存儲(chǔ)器
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磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)的新型存儲(chǔ)技術(shù)
在人工智能、自動(dòng)駕駛、邊緣計(jì)算等新興應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)下，計(jì)算系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)體系的速度、功耗與穩(wěn)定性提出了更高要求。傳統(tǒng)由SRAM、DRAM構(gòu)成的高速緩存層級(jí)，因易失性、高功耗、集成度瓶頸等問題，逐漸難以滿足“后DRAM時(shí)代”的發(fā)展需求。磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)作為兼具高速、低功耗與非易失性的新型存儲(chǔ)技術(shù)，憑借其獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，正成為重構(gòu)各級(jí)高速緩存架構(gòu)的理想候選方案，為存儲(chǔ)體系變革注入新活力。
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新型RAM借力超容技術(shù)實(shí)現(xiàn)斷電數(shù)據(jù)永存，存儲(chǔ)領(lǐng)域迎來革命性突破
在數(shù)字時(shí)代，存儲(chǔ)器是電子設(shè)備的核心基石，而數(shù)據(jù)在斷電后的存續(xù)能力與訪問效率，始終是行業(yè)追求的核心目標(biāo)。傳統(tǒng)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)雖具備高速讀寫優(yōu)勢(shì)，卻因易失性缺陷，斷電后數(shù)據(jù)即刻丟失，需依賴額外存儲(chǔ)介質(zhì)備份;非易失性存儲(chǔ)器如Flash、EEPROM雖能保存數(shù)據(jù)，卻存在讀寫速度慢、擦寫壽命短等瓶頸。如今，新型RAM融合超級(jí)電容(超容)技術(shù)與創(chuàng)新存儲(chǔ)原理，成功打破這一固有矛盾，實(shí)現(xiàn)斷電時(shí)數(shù)據(jù)安全留存，為存儲(chǔ)領(lǐng)域帶來顛覆性變革。
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冠捷半導(dǎo)體(SST)與聯(lián)華電子(UMC)宣布28納米SuperFlash?第四代車規(guī)1級(jí)平臺(tái)即日投產(chǎn)
SST創(chuàng)新的ESF4技術(shù)結(jié)合UMC 28HPC+工藝，為汽車控制器提供完整的車規(guī)1級(jí)性能與可靠性，同時(shí)大幅減少掩模工序
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TrendForce集邦咨詢: 新機(jī)調(diào)價(jià)抑制銷售需求，2026年第二季度起智能手機(jī)生產(chǎn)承壓明顯
Jan. 15, 2026 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新智能手機(jī)研究，自2025年下半年起，手機(jī)市場(chǎng)面臨存儲(chǔ)器供給吃緊、價(jià)格飆漲的雙重壓力，導(dǎo)致終端產(chǎn)品價(jià)格上調(diào)、需求轉(zhuǎn)弱等連鎖反應(yīng)。盡管各品牌目前尚未顯著下修2026年第一季生產(chǎn)計(jì)劃，但預(yù)估在此輪新機(jī)不堪成本壓力而進(jìn)行終端售價(jià)調(diào)漲的影響下，品牌生產(chǎn)表現(xiàn)將于第二季開始明顯走弱。
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超詳細(xì)解析：數(shù)字射頻存儲(chǔ)器（DRFM）在電子戰(zhàn)中的應(yīng)用
在信息化戰(zhàn)爭(zhēng)形態(tài)加速演變的背景下，電子戰(zhàn)系統(tǒng)正經(jīng)歷從傳統(tǒng)信號(hào)對(duì)抗向智能認(rèn)知戰(zhàn)的跨越式發(fā)展。數(shù)字射頻存儲(chǔ)器(Digital Radio Frequency Memory, DRFM)作為第三代電子戰(zhàn)技術(shù)的核心器件，其通過將射頻信號(hào)數(shù)字化存儲(chǔ)與實(shí)時(shí)處理的能力，徹底改變了傳統(tǒng)電子戰(zhàn)裝備的戰(zhàn)術(shù)應(yīng)用模式。
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TrendForce集邦咨詢: 原廠產(chǎn)能傾向Server應(yīng)用，2026年第一季度各類存儲(chǔ)器產(chǎn)品價(jià)格全面持續(xù)上漲
根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2026年第一季由于DRAM原廠大規(guī)模轉(zhuǎn)移先進(jìn)制程、新產(chǎn)能至Server、HBM應(yīng)用，以滿足AI Server需求，導(dǎo)致其他市場(chǎng)供給嚴(yán)重緊縮，預(yù)估整體一般型DRAM(Conventional DRAM)合約價(jià)將季增55-60%。NAND Flash則因原廠控管產(chǎn)能，和Server強(qiáng)勁拉貨排擠其他應(yīng)用，預(yù)計(jì)各類產(chǎn)品合約價(jià)持續(xù)上漲33-38%。
