yōu)點,因此在現(xiàn)代科技應用中發(fā)揮著重要作用。本文將詳細介紹Flash存儲器的在線編程與數(shù)據(jù)寫入的過程。
隨著信息時代的快速發(fā)展,存儲器技術也不斷進步。其中,F(xiàn)lash存儲器作為一種重要的存儲介質(zhì)已經(jīng)廣泛應用于各個領域。本文將為您詳細介紹Flash存儲器的應用原理以及其常見的類型。
FIFO(First In, First Out)存儲器是一種常見的存儲器類型,它具有以下特點,并在實際應用中發(fā)揮著重要的作用。
隨著科技的不斷進步,F(xiàn)lash存儲器作為一種重要的存儲技術逐漸得到廣泛應用。它的高速、穩(wěn)定和高密度的特點,使得它在多個領域都有重要的應用。本文將著重介紹Flash存儲器在電子產(chǎn)品、計算機系統(tǒng)和嵌入式系統(tǒng)等多個方面的應用。
Flash存儲器,也稱為閃存存儲器,是一種非易失性存儲器(Non-Volatile Memory,NVM),用于在設備斷電后仍然能夠保持存儲的數(shù)據(jù)。它的名稱來源于一種稱為“閃存技術”的特殊電子存儲技術。Flash存儲器的基本工作原理是通過多層存儲單元的電荷累積和流動來存儲和擦除數(shù)據(jù)。每個存儲單元由一個FET(場效應晶體管)和一個電荷貯存器組成,電荷貯存器內(nèi)累積的電荷表示二進制數(shù)據(jù)的不同狀態(tài),通常是0和1。當需要修改某個存儲單元的值時,F(xiàn)lash存儲器可以通過向其中注入或者釋放電荷來改變其電荷狀態(tài)。
寄存器是計算機中一種用于暫存數(shù)據(jù)的高速存儲器,也是計算機體系結構中的重要組成部分。它們通常被集成在中央處理器(CPU)內(nèi)部,用于存儲和處理指令執(zhí)行過程中的數(shù)據(jù)。
在現(xiàn)代計算機技術中,存儲器(Memory)是一種用于存儲和讀取數(shù)據(jù)的設備或設備集合。它可以被看作是計算機的大腦,用于存儲和處理各種數(shù)據(jù)和指令。在計算機中,存儲器被分為主存儲器(Main Memory)和輔助存儲器(Secondary Storage)。主存儲器是計算機的內(nèi)部存儲器,用于保存當前運行的程序和相關數(shù)據(jù)。它的特點是數(shù)據(jù)讀寫速度較快,但容量有限。而輔助存儲器則用于長期存儲數(shù)據(jù),例如硬盤、光盤、磁帶等。輔助存儲器的優(yōu)勢是容量大,但讀寫速度相對較慢。
如果把CPU看作“帝都”,存儲器看作是“衛(wèi)城”,它們之間要互通往來,就必然要修建道路,而這條道路又可以不斷延伸分支,將很多城市串連起來。這樣,城市兩兩之間便均可通行。這條“道路”就是總線!如圖1.11所示。(這些被串連起來的“城市”就猶如振南后面要講到的“CPU外設”)。
51單片機的 RAM 分為兩個部分,一塊是片內(nèi) RAM,一塊是片外 RAM。標準 51 的片內(nèi) RAM 地址 從 0x00H~0x7F 共 128 個字節(jié),而現(xiàn)在我們用的 51 系列的單片機都是帶擴展片內(nèi) RAM 的,即 RAM 是從 0x00~0xFF 共 256 個字節(jié)。片外 RAM 最大可以擴展到 0x0000~0xFFFF 共 64K 字 節(jié)。這里有一點大家要明白,片內(nèi) RAM 和片外 RAM 的地址不是連起來的,片內(nèi)是從 0x00 開始, 片外也是從 0x0000 開始的。還有一點,片內(nèi)和片外這兩個名詞來自于早期的 51 單片機,分別指在 芯片內(nèi)部和芯片外部,但現(xiàn)在幾乎所有的 51 單片機芯片內(nèi)部都是集成了片外 RAM 的,而真正的芯 片外擴展則很少用到了,雖然它還叫片外 RAM,但實際上它現(xiàn)在也是在單片機芯片內(nèi)部的.但是單片機的這 512 字節(jié)的 RAM在地位上并不都是平等的,而是分塊的,塊與塊之間在物理結構和 用法上都是有區(qū)別的,因此我們在使用的時候,也要注意一些問題。
MCS-51單片機是美國INTE公司于1980年推出的產(chǎn)品,與MCS-48單片機相比,它的結構更先進,功能更強,在原來的基礎上增加了更多的電路單元和指令,指令數(shù)達111條,MCS-51單片機可以算是相當成功的產(chǎn)品,一直到現(xiàn)在,MCS-51系列或其兼容的單片機仍是應用的主流產(chǎn)品,各高校及專業(yè)學校的培訓教材仍與MCS-51單片機作為代表進行理論基礎學習。我們也以這一代表性的機型進行系統(tǒng)的講解。
為增進大家對存儲器的認識,本文將對虛擬存儲器以及虛擬存儲器的特征予以介紹。
為增進大家對存儲器的認識,本文將對存儲器的工作原理以及非易失性存儲器的具體類型予以介紹。
為增進大家對存儲器的認識,本文將對存儲器涉及的相關名詞以及單片機中包含的存儲器種類予以介紹。
4月27日,上海復旦微電子集團股份有限公司推出了FM25/FM29系列SLC NAND,F(xiàn)M24N/FM24LN/FM25N高可靠、超寬壓系列EEPROM,以及符合AEC-Q100的車規(guī)FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發(fā)存儲新產(chǎn)品。
為增進大家對存儲器的認識,本文將對虛擬存儲器、虛擬存儲器對換技術、虛擬存儲器限制予以介紹。
為增進大家對存儲器的認識,本文將對高速緩沖存儲器、高速緩沖存儲器的作用、高速緩沖存儲器的特點予以介紹。
為增進大家對存儲器的認識,本文將對存儲器以及隨機存取存儲器的諸多特點予以介紹。