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英飛凌拓展 CoolSiC? MOSFET 750 V G2系列，提供超低導(dǎo)通電阻和新型封裝
【2026年1月12日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出全新封裝的 CoolSiC? MOSFET 750V G2系列，旨在為汽車和工業(yè)電源應(yīng)用提供超高系統(tǒng)效率和功率密度。該系列現(xiàn)提供 Q-DPAK、D2PAK 等多種封裝，產(chǎn)品組合覆蓋在25°C情況下的典型導(dǎo)通電阻(RDS(on))值60 mΩ。
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VGS在線性區(qū)時(shí)功率MOSFET反向?qū)▎栴}探析
在電力電子電路中，功率MOSFET憑借開關(guān)速度快、驅(qū)動(dòng)功率小、導(dǎo)通電阻低等優(yōu)勢(shì)，被廣泛應(yīng)用于逆變器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。其工作狀態(tài)主要分為截止區(qū)、線性區(qū)(歐姆區(qū))和飽和區(qū)，不同工作區(qū)域的特性直接決定了電路的運(yùn)行性能。當(dāng)柵源電壓VGS處于線性區(qū)時(shí)，功率MOSFET本應(yīng)呈現(xiàn)低阻導(dǎo)通特性以實(shí)現(xiàn)電能的高效傳輸，但實(shí)際應(yīng)用中常出現(xiàn)反向?qū)ìF(xiàn)象，這一問題會(huì)導(dǎo)致電路效率下降、器件溫升過高甚至損壞，嚴(yán)重影響系統(tǒng)可靠性。本文將從線性區(qū)工作機(jī)制、反向?qū)ǔ梢?、?fù)面影響及抑制策略四個(gè)方面，對(duì)該問題進(jìn)行深入探析。
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利用先進(jìn)封裝和直通引腳提高開關(guān)通道密度
本文介紹了一款突破性的精密開關(guān)產(chǎn)品。這款產(chǎn)品旨在徹底化解需要高通道密度與高精度的印刷電路板(PCB)設(shè)計(jì)和電子測(cè)量系統(tǒng)所面臨的挑戰(zhàn)。這款開關(guān)采用創(chuàng)新的無源元件共封裝方法，并具備直通引腳特性，不僅能顯著優(yōu)化PCB空間利用率，而且能大大提高開關(guān)通道密度。此外，得益于極低的導(dǎo)通電阻，測(cè)量精度得以提升，功耗有效降低，有利于系統(tǒng)層面的熱管理。
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MOS管關(guān)斷緩慢進(jìn)入恒流區(qū)和夾斷區(qū)臨界點(diǎn)導(dǎo)致發(fā)熱嚴(yán)重
MOS 管作為電力電子電路中的核心開關(guān)元件，其工作狀態(tài)主要分為導(dǎo)通區(qū)、恒流區(qū)(飽和區(qū))和夾斷區(qū)(截止區(qū))三大區(qū)域。導(dǎo)通區(qū)時(shí)，MOS 管導(dǎo)通電阻極低，電流通過時(shí)損耗可忽略;夾斷區(qū)時(shí)，漏源極之間幾乎無電流通過，同樣處于低損耗狀態(tài)。而恒流區(qū)與夾斷區(qū)的臨界點(diǎn)，是 MOS 管從導(dǎo)通轉(zhuǎn)向截止的關(guān)鍵過渡階段，此時(shí)器件的電壓、電流特性發(fā)生劇烈變化，成為損耗與發(fā)熱的核心敏感區(qū)。
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英飛凌推出采用全新 EasyPACK? C 封裝的碳化硅功率模塊，助力提升工業(yè)應(yīng)用的能效與使用壽命
【2025年10月29日, 德國慕尼黑訊】工業(yè)領(lǐng)域中的快速直流電動(dòng)汽車(EV)充電、兆瓦級(jí)充電、儲(chǔ)能系統(tǒng)，以及不間斷電源設(shè)備，往往需要在嚴(yán)苛環(huán)境條件與波動(dòng)負(fù)載的運(yùn)行模式下工作。這些應(yīng)用對(duì)高能效、穩(wěn)定的功率循環(huán)能力以及較長的使用壽命有著極高的要求。為滿足這些需求，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出了EasyPACK? C 系列產(chǎn)品 ——EasyPACK? 封裝家族的新一代產(chǎn)品。
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英飛凌推出采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiC? MOSFET 1400V G2系列，提升大功率應(yīng)用中的功率密度
【2025年10月17日, 德國慕尼黑訊】電動(dòng)汽車充電、電池儲(chǔ)能系統(tǒng)，以及商用、工程和農(nóng)用車輛（CAV）等大功率應(yīng)用場(chǎng)景，正推動(dòng)市場(chǎng)對(duì)更高系統(tǒng)級(jí)功率密度與效率的需求，以滿足日益提升的性能預(yù)期。同時(shí)，這些需求也帶來了新的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，例如，如何在嚴(yán)苛環(huán)境條件下實(shí)現(xiàn)可靠運(yùn)行、在應(yīng)對(duì)瞬態(tài)過載時(shí)如何保持穩(wěn)定性，以及如何優(yōu)化整體系統(tǒng)性能。為應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiC? MOSFET 1400V G2系列。該器件支持更高的直流母線電壓，可實(shí)現(xiàn)更優(yōu)異的熱性能、更小的系統(tǒng)尺寸，以及更高的可靠性。
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MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路重要參數(shù)解讀：導(dǎo)通電阻+驅(qū)動(dòng)功率
以下內(nèi)容中，小編將對(duì)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行著重介紹和闡述，希望本文能幫您增進(jìn)對(duì)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路的了解，和小編一起來看看吧。
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MOS管驅(qū)動(dòng)電路詳解
在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。
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新型OptiMOS 7 MOSFET改進(jìn)汽車應(yīng)用中的導(dǎo)通電阻、設(shè)計(jì)穩(wěn)健性和開關(guān)效率
