
在快速發(fā)展的電子行業(yè)中,存儲(chǔ)器技術(shù)作為支撐各類(lèi)電子設(shè)備運(yùn)行的核心組件,其性能與可靠性直接關(guān)系到產(chǎn)品的整體表現(xiàn)。在眾多非易失性存儲(chǔ)器中,鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FRAM)以其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),特別是在代碼存儲(chǔ)器應(yīng)用中的單芯片解決方案,正逐漸成為市場(chǎng)關(guān)注的焦點(diǎn)。本文將從FRAM的技術(shù)特點(diǎn)、作為代碼存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)、單芯片解決方案的應(yīng)用實(shí)例以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)等方面進(jìn)行深入探討。
Aug. 29 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查,存儲(chǔ)器模組廠從2023年第三季后開(kāi)始積極增加DRAM(內(nèi)存)庫(kù)存,到2024年第二季庫(kù)存水位已上升至11-17周。然而,消費(fèi)電子需求未如預(yù)期回溫,如智能手機(jī)領(lǐng)域已出現(xiàn)整機(jī)庫(kù)存過(guò)高的情況,筆電市場(chǎng)也因?yàn)橄M(fèi)者期待AI PC新產(chǎn)品而延遲購(gòu)買(mǎi),市場(chǎng)繼續(xù)萎縮。這種情況下,以消費(fèi)產(chǎn)品為主的存儲(chǔ)器現(xiàn)貨價(jià)格開(kāi)始走弱,第二季價(jià)格較第一季下跌超過(guò)30%。盡管現(xiàn)貨價(jià)至八月份仍與合約價(jià)脫鉤,但也暗示合約價(jià)的潛在趨勢(shì)。
本屆峰會(huì)以“AI驅(qū)動(dòng),存儲(chǔ)復(fù)蘇”為主題,將匯聚存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈的終端廠商、原廠、平臺(tái)廠商、主控廠商、模組廠商、封測(cè)廠商、設(shè)備廠商、材料廠商等頭部企業(yè)、上市公司以及本土代表性企業(yè),通過(guò)主題演講、資本市場(chǎng)對(duì)接與策略分享、存儲(chǔ)器品牌全球直播、展覽等多種形式,圍繞存儲(chǔ)器市場(chǎng)復(fù)蘇與AI新興應(yīng)用市場(chǎng)帶動(dòng)下的產(chǎn)業(yè)格局與趨勢(shì),分享前沿技術(shù)與最新產(chǎn)品,探討產(chǎn)業(yè)鏈上下游如何協(xié)同創(chuàng)新,構(gòu)建合作共贏的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。
Jul. 22, 2024 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)分析報(bào)告,受惠于位元需求成長(zhǎng)、供需結(jié)構(gòu)改善拉升價(jià)格,加上HBM(高帶寬內(nèi)存)等高附加價(jià)值產(chǎn)品崛起,預(yù)估DRAM(內(nèi)存)及NAND Flash(閃存)產(chǎn)業(yè)2024年?duì)I收年增幅度將分別增加75%和77%。而2025年產(chǎn)業(yè)營(yíng)收將持續(xù)維持成長(zhǎng),DRAM年增約51%、NAND Flash年增長(zhǎng)則來(lái)到29%,營(yíng)收將創(chuàng)歷史新高,并且推動(dòng)資本支出回溫、帶動(dòng)上游原料需求,只是存儲(chǔ)器買(mǎi)方成本壓力將隨之上升。
【2024年7月15日,德國(guó)慕尼黑訊】太空應(yīng)用是英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)的一個(gè)重要領(lǐng)域。英飛凌的產(chǎn)品被用于衛(wèi)星、火星探測(cè)器儀器、太空望遠(yuǎn)鏡等,即便在極端惡劣的條件下,這些應(yīng)用也必須具備出色的可靠性。全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌近日推出業(yè)界首款抗輻射(rad hard)1 Mb和2 Mb并行接口鐵電RAM(F-RAM)非易失性存儲(chǔ)器。這款存儲(chǔ)器是英飛凌豐富存儲(chǔ)器產(chǎn)品組合中的新成員,其特點(diǎn)是具有出色的可靠性和耐用性,在85攝氏度條件下的數(shù)據(jù)保存期長(zhǎng)達(dá) 120 年,并且能以總線速度進(jìn)行隨機(jī)存取和全存儲(chǔ)器寫(xiě)入。
