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瑞薩電子推出低功耗P通道MOSFET
21ic訊 瑞薩電子株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱“瑞薩電子”）日前宣布推出包含五款低功耗P通道功率金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）系列產(chǎn)品，包括用于筆記本電腦中鋰離子（Li-ion）二級(jí)電池的充電控制開(kāi)關(guān)和與
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特瑞仕半導(dǎo)體推出LDO電壓調(diào)整器XC6603/XC6604
21ic訊 特瑞仕半導(dǎo)體 (TOREX SEMICONDUCTOR LTD.) 推出對(duì)應(yīng)0.5V 低輸入電壓的1A 高速LDO 電壓調(diào)整器XC6603/XC6604 系列產(chǎn)品。XC6603/XC6604系列產(chǎn)品是能從低電壓0.5V開(kāi)始工作的低導(dǎo)通電阻1A高速LDO電壓調(diào)整器XC6602的
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特瑞仕半導(dǎo)體推出LDO電壓調(diào)整器XC6603/XC6604
21ic訊 特瑞仕半導(dǎo)體 (TOREX SEMICONDUCTOR LTD.) 推出對(duì)應(yīng)0.5V 低輸入電壓的1A 高速LDO 電壓調(diào)整器XC6603/XC6604 系列產(chǎn)品。XC6603/XC6604系列產(chǎn)品是能從低電壓0.5V開(kāi)始工作的低導(dǎo)通電阻1A高速LDO電壓調(diào)整器XC6602的
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大功率VDMOS(200V)的設(shè)計(jì)研究
功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管是新一代電力電子開(kāi)關(guān)器件，在微電子工藝基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)電力設(shè)備高功率大電流的要求。自從垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散VDMOS(VerticalDou-ble-diff used Metal Oxide Semiconductor)新結(jié)構(gòu)誕生以來(lái)，電力MOSFET得到
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大功率VDMOS(200V)的設(shè)計(jì)研究
功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管是新一代電力電子開(kāi)關(guān)器件，在微電子工藝基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)電力設(shè)備高功率大電流的要求。自從垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散VDMOS(VerticalDou-ble-diff used Metal Oxide Semiconductor)新結(jié)構(gòu)誕生以來(lái)，電力MOSFET得到
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開(kāi)關(guān)電源的開(kāi)關(guān)損耗
基于電感的開(kāi)關(guān)電源（SM-PS）包含一個(gè)功率開(kāi)關(guān)，用于控制輸入電源流經(jīng)電感的電流。大多數(shù)開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)選擇MOSFET作開(kāi)關(guān)（圖1a中Q1），其主要優(yōu)點(diǎn)是MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)具有相對(duì)較低的功耗。 MOSFET完全打開(kāi)時(shí)的導(dǎo)
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大功率VDMOS(200 V)的設(shè)計(jì)研究
摘要：介紹了大功率VDMOS(200 V)的設(shè)計(jì)方法。對(duì)設(shè)計(jì)參數(shù)進(jìn)行了理論分析，并使用仿真工具時(shí)設(shè)計(jì)參數(shù)進(jìn)行了驗(yàn)證和優(yōu)化。設(shè)計(jì)中主要考慮了漏源電壓和導(dǎo)通電阻等參數(shù)指標(biāo)，通過(guò)器件和工藝的仿真，確定了該器件合理的參數(shù)
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大功率VDMOS(200 V)的設(shè)計(jì)研究
摘要：介紹了大功率VDMOS(200 V)的設(shè)計(jì)方法。對(duì)設(shè)計(jì)參數(shù)進(jìn)行了理論分析，并使用仿真工具時(shí)設(shè)計(jì)參數(shù)進(jìn)行了驗(yàn)證和優(yōu)化。設(shè)計(jì)中主要考慮了漏源電壓和導(dǎo)通電阻等參數(shù)指標(biāo)，通過(guò)器件和工藝的仿真，確定了該器件合理的參數(shù)
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Diodes新型P通道MOSFET以更小巧封裝提高效率
21ic訊 Diodes公司推出微型12V P通道強(qiáng)化型MOSFET——DMP1245UFCL，有助提升電池效率及減少電路板空間，并滿足空間局限的便攜式產(chǎn)品設(shè)計(jì)要求，如智能手機(jī)及平板計(jì)算機(jī)等。這款新MOSFET采用超精密及高熱效率
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Diodes推出新型P通道MOSFET--DMP1245UFCL
21ic訊 Diodes公司推出微型12V P通道強(qiáng)化型MOSFET——DMP1245UFCL，有助提升電池效率及減少電路板空間，并滿足空間局限的便攜式產(chǎn)品設(shè)計(jì)要求，如智能手機(jī)及平板計(jì)算機(jī)等。這款新MOSFET采用超精密及高熱效率