【2024年6月18日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)正在擴(kuò)大其用于汽車應(yīng)用的下一代OptiMOS? 7 MOSFET產(chǎn)品組合，在40 V 產(chǎn)品組合中新增了采用穩(wěn)健且無鉛封裝的器件，并且推出了80 V和100 V型號(hào)的OptiMOS? 7 MOSFET。這些MOSFET針對(duì)各項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)和未來的48 V汽車應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向、制動(dòng)系統(tǒng)、新區(qū)域架構(gòu)中的功率開關(guān)、電池管理、電子保險(xiǎn)絲盒，以及各種12 V和48 V電氣系統(tǒng)應(yīng)用中的直流/直流和BLDC驅(qū)動(dòng)器等。這些產(chǎn)品還適用于輕型電動(dòng)汽車(LEV)、電動(dòng)二輪車、電動(dòng)踏板車、電動(dòng)摩托車，以及商用車和農(nóng)用車(CAV)等其他交通應(yīng)用。
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MOS管開關(guān)時(shí)的米勒效應(yīng)的影響與解決方法
由于米勒電容阻止了Vgs的上升，從而也就阻止了Vds的下降，這樣就會(huì)使損耗的時(shí)間加長。(Vgs上升，則導(dǎo)通電阻下降，從而Vds下降)。
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英飛凌為汽車應(yīng)用推出業(yè)內(nèi)導(dǎo)通電阻最低的80 V MOSFET OptiMOS? 7
【2024年4月15日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出其最新先進(jìn)功率MOSFET 技術(shù)—— OptiMOS? 7 80 V的首款產(chǎn)品IAUCN08S7N013。該產(chǎn)品的特點(diǎn)包括功率密度顯著提高，和采用通用且穩(wěn)健的高電流SSO8 5 x 6 mm2 SMD封裝。這款OptiMOS? 7 80 V產(chǎn)品非常適合即將推出的 48 V板網(wǎng)應(yīng)用。它專為滿足高要求汽車應(yīng)用所需的高性能、高質(zhì)量和穩(wěn)健性而打造，包括電動(dòng)汽車的汽車直流-直流轉(zhuǎn)換器、48 V電機(jī)控制（例如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)（EPS））、48 V電池開關(guān)以及電動(dòng)兩輪車和三輪車等。
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EPC推出首款具有最低1mΩ導(dǎo)通電阻的GaN FET
EPC推出采用緊湊型QFN封裝(3 mm x 5 mm)的100 V、1 mOhm GaN FET(EPC2361)，助力DC/DC轉(zhuǎn)換、快充、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和太陽能 MPPT等應(yīng)用實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。
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貿(mào)澤備貨UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET為各類電源應(yīng)用提供更好的支持
2022年6月9日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始分銷UnitedSiC(現(xiàn)已被Qorvo?收購)的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。作為廣泛的高性能SiC FET系列產(chǎn)品，此第四代器件具有出色的導(dǎo)通電阻特性，適用于主流800V總線架構(gòu)中的電源解決方案，如電動(dòng)汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC-DC太陽能逆變器等應(yīng)用。
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適用于移動(dòng)和便攜式產(chǎn)品應(yīng)用的MOSFET產(chǎn)品
在生活中，你可能接觸過各種各樣的電子產(chǎn)品，那么你可能并不知道它的一些組成部分，比如它可能含有的MOSFET，那么接下來讓小編帶領(lǐng)大家一起學(xué)習(xí)MOSFET。
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降低壓降并減小傳導(dǎo)損耗的30 V p溝道功率MOSFET---SiRA99DP
隨著全球多樣化的發(fā)展，我們的生活也在不斷變化著，包括我們接觸的各種各樣的電子產(chǎn)品，那么你一定不知道這些產(chǎn)品的一些組成，比如p溝道功率MOSFET。
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值得了解的新型200V n溝道MOSFET---SiSS94DN
在科學(xué)技術(shù)高度發(fā)達(dá)的今天，各種各樣的高科技出現(xiàn)在我們的生活中，為我們的生活帶來便利，那么你知道這些高科技可能會(huì)含有的RDS(ON)導(dǎo)通電阻嗎?
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值得了解的新型40Vn溝道MOSFET半橋功率級(jí)-SiZ240DT
人類社會(huì)的進(jìn)步離不開社會(huì)上各行各業(yè)的努力，各種各樣的電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代離不開我們的設(shè)計(jì)者的努力，其實(shí)很多人并不會(huì)去了解電子產(chǎn)品的組成，比如集成式MOSFET。
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Vishay推出新款200V N溝道MOSFET的RDS(ON)導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)內(nèi)最低水平，提高系統(tǒng)功率密度且節(jié)省能源
TrenchFETa器件典型RDS(ON)為 61 mΩ，優(yōu)值系數(shù)為 854 mΩ*nC，封裝面積10.89 mm2
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ROHM開發(fā)出業(yè)界先進(jìn)的第4代低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET
~可加快車載主機(jī)逆變器等的普及速度~
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Nexperia(安世半導(dǎo)體)宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術(shù)
新一代氮化鎵技術(shù)針對(duì)汽車、5G 和數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用;新器件采用了傳統(tǒng)的TO-247封裝和創(chuàng)新的銅夾片貼片封裝CCPAK
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