導(dǎo)通電阻

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東芝擴(kuò)充低壓N通道MOSFET陣容

低導(dǎo)通電阻可減少移動(dòng)設(shè)備的傳導(dǎo)損失21ic訊東芝公司(Toshiba Corporation)今天宣布通過(guò)“TPN2R203NC”擴(kuò)充移動(dòng)設(shè)備鋰離子電池和功率管理開(kāi)關(guān)專用保護(hù)電路中使用

功率器件
2013-07-12

MOSFET 東芝低壓導(dǎo)通電阻
東芝擴(kuò)大用于基站和服務(wù)器的功率MOSFET陣容

推出擁有頂尖[1]低導(dǎo)通電阻性能和高速交換性能的60V產(chǎn)品東芝公司(Toshiba Corporation,)今天宣布為其用于基站和服務(wù)器的通用直流-直流轉(zhuǎn)換器功率MOSFET陣容增加60V電壓產(chǎn)品

功率器件
2013-07-01

基站功率MOSFET 東芝導(dǎo)通電阻
MOS管使用掃盲

在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允

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2013-06-27

電容電壓 MOS管導(dǎo)通電阻
CMOS基礎(chǔ)知識(shí)

MOS管介紹在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，一般都要考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等因素。MOSFET管是FET的一種，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，一般主要應(yīng)用的為增

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2013-06-27

基礎(chǔ)知識(shí) 二極管 CMOS 導(dǎo)通電阻
IR推出40V汽車級(jí)COOLiRFET TM 為重載應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻以提升系統(tǒng)效率

21ic訊國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 宣布推出汽車級(jí)COOLiRFET ® MOSFET系列，為重載應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，這些應(yīng)用包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向

功率器件
2013-05-20

汽車 RF FET 導(dǎo)通電阻
東芝推出600V系統(tǒng)超級(jí)結(jié)MOSFET DTMOSIV高速二極管系列

21ic訊東芝公司(Toshiba Corporation)推出了基于第四代600V系統(tǒng)超級(jí)結(jié)(super junction)MOSFET“DTMOSIV”系列的高速二極管。新系列采用最新的單外延工藝打造，其每單位面積導(dǎo)通電阻(RON•A)較現(xiàn)有產(chǎn)

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2013-04-09

二極管 MOSFET 東芝導(dǎo)通電阻
東芝推出100V低導(dǎo)通電阻N溝道功率MOSFET

21ic訊東芝公司(Toshiba Corporation)已推出一款100V的低導(dǎo)通電阻、低漏電型功率MOSFET。該產(chǎn)品采用最新的溝道MOS工藝打造，成為汽車專用系列中的最新成員。新產(chǎn)品“TK55S10N1”的導(dǎo)通電阻較低，搭載以最

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2013-03-08

連接器功率MOSFET 東芝導(dǎo)通電阻
IR 推出具有基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻的全新300V功率MOSFET 有助于提升工業(yè)應(yīng)用的系統(tǒng)效率

國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業(yè)應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) ，這些工業(yè)應(yīng)用包括11

功率器件
2013-01-22

器件工業(yè)應(yīng)用功率MOSFET 導(dǎo)通電阻
Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的TrenchFET功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。這些MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，采用1mm x 1m

功率器件
2013-01-14

Vishay 功率MOSFET TRENCHFET 導(dǎo)通電阻
Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的TrenchFET功率MOSFET

21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。這些MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，采用1mm x 1mm x 0.55mm和1.6mm x 1.6mm x 0.6

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2013-01-14

Vishay 功率MOSFET TRENCHFET 導(dǎo)通電阻
整流二極管與穩(wěn)壓二極管有何異同

二極管的主要特性是單向?qū)щ娦?，也就是在正向電壓的作用下，?dǎo)通電阻很??；而在反向電壓作用下導(dǎo)通電阻極大或無(wú)窮大。正因?yàn)槎O管具有上述特性，電路中常把它用在整流、穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓原理：穩(wěn)壓二極管的特點(diǎn)就是

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2012-11-30

電路穩(wěn)壓二極管整流二極管導(dǎo)通電阻
Vishay發(fā)布新款采用20V P溝道MOSFET

21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實(shí)現(xiàn)在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下4.8mΩ最大導(dǎo)通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。Si7655DN還是首個(gè)采用新版本Vi

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2012-11-29

封裝 Vishay MOSFET 導(dǎo)通電阻
如何選擇模擬開(kāi)關(guān)

標(biāo)簽：模擬電子 IT 電路模擬開(kāi)關(guān)和多路轉(zhuǎn)換器的作用主要是用于信號(hào)的切換。目前集成模擬電子開(kāi)關(guān)在小信號(hào)領(lǐng)域已成為主導(dǎo)產(chǎn)品，與以往的機(jī)械觸點(diǎn)式電子開(kāi)關(guān)相比，集成電子開(kāi)關(guān)有許多優(yōu)點(diǎn)，例如切換速率快、無(wú)抖動(dòng)、耗

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2012-09-20

電源電壓模擬開(kāi)關(guān) 泄漏電流導(dǎo)通電阻
高品質(zhì)管理使LED驅(qū)動(dòng)更高效可靠

導(dǎo)讀：為L(zhǎng)ED驅(qū)動(dòng)提供高效可靠的電源轉(zhuǎn)換方案，如將TV中的AC-DC電源轉(zhuǎn)換與LED驅(qū)動(dòng)整體考慮，提供完整的解決方案;為了獲得較高的系統(tǒng)效率并解決散熱問(wèn)題，必須要求低導(dǎo)通電阻