DDR3,全稱double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM,即第三代雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。DDR3的設(shè)計(jì)特點(diǎn)包括:
隨著嵌入式系統(tǒng)技術(shù)的不斷發(fā)展,對(duì)存儲(chǔ)器性能的要求也日益提高。i.MX RT 1024作為一款高性能的嵌入式微控制器,其內(nèi)部集成的閃存(Flash Memory)為開(kāi)發(fā)者提供了便捷且高效的存儲(chǔ)解決方案。然而,在某些應(yīng)用場(chǎng)景中,我們不僅需要從閃存中讀取數(shù)據(jù)以運(yùn)行程序,還需要在程序運(yùn)行時(shí)對(duì)閃存進(jìn)行寫(xiě)操作,即實(shí)現(xiàn)邊讀邊寫(xiě)(Read-While-Write, RWW)的功能。本文將詳細(xì)介紹如何在i.MX RT 1024上配置內(nèi)部閃存以實(shí)現(xiàn)RWW功能。
May 20, 2024 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究,三大原廠開(kāi)始提高先進(jìn)制程的投片,繼存儲(chǔ)器合約價(jià)翻揚(yáng)后,公司資金投入開(kāi)始增加,產(chǎn)能提升將集中在今年下半年,預(yù)期1alpha nm(含)以上投片至年底將占DRAM總投片比重約40%。其中,HBM由于獲利表現(xiàn)佳,加上需求持續(xù)看增,故生產(chǎn)順序最優(yōu)先。但受限于良率僅約50~60%,且晶圓面積相較DRAM產(chǎn)品,放大逾60%,意即所占投片比重高。以各家TSV產(chǎn)能來(lái)看,至年底HBM將占先進(jìn)制程比重35%,其余則用以生產(chǎn)LPDDR5(X)與DDR5產(chǎn)品。
SAMD21RT采用64引腳陶瓷和塑料封裝,基底面為10 mm × 10 mm
無(wú)論您是在研究如何使用 10GigE 還是尋求所需考慮事項(xiàng)的建議,本文均提供有實(shí)踐,幫助確保單相機(jī) 10GigE 視覺(jué)系統(tǒng)設(shè)置順利并擁有良好性能。 我們列出了主機(jī)系統(tǒng)配置、布線和相機(jī)設(shè)置的實(shí)踐。
存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件,負(fù)責(zé)存儲(chǔ)程序指令和數(shù)據(jù),是實(shí)現(xiàn)計(jì)算和信息處理的基礎(chǔ)。根據(jù)其工作原理、存儲(chǔ)容量、訪問(wèn)速度、穩(wěn)定性以及持久性等諸多特性,存儲(chǔ)器可以被細(xì)分為多個(gè)類(lèi)別。本篇文章將詳細(xì)介紹存儲(chǔ)器的主要分類(lèi),并探討各類(lèi)存儲(chǔ)器的應(yīng)用場(chǎng)景和技術(shù)特點(diǎn)。
Apr. 03, 2024 ---- 4月3日7時(shí)58分在臺(tái)灣花蓮縣海域(北緯23.81度,東經(jīng)121.74度)發(fā)生7.3級(jí)地震,震源深度12千米。根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢于第一時(shí)間調(diào)查各廠受損及運(yùn)作狀況指出,DRAM產(chǎn)業(yè)多集中在北部與中部,F(xiàn)oundry產(chǎn)業(yè)則北中南三地區(qū),今日上午北部林口地區(qū)地震最大約4到5級(jí)間,其他地區(qū)地震約在4級(jí)左右,各廠已陸續(xù)進(jìn)行停機(jī)檢查。盡管檢查尚未結(jié)束,但目前為止各廠都沒(méi)有發(fā)現(xiàn)重大的機(jī)臺(tái)損害。
