
隨著市場需求推動存儲器技術(shù)向更高密度、更優(yōu)性能、新材料、3D堆棧、高深寬比 (HAR) 刻蝕和極紫外 (EUV) 光刻發(fā)展,泛林集團正在探索未來三到五年生產(chǎn)可能面臨的挑戰(zhàn),以經(jīng)濟的成本為晶圓廠提供解決方案。
在存儲器中,操作數(shù)或指令字寫入或讀出的方式,有地址指定方式、相聯(lián)存儲方式和堆棧存取方式。幾乎所有的計算機,在內(nèi)存中都采用地址指定方式。當采用地址指定方式時,形成操作數(shù)或指令地址的方式稱為尋址方式。尋址方式分為兩類,即指令尋址方式和數(shù)據(jù)尋址方式,前者比較簡單,后者比較復雜。值得注意的是,在傳統(tǒng)方式設(shè)計的計算機中,內(nèi)存中指令的尋址與數(shù)據(jù)的尋址是交替進行的。
CPU與外部設(shè)備、存儲器的連接和數(shù)據(jù)交換都需要通過接口設(shè)備來實現(xiàn),前者被稱為I/O接口,而后者則被稱為存儲器接口。存儲器通常在CPU的同步控制下工作,接口電路比較簡單;而I/O設(shè)備品種繁多,其相應的接口電路也各不相同,因此,習慣上說到接口只是指I/O接口。
在單片機中我們經(jīng)常需要訪問某個指定的寄存器或者到指定的RAM地址,在本文為簡單描述,下文所說的存儲器可指:寄存器,RAM等。01宏定義:定義一個宏,將地址值轉(zhuǎn)化為C指針,然后取這個指針指向的內(nèi)容,這樣就可以訪問存儲了,代碼如下:#defineSDA_DIR_REG*(__IOui...
動態(tài)內(nèi)存(Dynamic Memory),使用戶能夠指定虛擬操作系統(tǒng)啟動的RAM容量,并將平臺可用的系統(tǒng)內(nèi)存最大化。
隨機存取存儲器(英語:Random Access Memory,縮寫:RAM),也叫主存,是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器。它可以隨時讀寫(刷新時除外),而且速度很快,通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運行中的程序的臨時數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)。RAM工作時可以隨時從任何一個指定的地址寫入(存入)或讀出(取出)信息。它與ROM的最大區(qū)別是數(shù)據(jù)的易失性,即一旦斷電所存儲的數(shù)據(jù)將隨之丟失。RAM在計算機和數(shù)字系統(tǒng)中用來暫時存儲程序、數(shù)據(jù)和中間結(jié)果。
存儲單位:在存儲器中有大量的存儲元,把它們按相同的位劃分為組,組內(nèi)所有的存儲元同時進行讀出或?qū)懭氩僮?,這樣的一組存儲元稱為一個存儲單元。一個存儲單元通常可以存放一個字節(jié);存儲單元是CPU訪問存儲器的基本單位。
在存儲器里以字節(jié)為單位存儲信息,為正確地存放或取得信息,每一個字節(jié)單元給以一個唯一的存儲器地址,稱為物理地址(Physical Address),又叫實際地址或絕對地址。
網(wǎng)卡上面裝有處理器和存儲器(包括RAM和ROM)。網(wǎng)卡和局域網(wǎng)之間的通信是通過電纜或雙絞線以串行傳輸方式進行的。而網(wǎng)卡和計算機之間的通信則是通過計算機主板上的I/O總線以并行傳輸方式進行。因此,網(wǎng)卡的一個重要功能就是要進行串行/并行轉(zhuǎn)換。由于網(wǎng)絡(luò)上的數(shù)據(jù)率和計算機總線上的數(shù)據(jù)率并不相同,因此在網(wǎng)卡中必須裝有對數(shù)據(jù)進行緩存的存儲芯片。網(wǎng)卡以前是作為擴展卡插到計算機總線上的,但是由于其價格低廉而且以太網(wǎng)標準普遍存在,大部分新的計算機都在主板上集成了網(wǎng)絡(luò)接口。這些主板或是在主板芯片中集成了以太網(wǎng)的功能,或是使用一塊通過PCI (或者更新的PCI-Express總線)連接到主板上的廉價網(wǎng)卡。
計算機的存儲器可分成內(nèi)存儲器和外存儲器。內(nèi)存儲器在程序執(zhí)行期間被計算機頻繁地使用,并且在一個指令周期期間是可直接訪問的。
關(guān)注星標公眾號,不錯過精彩內(nèi)容作者?|strongerHuang微信公眾號|嵌入式專欄大家都知道Flash是用于存儲數(shù)據(jù)的存儲器,但很多讀者看到頁(Page)、扇區(qū)(Sector)、塊(Block)等這些單位時一臉懵逼,這到底是什么,有什么區(qū)別?下面就來講講關(guān)于Flash內(nèi)部結(jié)構(gòu)...
(全球TMT2021年11月24日訊)Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited已推出帶并行接口的8Mbit FRAM MB85R8M2TA存儲器,這也是Fujitsu首款支持100萬億次讀/寫周期的FRAM系列產(chǎn)品。 ...
近日,富昌電子發(fā)布了2021年第四季度關(guān)于芯片供應的市場報告,多家芯片供應商更新了產(chǎn)品交期。
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中國,2021 年 10 月 22 日——意法半導體提高了新一代 ST25DV-I2C動態(tài)NFC-tag IC的I2C 接口性能,讓主機系統(tǒng)更快速、更輕松地讀寫標簽芯片上的EEPROM存儲器。
“是說芯語”已陪伴您1010天編者注:本文作者湯之上隆先生為日本精密加工研究所所長,曾長期在日本制造業(yè)的生產(chǎn)第一線從事半導體研發(fā)工作,2000年獲得京都大學工學博士學位,之后一直從事和半導體行業(yè)有關(guān)的教學、研究、顧問及新聞工作者等工作,曾撰寫《日本“半導體”的失敗》、《“電機、半...
EverOn 可為現(xiàn)有內(nèi)存節(jié)約高達50%的功耗
2021年中國閃存市場峰會(CFMS2021)已經(jīng)圓滿落幕。CFMS2021齊聚全球領(lǐng)域內(nèi)核心的存儲器廠商、終端廠商、平臺應用及網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)建設(shè)廠商等的主要領(lǐng)導和負責人,參會觀眾更是涵蓋了消費類、大數(shù)據(jù)、行業(yè)存儲等各領(lǐng)域應用客戶。
1.(大疆2020芯片工程師A卷,單選)1個16Kx8位的存儲器,其地址線和數(shù)據(jù)線總和是()A、46B、17C、48D、22答案:D解析:地址線:16K=1K*16=1024*16=(2^10)*(2^4)=2^14,即需要?14根地址線;數(shù)據(jù)線:8位數(shù)據(jù)需要8根數(shù)據(jù)線;所以一共...
摘要:介紹了一種與標準CMOS工藝兼容的、主要應用于UHFRFID無源標簽的單柵存儲器的單元結(jié)構(gòu)及其工作原理,分析了該單柵存儲器在用于UHFRFID無源標簽時的優(yōu)缺點,同時指出了該結(jié)構(gòu)單柵存儲器的適用范圍。