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TrendForce集邦咨詢: 下調(diào)2026年全球筆電出貨量預(yù)估年減至5.4%
Dec. 30, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，在整體經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇力道有限、消費(fèi)行為趨于保守的背景下，快速上升的存儲(chǔ)器價(jià)格正持續(xù)侵蝕筆電品牌的獲利及定價(jià)彈性。因此，TrendForce集邦咨詢?cè)俣认抡{(diào)2026年全球筆電出貨預(yù)估至年減5.4%，降至近1.73億臺(tái)，以反映品牌面對(duì)成本壓力擴(kuò)大，對(duì)庫(kù)存、促銷與產(chǎn)品配置采取的保守態(tài)度。
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Quartus Prime下Cyclone V FPGA片上存儲(chǔ)器資源優(yōu)化與布局策略
在5G通信、工業(yè)控制等高性能嵌入式系統(tǒng)中，Cyclone V FPGA憑借其低功耗與高性價(jià)比特性成為主流選擇。其片上存儲(chǔ)器資源（M10K和MLAB）的優(yōu)化配置直接影響系統(tǒng)性能與資源利用率。本文基于Quartus Prime工具鏈，結(jié)合Cyclone V器件特性，提出一套從代碼級(jí)到架構(gòu)級(jí)的存儲(chǔ)器優(yōu)化與布局策略。
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FRAM 存儲(chǔ)器：便攜式醫(yī)療刺激系統(tǒng)的存儲(chǔ)技術(shù)革新
在醫(yī)療技術(shù)向精準(zhǔn)化、便攜化轉(zhuǎn)型的浪潮中，便攜式醫(yī)療刺激系統(tǒng)正重塑康復(fù)治療與慢病管理模式。從輔助神經(jīng)康復(fù)的便攜式神經(jīng)刺激儀，到維持心臟節(jié)律的植入式心臟刺激器，這類設(shè)備需實(shí)時(shí)捕獲生理數(shù)據(jù)、執(zhí)行復(fù)雜刺激算法，對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的可靠性、時(shí)效性和低功耗特性提出了極致要求。FRAM(鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)憑借其獨(dú)特的鐵電存儲(chǔ)原理，突破傳統(tǒng)存儲(chǔ)器技術(shù)瓶頸，成為便攜式醫(yī)療刺激系統(tǒng)的理想存儲(chǔ)解決方案，為醫(yī)療設(shè)備的性能升級(jí)注入關(guān)鍵動(dòng)力。
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如何執(zhí)行從L3內(nèi)存到Tile內(nèi)存的Shim數(shù)據(jù)移動(dòng)
在本節(jié)中使用了列0的SHIM DMA(0,0), MEM Tile(0,1)和Core(0,2)。存儲(chǔ)在L3存儲(chǔ)器上的一組預(yù)定義數(shù)據(jù)流進(jìn)入NPU復(fù)合體。數(shù)據(jù)通過MEM內(nèi)存從SHM DMA路由到Core，然后路由回來。接收到的輸出流被捕獲并與參考進(jìn)行比較。
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豪威集團(tuán)發(fā)布超低功耗單芯片全彩場(chǎng)序微顯示器，賦能新一代智能眼鏡
全新的OP03021全彩場(chǎng)序LCOS面板是目前市場(chǎng)上唯一一款將陣列、驅(qū)動(dòng)器和存儲(chǔ)器集成到超低功耗單芯片架構(gòu)中的智能眼鏡解決方案
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TrendForce集邦咨詢: 中國(guó)CSP、OEM有望積極采購(gòu)H200
Dec. 10, 2025 ---- 據(jù)新華社報(bào)道，美國(guó)將允許NVIDIA(英偉達(dá))向中國(guó)出口H200芯片，TrendForce集邦咨詢表示，H200效能較H20大幅提升，對(duì)終端客戶具有吸引力，若2026年能順利銷售，預(yù)期中國(guó)CSP(云端服務(wù)業(yè)者)、OEM皆有望積極采購(gòu)。
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TrendForce集邦咨詢：存儲(chǔ)器價(jià)格飆升沖擊游戲主機(jī)毛利，2026年出貨量預(yù)估將下調(diào)
Dec. 2, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布報(bào)告，受到存儲(chǔ)器價(jià)格飆漲影響，消費(fèi)性電子產(chǎn)品整機(jī)成本大幅拉升，并迫使終端產(chǎn)品定價(jià)上調(diào)，進(jìn)而沖擊消費(fèi)市場(chǎng)。TrendForce集邦咨詢繼11月上旬下修2026年全球智能手機(jī)及筆電的生產(chǎn)出貨預(yù)測(cè)后，此次也下修游戲主機(jī)2026年出貨預(yù)測(cè)，從原先預(yù)估的年減3.5%調(diào)降至年減4.4%。
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數(shù)字信號(hào)處理器的設(shè)計(jì)有哪些非常復(fù)雜過程?
