英飛凌拓展 CoolSiC? MOSFET 750 V G2系列，提供超低導通電阻和新型封裝

VGS在線性區(qū)時功率MOSFET反向導通問題探析

利用先進封裝和直通引腳提高開關通道密度

MOS管關斷緩慢進入恒流區(qū)和夾斷區(qū)臨界點導致發(fā)熱嚴重

英飛凌推出采用全新 EasyPACK? C 封裝的碳化硅功率模塊，助力提升工業(yè)應用的能效與使用壽命

英飛凌推出采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiC? MOSFET 1400V G2系列，提升大功率應用中的功率密度

MOSFET柵極驅動電路重要參數(shù)解讀：導通電阻+驅動功率

MOS管驅動電路詳解

新型OptiMOS 7 MOSFET改進汽車應用中的導通電阻、設計穩(wěn)健性和開關效率

MOS管開關時的米勒效應的影響與解決方法