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新的SiA436DJ在1.2V的柵源電壓下就可以導(dǎo)通
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET®功率MOSFET。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強(qiáng)型PowerPAK® SC-70封裝，具有N溝道器件中最低的導(dǎo)通電阻。新的SiA436DJ在4.5V
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能使導(dǎo)通電阻下降的功率MOSFET相關(guān)情況解析方案
工程師在為汽車(chē)電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過(guò)120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問(wèn)題。在
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恩智浦推出采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤(pán)的MOSFET
21ic訊 恩智浦半導(dǎo)體日前推出業(yè)內(nèi)首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤(pán)的超薄DFN （分立式扁平無(wú)引腳）封裝MOSFET。這些獨(dú)特的側(cè)焊盤(pán)提供光學(xué)焊接檢測(cè)的優(yōu)勢(shì)，與傳統(tǒng)無(wú)引腳封裝相比，焊接連接質(zhì)量更好。即將面世的
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恩智浦推出采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤(pán)的MOSFET
21ic訊 恩智浦半導(dǎo)體日前推出業(yè)內(nèi)首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤(pán)的超薄DFN （分立式扁平無(wú)引腳）封裝MOSFET。這些獨(dú)特的側(cè)焊盤(pán)提供光學(xué)焊接檢測(cè)的優(yōu)勢(shì)，與傳統(tǒng)無(wú)引腳封裝相比，焊接連接質(zhì)量更好。即將面世的
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IR推出采用TO-220 fullpak 封裝的車(chē)用功率MOSFET
21ic訊 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出采用堅(jiān)固耐用TO-220 fullpak封裝的車(chē)用功率MOSFET系列，適合包括無(wú)刷直流電機(jī)、水泵和冷卻系統(tǒng)在內(nèi)的各類(lèi)汽車(chē)應(yīng)用。在N和P通道配置中，該新型55V平面器
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能使導(dǎo)通電阻下降的功率MOSFET相關(guān)情況解析方案
工程師在為汽車(chē)電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過(guò)120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問(wèn)題。在
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能使導(dǎo)通電阻下降的功率MOSFET相關(guān)情況解析方案
工程師在為汽車(chē)電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過(guò)120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問(wèn)題。在
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D系列MOSFET采用高壓條帶技術(shù)
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導(dǎo)通電阻、超低柵極電荷和3A～36A電流，采用多種封裝。今天發(fā)布的D系列MOSFET基
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TrenchFET® Gen IV 30V N溝道功率MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度設(shè)計(jì)，在
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D系列MOSFET采用高壓條帶技術(shù)
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導(dǎo)通電阻、超低柵極電荷和3A～36A電流，采用多種封裝。今天發(fā)布的D系列MOSFET基
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TrenchFET® Gen IV 30V N溝道功率MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度設(shè)計(jì)，在
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TrenchFET® Gen IV 30V N溝道功率MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度設(shè)計(jì)，在
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精確測(cè)量功率MOSFET的導(dǎo)通電阻
電阻值的測(cè)量通常比較簡(jiǎn)單。但是，對(duì)于非常小阻值的測(cè)量，我們必須謹(jǐn)慎對(duì)待我們所做的假定。對(duì)于特定的幾何形狀，如電線，Kelvin方法是非常精確的?？梢允褂妙?lèi)似的方法來(lái)測(cè)量均勻樣本的體電阻率和面電阻率，但是所使
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精確測(cè)量功率MOSFET的導(dǎo)通電阻
電阻值的測(cè)量通常比較簡(jiǎn)單。但是，對(duì)于非常小阻值的測(cè)量，我們必須謹(jǐn)慎對(duì)待我們所做的假定。對(duì)于特定的幾何形狀，如電線，Kelvin方法是非常精確的?？梢允褂妙?lèi)似的方法來(lái)測(cè)量均勻樣本的體電阻率和面電阻率，但是所使
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電源開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)基礎(chǔ)
作者：Philippe Pichot，德州儀器 (TI) 戰(zhàn)略市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理電源開(kāi)關(guān)的使用較為復(fù)雜，甚至讓大多數(shù)電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員都感到困惑，特別是對(duì)那些非電源管理專(zhuān)家而言。在各種各樣的應(yīng)用中，例如：便攜式電子產(chǎn)品、消費(fèi)類(lèi)電子
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Vishay榮獲2012中國(guó)年度電子成就獎(jiǎng)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，該公司的SiZ710DT 20 V n溝道PowerPAIR 功率MOSFET榮獲功率器件/電壓轉(zhuǎn)換器類(lèi)別的2012中國(guó)年度電子成就獎(jiǎng)。中國(guó)電子成就獎(jiǎng)的功率器件/電壓轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品年
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對(duì)話Vishay:闊步創(chuàng)新50年，如何以專(zhuān)注贏得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)？
Vishay亞洲區(qū)事業(yè)發(fā)展部總監(jiān)楊益彰由于需求和工藝的發(fā)展，很多半導(dǎo)體公司創(chuàng)立之初的業(yè)務(wù)經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展后總會(huì)發(fā)生很大變化，不過(guò)，有一家公司卻是個(gè)例外，50年前，F(xiàn)elixZandman博士創(chuàng)立了Vishay公司，生產(chǎn)高精密電
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對(duì)話Vishay:闊步創(chuàng)新50年，如何以專(zhuān)注贏得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)？
Vishay亞洲區(qū)事業(yè)發(fā)展部總監(jiān)楊益彰由于需求和工藝的發(fā)展，很多半導(dǎo)體公司創(chuàng)立之初的業(yè)務(wù)經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展后總會(huì)發(fā)生很大變化，不過(guò)，有一家公司卻是個(gè)例外，50年前，F(xiàn)elixZandman博士創(chuàng)立了Vishay公司，生產(chǎn)高精密電
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威世展示豐富產(chǎn)品線 總部慶50歲生日
2月23下午，威世（Vishay）于深圳會(huì)展中心一號(hào)館舉行的IIC China 2012上展示該公司最新的業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的解決方案，Vishay亞洲區(qū)市場(chǎng)開(kāi)發(fā)總監(jiān)Y.C. Yang（楊益彰）就距離傳感器在便攜式電子產(chǎn)品中的應(yīng)用范圍做報(bào)告。與此同
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羅姆推出超低導(dǎo)通電阻的高耐壓功率MOSFET R5050DNZ0C9
21ic訊 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社面向太陽(yáng)能發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器市場(chǎng)，開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)頂級(jí)低導(dǎo)通電阻的高耐壓功率MOSFET “R5050DNZ0C9” (500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。本產(chǎn)品采用散熱
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