關(guān)于新一代100 V 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（eGaN FET）解析

EPC推出100 V、尺寸比等效硅器件小30倍及工作在500 kHz頻率時(shí)可實(shí)現(xiàn)97%效率的氮化鎵功率晶體管

EPC eGaN 技術(shù)在性能及成本上實(shí)現(xiàn)質(zhì)的飛躍

捷佳科技與宜普電源轉(zhuǎn)換公司攜手設(shè)計(jì)創(chuàng)新的無(wú)線電源解決方案

如何使用氮化鎵（GaN）功率器件以實(shí)現(xiàn)先進(jìn)的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

內(nèi)含200V氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的開發(fā)板可實(shí)現(xiàn)高達(dá)30MHz的效率

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出面向D類音頻放大器的理想器件

更高性能！宜普電源轉(zhuǎn)換公司新推出兩款氮化鎵功率晶體管

宜普電源具有寬間距的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管系列 新添3款產(chǎn)品

宜普電源轉(zhuǎn)換公司的單片式eGaN®半橋晶體管系列 榮獲《Electronics Products》雜志頒發(fā)\"年度產(chǎn)品大獎(jiǎng)\"