電源-LED驅(qū)動(dòng)
2012-09-04

驅(qū)動(dòng)技術(shù) 照明 LED驅(qū)動(dòng) 導(dǎo)通電阻
高品質(zhì)管理使LED驅(qū)動(dòng)更高效可靠

導(dǎo)讀：為L(zhǎng)ED驅(qū)動(dòng)提供高效可靠的電源轉(zhuǎn)換方案，如將TV中的AC-DC電源轉(zhuǎn)換與LED驅(qū)動(dòng)整體考慮，提供完整的解決方案;為了獲得較高的系統(tǒng)效率并解決散熱問(wèn)題，必須要求低導(dǎo)通電阻，但是LED燈條需要高壓驅(qū)動(dòng)，高電壓、低導(dǎo)通

顯示光電
2012-08-31

驅(qū)動(dòng)技術(shù) 照明 LED驅(qū)動(dòng) 導(dǎo)通電阻
CMOS模擬開(kāi)關(guān)的選擇與典型應(yīng)用

一、前言：早期的模擬開(kāi)關(guān)大多工作于±20V 的電源電壓，導(dǎo)通電阻為幾百歐姆，主要用于模擬信號(hào)與數(shù)字控制的接口，近幾年，集成模擬開(kāi)關(guān)的性能有了很大的提高，它們可工作在非常低的電源電壓，具有較低的導(dǎo)通電

模擬
2012-08-20

電源電壓模擬開(kāi)關(guān) CMOS 導(dǎo)通電阻
新能源市場(chǎng)已成為功率MOSFET強(qiáng)勁增長(zhǎng)助力

目前，主要支撐MOSFET需求量的市場(chǎng)仍然來(lái)自于手機(jī)及筆記本電腦(Notebook)等大眾消費(fèi)類電子領(lǐng)域，且在一段時(shí)間內(nèi)將會(huì)持續(xù)保持一定的成長(zhǎng)率。但就未來(lái)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)領(lǐng)域，大多數(shù)廠商表示，太陽(yáng)能光伏、電動(dòng)車、LED照明及顯

消費(fèi)電子
2012-08-16

新能源功率器件功率MOSFET 導(dǎo)通電阻
新能源市場(chǎng)已成為功率MOSFET強(qiáng)勁增長(zhǎng)助力

目前，主要支撐MOSFET需求量的市場(chǎng)仍然來(lái)自于手機(jī)及筆記本電腦(Notebook)等大眾消費(fèi)類電子領(lǐng)域，且在一段時(shí)間內(nèi)將會(huì)持續(xù)保持一定的成長(zhǎng)率。但就未來(lái)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)領(lǐng)域，大多數(shù)廠商表示，太陽(yáng)能光伏、電動(dòng)車、LED照明及顯

消費(fèi)電子
2012-08-16

新能源功率器件功率MOSFET 導(dǎo)通電阻
瑞薩電子推出新款超級(jí)結(jié)MOSFET

21ic訊瑞薩電子公司日前宣布推出三款新型超級(jí)結(jié)金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)三極管（超級(jí)結(jié)MOSFET）（注1），具有如下的特點(diǎn)：600V功率半導(dǎo)體器件中的導(dǎo)通電阻X柵極電荷，適用于高速電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和DC-AC逆變器應(yīng)用。這

功率器件
2012-08-08

瑞薩電子電壓 MOSFET 導(dǎo)通電阻
瑞薩電子推出新款超級(jí)結(jié)MOSFET

21ic訊瑞薩電子公司日前宣布推出三款新型超級(jí)結(jié)金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)三極管（超級(jí)結(jié)MOSFET）（注1），具有如下的特點(diǎn)：600V功率半導(dǎo)體器件中的導(dǎo)通電阻X柵極電荷，適用于高速電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和DC-AC逆變器應(yīng)用。這

電源
2012-07-08

瑞薩電子電壓 MOSFET 導(dǎo)通電阻

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導(dǎo)通電阻

東芝擴(kuò)充低壓N通道MOSFET陣容

東芝擴(kuò)大用于基站和服務(wù)器的功率MOSFET陣容

MOS管使用掃盲

CMOS基礎(chǔ)知識(shí)

IR推出40V汽車級(jí)COOLiRFET TM 為重載應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻以提升系統(tǒng)效率

東芝推出600V系統(tǒng)超級(jí)結(jié)MOSFET DTMOSIV高速二極管系列

東芝推出100V低導(dǎo)通電阻N溝道功率MOSFET

IR 推出具有基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻的全新300V功率MOSFET 有助于提升工業(yè)應(yīng)用的系統(tǒng)效率

Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的TrenchFET功率MOSFET

Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的TrenchFET功率MOSFET

整流二極管與穩(wěn)壓二極管有何異同

Vishay發(fā)布新款采用20V P溝道MOSFET

如何選擇模擬開(kāi)關(guān)

高品質(zhì)管理使LED驅(qū)動(dòng)更高效可靠

高品質(zhì)管理使LED驅(qū)動(dòng)更高效可靠

CMOS模擬開(kāi)關(guān)的選擇與典型應(yīng)用

新能源市場(chǎng)已成為功率MOSFET強(qiáng)勁增長(zhǎng)助力

新能源市場(chǎng)已成為功率MOSFET強(qiáng)勁增長(zhǎng)助力

瑞薩電子推出新款超級(jí)結(jié)MOSFET

瑞薩電子推出新款超級(jí)結(jié)MOSFET

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