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Vishay Siliconix推出超小N溝道和P溝道功率MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級(jí)封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET®功率MOSFET所用的M
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羅姆推出34ｍΩ的低導(dǎo)通電阻
21ic訊 羅姆株式會(huì)社面向太陽(yáng)能發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器市場(chǎng)，開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)頂級(jí)低導(dǎo)通電阻的高耐壓功率MOSFET“R5050DNZ0C9”(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。 本產(chǎn)品采用散熱性卓越的TO247PLUS封裝
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羅姆推出導(dǎo)通電阻值Max0.5mΩ的跳線電阻器
21ic訊 羅姆株式會(huì)社開(kāi)發(fā)出導(dǎo)通電阻值降低到Max0.5mΩ、同時(shí)使額定電流大幅提高的超低阻值跳線電阻器“PMR跳線系列”。本產(chǎn)品已經(jīng)開(kāi)始提供樣品（樣品價(jià)格：20日元/個(gè)），并于9月份起以月產(chǎn)1000萬(wàn)個(gè)的
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羅姆推出34ｍΩ的低導(dǎo)通電阻
21ic訊 羅姆株式會(huì)社面向太陽(yáng)能發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器市場(chǎng)，開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)頂級(jí)低導(dǎo)通電阻的高耐壓功率MOSFET“R5050DNZ0C9”(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。 本產(chǎn)品采用散熱性卓越的TO247PLUS封裝
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Vishay發(fā)布新款MOSFET--SiR640DP和SiR662DP
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝，具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，以及最低的導(dǎo)通電阻與柵極電
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Vishay發(fā)布新款MOSFET--SiR640DP和SiR662DP
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝，具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，以及最低的導(dǎo)通電阻與柵極電
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IR推出新系列40V至200V車用MOSFET
21ic訊 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日推出車用 MOSFET 系列，可為一系列應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) ，包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動(dòng)發(fā)電機(jī) (ISA) 泵和電機(jī)控制，以及內(nèi)
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IR推出新系列40V至200V車用MOSFET
21ic訊 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日推出車用 MOSFET 系列，可為一系列應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) ，包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動(dòng)發(fā)電機(jī) (ISA) 泵和電機(jī)控制，以及內(nèi)
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Vishay Siliconix新款8V功率MOSFET創(chuàng)業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻紀(jì)錄
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導(dǎo)通的此類器件。新款SiB437EDK
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為便攜應(yīng)用選擇合適的低成本USB開(kāi)關(guān)
USB已經(jīng)成為PC與外備進(jìn)行通信的最通用標(biāo)準(zhǔn)。鍵盤、打印機(jī)、網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備、移動(dòng)電話、MP3播放器、數(shù)碼相機(jī)和游戲機(jī)等設(shè)備都可以通過(guò)USB接口與PC連接起來(lái)。USB應(yīng)用廠商論壇(USB-IF)為USB設(shè)立了標(biāo)準(zhǔn)，設(shè)備必須通過(guò)嚴(yán)格的測(cè)試后才能獲得USB認(rèn)證。
- 是德科技創(chuàng)新技術(shù)峰會(huì)來(lái)襲，報(bào)名領(lǐng)好禮
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