
在人工智能、自動駕駛、邊緣計算等新興應用的驅(qū)動下,計算系統(tǒng)對存儲體系的速度、功耗與穩(wěn)定性提出了更高要求。傳統(tǒng)由SRAM、DRAM構成的高速緩存層級,因易失性、高功耗、集成度瓶頸等問題,逐漸難以滿足“后DRAM時代”的發(fā)展需求。磁阻隨機存取存儲器(MRAM)作為兼具高速、低功耗與非易失性的新型存儲技術,憑借其獨特的技術優(yōu)勢,正成為重構各級高速緩存架構的理想候選方案,為存儲體系變革注入新活力。
在數(shù)字時代,存儲器是電子設備的核心基石,而數(shù)據(jù)在斷電后的存續(xù)能力與訪問效率,始終是行業(yè)追求的核心目標。傳統(tǒng)隨機存取存儲器(RAM)雖具備高速讀寫優(yōu)勢,卻因易失性缺陷,斷電后數(shù)據(jù)即刻丟失,需依賴額外存儲介質(zhì)備份;非易失性存儲器如Flash、EEPROM雖能保存數(shù)據(jù),卻存在讀寫速度慢、擦寫壽命短等瓶頸。如今,新型RAM融合超級電容(超容)技術與創(chuàng)新存儲原理,成功打破這一固有矛盾,實現(xiàn)斷電時數(shù)據(jù)安全留存,為存儲領域帶來顛覆性變革。
SST創(chuàng)新的ESF4技術結合UMC 28HPC+工藝,為汽車控制器提供完整的車規(guī)1級性能與可靠性,同時大幅減少掩模工序
Jan. 15, 2026 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新智能手機研究,自2025年下半年起,手機市場面臨存儲器供給吃緊、價格飆漲的雙重壓力,導致終端產(chǎn)品價格上調(diào)、需求轉弱等連鎖反應。盡管各品牌目前尚未顯著下修2026年第一季生產(chǎn)計劃,但預估在此輪新機不堪成本壓力而進行終端售價調(diào)漲的影響下,品牌生產(chǎn)表現(xiàn)將于第二季開始明顯走弱。
在信息化戰(zhàn)爭形態(tài)加速演變的背景下,電子戰(zhàn)系統(tǒng)正經(jīng)歷從傳統(tǒng)信號對抗向智能認知戰(zhàn)的跨越式發(fā)展。數(shù)字射頻存儲器(Digital Radio Frequency Memory, DRFM)作為第三代電子戰(zhàn)技術的核心器件,其通過將射頻信號數(shù)字化存儲與實時處理的能力,徹底改變了傳統(tǒng)電子戰(zhàn)裝備的戰(zhàn)術應用模式。
根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查,2026年第一季由于DRAM原廠大規(guī)模轉移先進制程、新產(chǎn)能至Server、HBM應用,以滿足AI Server需求,導致其他市場供給嚴重緊縮,預估整體一般型DRAM(Conventional DRAM)合約價將季增55-60%。NAND Flash則因原廠控管產(chǎn)能,和Server強勁拉貨排擠其他應用,預計各類產(chǎn)品合約價持續(xù)上漲33-38%。
Dec. 30, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查,在整體經(jīng)濟復蘇力道有限、消費行為趨于保守的背景下,快速上升的存儲器價格正持續(xù)侵蝕筆電品牌的獲利及定價彈性。因此,TrendForce集邦咨詢再度下調(diào)2026年全球筆電出貨預估至年減5.4%,降至近1.73億臺,以反映品牌面對成本壓力擴大,對庫存、促銷與產(chǎn)品配置采取的保守態(tài)度。
在5G通信、工業(yè)控制等高性能嵌入式系統(tǒng)中,Cyclone V FPGA憑借其低功耗與高性價比特性成為主流選擇。其片上存儲器資源(M10K和MLAB)的優(yōu)化配置直接影響系統(tǒng)性能與資源利用率。本文基于Quartus Prime工具鏈,結合Cyclone V器件特性,提出一套從代碼級到架構級的存儲器優(yōu)化與布局策略。
在醫(yī)療技術向精準化、便攜化轉型的浪潮中,便攜式醫(yī)療刺激系統(tǒng)正重塑康復治療與慢病管理模式。從輔助神經(jīng)康復的便攜式神經(jīng)刺激儀,到維持心臟節(jié)律的植入式心臟刺激器,這類設備需實時捕獲生理數(shù)據(jù)、執(zhí)行復雜刺激算法,對數(shù)據(jù)存儲的可靠性、時效性和低功耗特性提出了極致要求。FRAM(鐵電隨機存取存儲器)憑借其獨特的鐵電存儲原理,突破傳統(tǒng)存儲器技術瓶頸,成為便攜式醫(yī)療刺激系統(tǒng)的理想存儲解決方案,為醫(yī)療設備的性能升級注入關鍵動力。
在本節(jié)中使用了列0的SHIM DMA(0,0), MEM Tile(0,1)和Core(0,2)。存儲在L3存儲器上的一組預定義數(shù)據(jù)流進入NPU復合體。數(shù)據(jù)通過MEM內(nèi)存從SHM DMA路由到Core,然后路由回來。接收到的輸出流被捕獲并與參考進行比較。