存儲(chǔ)器是一種用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的集成電路。存儲(chǔ)器的架構(gòu)可以分為靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)等類型。
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意法半導(dǎo)體推出業(yè)界首款18nm高性能微控制器
2025年11月19日，中國(guó)– 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST) (紐約證券交易所代碼:STM) 發(fā)布了新一代高性能微控制器(MCU)STM32V8。為要求嚴(yán)苛的工業(yè)應(yīng)用專門設(shè)計(jì)，STM32V8在意法半導(dǎo)體位于法國(guó)克羅勒300毫米晶圓廠生產(chǎn)，采用意法半導(dǎo)體18納米先進(jìn)工藝制造，并集成優(yōu)異的嵌入式相變存儲(chǔ)器 (PCM)，，同時(shí)該系列產(chǎn)品還在三星晶圓代工廠生產(chǎn)。STM32產(chǎn)品家族應(yīng)用廣泛，被全球數(shù)十億臺(tái)產(chǎn)品設(shè)備采用，涵蓋消費(fèi)電子產(chǎn)品、家用電器、工業(yè)應(yīng)用、醫(yī)療設(shè)備、通信節(jié)點(diǎn)等領(lǐng)域。
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TrendForce集邦咨詢：存儲(chǔ)器價(jià)格攀升沖擊消費(fèi)市場(chǎng)，下修2026年全球智能手機(jī)及筆電的生產(chǎn)出貨預(yù)測(cè)
Nov. 17, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示，2026年全球市場(chǎng)仍面臨不確定性，通脹持續(xù)干擾消費(fèi)市場(chǎng)表現(xiàn)，更關(guān)鍵的是，存儲(chǔ)器步入強(qiáng)勁上行周期，導(dǎo)致整機(jī)成本上揚(yáng)，并將迫使終端定價(jià)上調(diào)，進(jìn)而沖擊消費(fèi)市場(chǎng)。基于此，TrendForce集邦咨詢下修2026年全球智能手機(jī)及筆電的生產(chǎn)出貨預(yù)測(cè)，從原先的年增0.1%及1.7%，分別調(diào)降至年減2%及2.4%。此外，若存儲(chǔ)器供需失衡加劇，或終端售價(jià)上調(diào)幅度超出預(yù)期，生產(chǎn)出貨預(yù)測(cè)仍有進(jìn)一步下修風(fēng)險(xiǎn)。
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TrendForce集邦咨詢：存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)2026年資本支出仍顯保守，對(duì)位元產(chǎn)出成長(zhǎng)助力有限
Nov. 13, 2025 ----- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示，隨著存儲(chǔ)器平均銷售價(jià)格(ASP)持續(xù)提升，供應(yīng)商獲利也有所增加，DRAM與NAND Flash后續(xù)的資本支出將會(huì)持續(xù)上漲，但對(duì)于2026年的位元產(chǎn)出成長(zhǎng)的助力有限。DRAM和NAND Flash產(chǎn)業(yè)的投資重心正逐漸轉(zhuǎn)變，從單純地?cái)U(kuò)充產(chǎn)能，轉(zhuǎn)向制程技術(shù)升級(jí)、高層數(shù)堆棧、混合鍵合以及HBM等高附加價(jià)值產(chǎn)品。
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EEPROM 40周年：以廣受歡迎和久經(jīng)驗(yàn)證的技術(shù)，持續(xù)滿足開發(fā)者的存儲(chǔ)需求
EEPROM是一項(xiàng)成熟的非易失性存儲(chǔ)(NVM)技術(shù)，其特性對(duì)當(dāng)今的尖端應(yīng)用的發(fā)展具有非常重要的意義。意法半導(dǎo)體(ST)是全球EEPROM芯片知名廠商和存儲(chǔ)器產(chǎn)品和工藝創(chuàng)新名企之一，其連接安全產(chǎn)品部綜合市場(chǎng)業(yè)務(wù)線總監(jiān) Sylvain Fidelis在本文中介紹了NVM技術(shù)的核心優(yōu)勢(shì)，以及讓EEPROM成為當(dāng)前和未來工程師的首選存儲(chǔ)器的關(guān)鍵因素。
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FPGA存儲(chǔ)器映射與幀緩存管理：圖像處理的高效實(shí)現(xiàn)
在實(shí)時(shí)圖像處理系統(tǒng)中，F(xiàn)PGA憑借其并行處理能力和低延遲特性，成為構(gòu)建高性能視覺處理系統(tǒng)的核心器件。然而，高分辨率視頻流（如8K@60fps）的數(shù)據(jù)吞吐量高達(dá)48Gbps，對(duì)存儲(chǔ)器映射和幀緩存管理提出了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。本文將深入探討FPGA中基于動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的幀緩存架構(gòu)優(yōu)化，以及行緩存與FIFO的協(xié)同設(shè)計(jì)策略。
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FRAM 存儲(chǔ)器在便攜式醫(yī)療刺激系統(tǒng)中的應(yīng)用
在醫(yī)療技術(shù)持續(xù)進(jìn)步的當(dāng)下，便攜式醫(yī)療刺激系統(tǒng)憑借其便捷性、可移動(dòng)性以及能為患者提供實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)與治療的優(yōu)勢(shì)，應(yīng)用范圍不斷拓展。從常見的便攜式神經(jīng)刺激儀輔助康復(fù)治療，到植入式心臟刺激器維持心臟正常節(jié)律，這類系統(tǒng)正深刻改變醫(yī)療模式，提升患者生活質(zhì)量與醫(yī)療效率。
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