宜普電源轉換公司(EPC)的全新開發(fā)板幫助功率系統(tǒng)設計師容易并且快速地

對應用于E類放大器拓撲、電流模式D類放大器拓撲及push-pull 轉換器的200 V氮化鎵晶體管進行評估，其工作效率可以高達30 MHz。

宜普電源轉換公司(EPC)宣布推出高頻、基于氮化鎵晶體管并采用差分模式的開發(fā)板，可以在高達30 MHz下工作。 推出開發(fā)板的目的是幫助功率系統(tǒng)設計師利用簡易方法對氮化鎵晶體管的優(yōu)越性能進行評估，使得他們的產品可以快速量產。

這些開發(fā)板專為諸如無線充電、采用E類放大器的應用而設，而且也可以支持采用低側開關的應用，例如push-pull轉換器、采用電流模式的D類放大器、共源雙向開關及諸如LiDAR應用的通用高壓短脈寬應用。

這些開發(fā)板內含具有200 V額定電壓的氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET)。這些放大器被設計為工作在差分模式，也可以再被配置而可以工作在單端模式，而且包含柵極驅動器及邏輯電源穩(wěn)壓器。

這三塊開發(fā)板有共同的參數選擇及規(guī)范，其工作負載條件包括配置可以決定最優(yōu)的負載電壓及電阻。以下的表格展示出每一塊開發(fā)板的各個器件參數。