
據(jù)美國物理學(xué)家組織網(wǎng)近日報(bào)道,美國科學(xué)家們正在研制一種新的計(jì)算機(jī)存儲設(shè)備——鐵電晶體管隨機(jī)存取存儲器(FeTRAM),其將比現(xiàn)在的商用存儲設(shè)備更快捷,且比占主流的閃存能耗更低。研究發(fā)表在美國化學(xué)學(xué)會
晶圓制造服務(wù)公司宏力半導(dǎo)體與嵌入式非揮發(fā)性存儲器(embedded non-volatile memory, eNVM)廠商力旺電子共同宣布,雙方透過共享資源設(shè)計(jì)平臺,進(jìn)一步擴(kuò)大合作范圍,開發(fā)多元嵌入式非揮發(fā)性存儲器解決方案。力旺電子獨(dú)
晶圓制造服務(wù)公司宏力半導(dǎo)體與嵌入式非揮發(fā)性存儲器(embedded non-volatile memory, eNVM)廠商力旺電子共同宣布,雙方透過共享資源設(shè)計(jì)平臺,進(jìn)一步擴(kuò)大合作范圍,開發(fā)多元嵌入式非揮發(fā)性存儲器解決方案。力旺電子獨(dú)
晶圓制造服務(wù)公司宏力半導(dǎo)體與嵌入式非揮發(fā)性存儲器(embedded non-volatile memory, eNVM)廠商力旺電子共同宣布,雙方透過共享資源設(shè)計(jì)平臺,進(jìn)一步擴(kuò)大合作范圍,開發(fā)多元嵌入式非揮發(fā)性存儲器解決方案。力旺電子獨(dú)
惠普實(shí)驗(yàn)室資深院士Stan Williams聲稱,該公司自2008年開始研發(fā),基于“憶阻器”技術(shù)的兩端點(diǎn)、非揮發(fā)性存儲器技術(shù),可望在未來18個(gè)月內(nèi)投入市場,甚至取代閃存。“我們有很多相關(guān)計(jì)劃,也正和Hynix半
蘋果iPhone新機(jī)即將在10月4日亮相,存儲器封測廠力成可望透過爾必達(dá)(Elpida)切進(jìn)相關(guān)供應(yīng)鏈。 業(yè)界人士指出,蘋果iPhone 新機(jī)可能會繼續(xù)內(nèi)建行動(dòng)存儲器(Mobile DRAM),沿用iPhone 4規(guī)格采用爾必達(dá)的行動(dòng)存儲器產(chǎn)品
英特爾(Intel)大張旗鼓宣示Ultrabook系列產(chǎn)品,看在存儲器業(yè)者眼中是五味雜陳,雖然Ultrabook可直接焊上4GB的DRAM芯片,等于是強(qiáng)迫升級,但這也代表Ultrabook里面多數(shù)都沒有升級DRAM模塊插槽,首當(dāng)其沖的是模塊廠,
英特爾(Intel)大張旗鼓宣示Ultrabook系列產(chǎn)品,看在存儲器業(yè)者眼中是五味雜陳,雖然Ultrabook可直接焊上4GB的DRAM芯片,等于是強(qiáng)迫升級,但這也代表Ultrabook里面多數(shù)都沒有升級DRAM模塊插槽,首當(dāng)其沖的是模塊廠,D
英特爾(Intel)大張旗鼓宣示Ultrabook系列產(chǎn)品,看在存儲器業(yè)者眼中是五味雜陳,雖然Ultrabook可直接焊上4GB的DRAM芯片,等于是強(qiáng)迫升級,但這也代表Ultrabook里面多數(shù)都沒有升級DRAM模塊插槽,首當(dāng)其沖的是模塊廠,D
μPSD中存儲器系統(tǒng)的配置
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST)進(jìn)一步提升其在近距離通信(NFC)市場的領(lǐng)導(dǎo)地位,針對工業(yè)和消費(fèi)電子應(yīng)用擴(kuò)展意法半導(dǎo)體雙界面存儲器芯片的讀、寫功能以及數(shù)據(jù)傳輸功能。意法半導(dǎo)體的M24LR64無線存儲器可在應(yīng)
IC 封測廠矽格(6257)自結(jié)今年八月份合并營業(yè)收入為新臺幣3.98億元,創(chuàng)今年次高,較上月增加2.0%,比較去年同期減少10.2%,累計(jì)2011年前八月之營業(yè)額為新臺幣30.57億,比較去年同期減少7.6%。 矽格表示,目前歐美
三星電子(SamsungElectronics)2012年第2季將推出電力芯片產(chǎn)品,這是自1999年三星將電力半導(dǎo)體廠拋售給快捷半導(dǎo)體(FairchildSemiconductor)13年后,三星首度推出的電力芯片產(chǎn)品。據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo),三星2011年5月與
因只讀存儲器的基本存儲單元只進(jìn)行一次編程,編程后的數(shù)據(jù)能長時(shí)間保存,且在編程時(shí)需要流過mA級以上的電流,所以只讀存儲器編程時(shí)通常采用外加編程高壓,內(nèi)部的電荷泵。在設(shè)計(jì)此類電荷泵時(shí),擊穿電壓和體效應(yīng)的影響
臺灣的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值成長率近日再度下修成長率,預(yù)估今年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值跌幅將繼續(xù)擴(kuò)大至-11.3%,其中又以晶圓代工和存儲器的調(diào)降幅度較大。研院IEK系統(tǒng)IC與制程研究部經(jīng)理?xiàng)钊鹋R指出,8月10日發(fā)表的數(shù)字是IEK協(xié)助
茂德有望引進(jìn)新合作伙伴,再度掀起DRAM業(yè)界“整并說”。美光執(zhí)行長愛波頓認(rèn)為,市況不好,但并非供過于求,預(yù)期景氣下修幅度不會如以往劇烈,前景很快就會明朗化,業(yè)界也將掀起整并風(fēng)。外電報(bào)導(dǎo),美光認(rèn)為,標(biāo)準(zhǔn)型存
嵌入式快閃存儲器矽智財(cái)(IP)供應(yīng)商力旺電子的NeoBit矽智財(cái),傳出已成功獲得全球最大手機(jī)芯片廠高通采用,將應(yīng)用在高通搭配手機(jī)基頻芯片一同出貨的電源管理IC當(dāng)中。力旺表示,不對客戶及接單情況有所評論,但會積極
隨著總線控制技術(shù)的應(yīng)用,彩電上大多采用串行非易失存儲器作為數(shù)據(jù)的存儲這種存儲器目前常用的有24C××、93C××兩種系列,24C××系列有等型號,93C××系列有93C46/56/6
E2ROM存儲器讀寫器的制作和使用
本文設(shè)計(jì)了1553B總線上的網(wǎng)絡(luò)存儲器。整個(gè)系統(tǒng)基于NIOS II內(nèi)核設(shè)計(jì),利用SoPC技術(shù)將接口部分的邏輯控制全部集成于FPGA片內(nèi),系統(tǒng)的存儲量、結(jié)點(diǎn)數(shù)量均可擴(kuò)展?! ?0世紀(jì)70年代誕生的1553B總線,是一種主從式多余度總