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新的SiA436DJ在1.2V的柵源電壓下就可以導通
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET®功率MOSFET。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強型PowerPAK® SC-70封裝，具有N溝道器件中最低的導通電阻。新的SiA436DJ在4.5V
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能使導通電阻下降的功率MOSFET相關情況解析方案
工程師在為汽車電子設計電源系統(tǒng)時可能會遇到在設計任何電源應用時都會面臨的挑戰(zhàn)。因為功率器件MOSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會使器件的結點溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
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恩智浦推出采用可焊性鍍錫側焊盤的MOSFET
21ic訊 恩智浦半導體日前推出業(yè)內首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側焊盤的超薄DFN （分立式扁平無引腳）封裝MOSFET。這些獨特的側焊盤提供光學焊接檢測的優(yōu)勢，與傳統(tǒng)無引腳封裝相比，焊接連接質量更好。即將面世的
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恩智浦推出采用可焊性鍍錫側焊盤的MOSFET
21ic訊 恩智浦半導體日前推出業(yè)內首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側焊盤的超薄DFN （分立式扁平無引腳）封裝MOSFET。這些獨特的側焊盤提供光學焊接檢測的優(yōu)勢，與傳統(tǒng)無引腳封裝相比，焊接連接質量更好。即將面世的
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IR推出采用TO-220 fullpak 封裝的車用功率MOSFET
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用堅固耐用TO-220 fullpak封裝的車用功率MOSFET系列，適合包括無刷直流電機、水泵和冷卻系統(tǒng)在內的各類汽車應用。在N和P通道配置中，該新型55V平面器
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能使導通電阻下降的功率MOSFET相關情況解析方案
工程師在為汽車電子設計電源系統(tǒng)時可能會遇到在設計任何電源應用時都會面臨的挑戰(zhàn)。因為功率器件MOSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會使器件的結點溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
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能使導通電阻下降的功率MOSFET相關情況解析方案
工程師在為汽車電子設計電源系統(tǒng)時可能會遇到在設計任何電源應用時都會面臨的挑戰(zhàn)。因為功率器件MOSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會使器件的結點溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
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D系列MOSFET采用高壓條帶技術
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導通電阻、超低柵極電荷和3A～36A電流，采用多種封裝。今天發(fā)布的D系列MOSFET基
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TrenchFET® Gen IV 30V N溝道功率MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度設計，在
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D系列MOSFET采用高壓條帶技術
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導通電阻、超低柵極電荷和3A～36A電流，采用多種封裝。今天發(fā)布的D系列MOSFET基
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TrenchFET® Gen IV 30V N溝道功率MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度設計，在
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TrenchFET® Gen IV 30V N溝道功率MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度設計，在
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精確測量功率MOSFET的導通電阻
電阻值的測量通常比較簡單。但是，對于非常小阻值的測量，我們必須謹慎對待我們所做的假定。對于特定的幾何形狀，如電線，Kelvin方法是非常精確的?？梢允褂妙愃频姆椒▉頊y量均勻樣本的體電阻率和面電阻率，但是所使
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精確測量功率MOSFET的導通電阻
電阻值的測量通常比較簡單。但是，對于非常小阻值的測量，我們必須謹慎對待我們所做的假定。對于特定的幾何形狀，如電線，Kelvin方法是非常精確的?？梢允褂妙愃频姆椒▉頊y量均勻樣本的體電阻率和面電阻率，但是所使
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電源開關設計基礎
作者：Philippe Pichot，德州儀器 (TI) 戰(zhàn)略市場營銷經理電源開關的使用較為復雜，甚至讓大多數(shù)電子產品設計人員都感到困惑，特別是對那些非電源管理專家而言。在各種各樣的應用中，例如：便攜式電子產品、消費類電子
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Vishay榮獲2012中國年度電子成就獎
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，該公司的SiZ710DT 20 V n溝道PowerPAIR 功率MOSFET榮獲功率器件/電壓轉換器類別的2012中國年度電子成就獎。中國電子成就獎的功率器件/電壓轉換器產品年
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對話Vishay:闊步創(chuàng)新50年，如何以專注贏得競爭優(yōu)勢？
Vishay亞洲區(qū)事業(yè)發(fā)展部總監(jiān)楊益彰由于需求和工藝的發(fā)展，很多半導體公司創(chuàng)立之初的業(yè)務經過多年的發(fā)展后總會發(fā)生很大變化，不過，有一家公司卻是個例外，50年前，F(xiàn)elixZandman博士創(chuàng)立了Vishay公司，生產高精密電
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對話Vishay:闊步創(chuàng)新50年，如何以專注贏得競爭優(yōu)勢？
Vishay亞洲區(qū)事業(yè)發(fā)展部總監(jiān)楊益彰由于需求和工藝的發(fā)展，很多半導體公司創(chuàng)立之初的業(yè)務經過多年的發(fā)展后總會發(fā)生很大變化，不過，有一家公司卻是個例外，50年前，F(xiàn)elixZandman博士創(chuàng)立了Vishay公司，生產高精密電
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威世展示豐富產品線 總部慶50歲生日
2月23下午，威世（Vishay）于深圳會展中心一號館舉行的IIC China 2012上展示該公司最新的業(yè)內領先的解決方案，Vishay亞洲區(qū)市場開發(fā)總監(jiān)Y.C. Yang（楊益彰）就距離傳感器在便攜式電子產品中的應用范圍做報告。與此同
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羅姆推出超低導通電阻的高耐壓功率MOSFET R5050DNZ0C9
21ic訊 日本知名半導體制造商羅姆株式會社面向太陽能發(fā)電的功率調節(jié)器市場，開發(fā)出實現(xiàn)了業(yè)內頂級低導通電阻的高耐壓功率MOSFET “R5050DNZ0C9” (500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。本產品采用散熱