2024年3月26日,中國(guó)-- 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)發(fā)布了一項(xiàng)基于 18 納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI) 技術(shù)并整合嵌入式相變存儲(chǔ)器 (ePCM)的先進(jìn)制造工藝,支持下一代嵌入式處理器升級(jí)進(jìn)化。這項(xiàng)新工藝技術(shù)是意法半導(dǎo)體和三星晶圓代工廠共同開(kāi)發(fā),使嵌入式處理應(yīng)用的性能和功耗實(shí)現(xiàn)巨大飛躍,同時(shí)可以集成容量更大的存儲(chǔ)器和更多的模擬和數(shù)字外設(shè)?;谛录夹g(shù)的下一代 STM32 微控制器的首款產(chǎn)品將于 2024下半年開(kāi)始向部分客戶提供樣片,2025 年下半年排產(chǎn)。
該產(chǎn)品線提供了并行SRAM的低成本替代方案,容量高達(dá) 4 Mb,具有143 MHz SPI/SQI?通信功能
【2024年1月15日,德國(guó)慕尼黑訊】衛(wèi)星上的邊緣計(jì)算和推理可實(shí)現(xiàn)近乎實(shí)時(shí)的數(shù)據(jù)分析和決策制定。隨著聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的數(shù)量及其產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量不斷增長(zhǎng),這一點(diǎn)變得愈發(fā)重要。為滿足太空應(yīng)用中的這些高性能計(jì)算需求,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布推出采用英飛凌專(zhuān)利技術(shù)RADSTOP?設(shè)計(jì)的最新抗輻射(rad hard)異步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。全新產(chǎn)品專(zhuān)為高可靠性和高性能極為關(guān)鍵的太空及其它惡劣環(huán)境應(yīng)用而設(shè)計(jì)。
可編程邏輯控制器(PLC,Programmable Logic Controller)是一種專(zhuān)為工業(yè)環(huán)境設(shè)計(jì)的數(shù)字電子系統(tǒng)。它使用可編程的存儲(chǔ)器,內(nèi)部存儲(chǔ)程序,執(zhí)行邏輯運(yùn)算、順序控制、定時(shí)、計(jì)數(shù)和算術(shù)操作等面向用戶的指令,并通過(guò)數(shù)字或模擬輸入/輸出控制各種類(lèi)型的機(jī)械或生產(chǎn)過(guò)程。
Jan. 11, 2024 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢表示,全球受高通脹沖擊,2023年筆電市場(chǎng)需求欲振乏力,全年出貨量?jī)H1.66億臺(tái),年減10.8%,但衰退幅度較2022年收斂。
可編程邏輯控制器(PLC)是一種工業(yè)自動(dòng)化控制裝置,它采用可編程的存儲(chǔ)器來(lái)存儲(chǔ)指令,執(zhí)行邏輯運(yùn)算、順序控制、計(jì)數(shù)、定時(shí)和算術(shù)操作等面向用戶的指令,并通過(guò)模擬或數(shù)字輸入/輸出控制各種類(lèi)型的機(jī)械或生產(chǎn)過(guò)程。PLC的基本原理可以概括為三個(gè)主要步驟:輸入采樣、程序執(zhí)行和輸出刷新。
Jan. 8, 2024 ---- TrendForce集邦咨詢表示,2024年第一季DRAM合約價(jià)季漲幅約13~18%,其中Mobile DRAM持續(xù)領(lǐng)漲。目前觀察,由于2024全年需求展望仍不明朗,故原廠認(rèn)為持續(xù)性減產(chǎn)仍有其必要,以維持存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的供需平衡。
2023年12月20日,中國(guó)上海 — 全球存儲(chǔ)器解決方案領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠今天宣布已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)2TB microSDXC存儲(chǔ)卡,這對(duì)于智能手機(jī)用戶、內(nèi)容創(chuàng)作者和移動(dòng)游戲玩家來(lái)說(shuō)是一項(xiàng)突破性的進(jìn)展。EXCERIA PLUS G2 2TB microSDXC存儲(chǔ)卡提供更強(qiáng)大的性能和更大的容量,讓用戶能夠記錄和存儲(chǔ)更多內(nèi)容?!?】。