全新的OP03021全彩場序LCOS面板是目前市場上唯一一款將陣列、驅(qū)動器和存儲器集成到超低功耗單芯片架構中的智能眼鏡解決方案
Dec. 10, 2025 ---- 據(jù)新華社報道,美國將允許NVIDIA(英偉達)向中國出口H200芯片,TrendForce集邦咨詢表示,H200效能較H20大幅提升,對終端客戶具有吸引力,若2026年能順利銷售,預期中國CSP(云端服務業(yè)者)、OEM皆有望積極采購。
Dec. 2, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布報告,受到存儲器價格飆漲影響,消費性電子產(chǎn)品整機成本大幅拉升,并迫使終端產(chǎn)品定價上調(diào),進而沖擊消費市場。TrendForce集邦咨詢繼11月上旬下修2026年全球智能手機及筆電的生產(chǎn)出貨預測后,此次也下修游戲主機2026年出貨預測,從原先預估的年減3.5%調(diào)降至年減4.4%。
存儲器是一種用于存儲數(shù)據(jù)的集成電路。存儲器的架構可以分為靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)和動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)等類型。
2025年11月19日,中國– 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics,簡稱ST) (紐約證券交易所代碼:STM) 發(fā)布了新一代高性能微控制器(MCU)STM32V8。為要求嚴苛的工業(yè)應用專門設計,STM32V8在意法半導體位于法國克羅勒300毫米晶圓廠生產(chǎn),采用意法半導體18納米先進工藝制造,并集成優(yōu)異的嵌入式相變存儲器 (PCM),,同時該系列產(chǎn)品還在三星晶圓代工廠生產(chǎn)。STM32產(chǎn)品家族應用廣泛,被全球數(shù)十億臺產(chǎn)品設備采用,涵蓋消費電子產(chǎn)品、家用電器、工業(yè)應用、醫(yī)療設備、通信節(jié)點等領域。
Nov. 17, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示,2026年全球市場仍面臨不確定性,通脹持續(xù)干擾消費市場表現(xiàn),更關鍵的是,存儲器步入強勁上行周期,導致整機成本上揚,并將迫使終端定價上調(diào),進而沖擊消費市場?;诖?,TrendForce集邦咨詢下修2026年全球智能手機及筆電的生產(chǎn)出貨預測,從原先的年增0.1%及1.7%,分別調(diào)降至年減2%及2.4%。此外,若存儲器供需失衡加劇,或終端售價上調(diào)幅度超出預期,生產(chǎn)出貨預測仍有進一步下修風險。
Nov. 13, 2025 ----- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示,隨著存儲器平均銷售價格(ASP)持續(xù)提升,供應商獲利也有所增加,DRAM與NAND Flash后續(xù)的資本支出將會持續(xù)上漲,但對于2026年的位元產(chǎn)出成長的助力有限。DRAM和NAND Flash產(chǎn)業(yè)的投資重心正逐漸轉變,從單純地擴充產(chǎn)能,轉向制程技術升級、高層數(shù)堆棧、混合鍵合以及HBM等高附加價值產(chǎn)品。
EEPROM是一項成熟的非易失性存儲(NVM)技術,其特性對當今的尖端應用的發(fā)展具有非常重要的意義。意法半導體(ST)是全球EEPROM芯片知名廠商和存儲器產(chǎn)品和工藝創(chuàng)新名企之一,其連接安全產(chǎn)品部綜合市場業(yè)務線總監(jiān) Sylvain Fidelis在本文中介紹了NVM技術的核心優(yōu)勢,以及讓EEPROM成為當前和未來工程師的首選存儲器的關鍵因素。
在實時圖像處理系統(tǒng)中,F(xiàn)PGA憑借其并行處理能力和低延遲特性,成為構建高性能視覺處理系統(tǒng)的核心器件。然而,高分辨率視頻流(如8K@60fps)的數(shù)據(jù)吞吐量高達48Gbps,對存儲器映射和幀緩存管理提出了嚴峻挑戰(zhàn)。本文將深入探討FPGA中基于動態(tài)存儲器的幀緩存架構優(yōu)化,以及行緩存與FIFO的協(xié)同設計策略。
在醫(yī)療技術持續(xù)進步的當下,便攜式醫(yī)療刺激系統(tǒng)憑借其便捷性、可移動性以及能為患者提供實時監(jiān)測與治療的優(yōu)勢,應用范圍不斷拓展。從常見的便攜式神經(jīng)刺激儀輔助康復治療,到植入式心臟刺激器維持心臟正常節(jié)律,這類系統(tǒng)正深刻改變醫(yī)療模式,提升患者生活質(zhì)量與醫(yī)療效率。