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Diodes公司應用的高熱效率、超小型DFN封裝的雙器件組合技術,推出便攜式充電設備的開關。Diodes 亞太區(qū)技術市場總監(jiān)梁后權先生指出,DMS2220LFDB和 DMS2120LFWB把一個20V的P溝道增強模式MOSFET與一個配套二極管組合封
基于ARM的開關量信號 采集模板的設計
1 配置負載自動切換開關的必要性 當今的市場經(jīng)濟和社會活動對信息網(wǎng)絡(互聯(lián)網(wǎng)、電信網(wǎng)、工業(yè)自動化控制網(wǎng)、政府的電子政務網(wǎng)站等)的依賴程度是如此之高,那怕是僅幾分鐘的“網(wǎng)絡癱瘓”就可能會給公司,企業(yè)及行政管
1 前言 用于控制、調節(jié)和開關目的的功率半導體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導體器件的開關動作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過使用典型的+15V控制電壓(VG(
1 前言 用于控制、調節(jié)和開關目的的功率半導體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導體器件的開關動作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過使用典型的+15V控制電壓(VG(
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近日,宜賓市人民政府與長虹集團戰(zhàn)略合作簽約儀式在宜賓翠屏山莊舉行。宜賓市委書記、市人大常委會主任楊冬生,市委副書記、市長吳光鐳,市領導葛燎原、呂曉莉、王開義、王力平以及長虹集團董事長趙勇等出席簽字儀式
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介紹了基于GaAs PHEMT工藝設計的一款寬帶反射型MMIC SPST開關的相關技術,基于成熟的微波單片集成電路設計平臺開展了寬帶SPST開關設計。工作頻率范圍為DC~40 GHz,插入損耗≤0.8 dB,隔離度≥25 dB,駐波比≤1.4:l。同時,對電路的通孔特性進行了分析,對電路設計流程進行了闡述。要獲得期望帶寬的開關,如何選擇控制器件的通孔連接方式,以及通孔數(shù)量對插入損耗等性能的影響。最終,具有小尺寸和優(yōu)異微波性能的GaAs微波單片集成單刀單擲開關電路成功開發(fā)。
時值金融風暴席卷全球一年之際,國際各大電子企業(yè)對全球市場經(jīng)濟并未像預期一樣喪失信心,尤其是在中國市場,國家相關政策的扶持和強大內需的拉動,使得電子廠商對中國市場充滿信心,并在經(jīng)濟危機的迷霧中探尋出一個
Intersil公司發(fā)布兩款緊湊型單極三擲開關 --- ISL54214和ISL54217,可消除手持設備中連接器過于擁塞的狀況,為業(yè)界提供了最佳的解決方案。新款ISL54214雙SP3T(單極三擲)開關或3:1復用器采用低工作電壓,將低抖動音
目前,電磁環(huán)境日趨惡劣,電子系統(tǒng)工作的可靠性和安全性受到了嚴重威脅。研究在復雜的電磁環(huán)境下,特別是在核電磁脈沖(NEMP)、雷電電磁脈沖(LEMP)和高功率微波(HPM)等強電磁環(huán)境下,電子系統(tǒng)的電磁兼容性問題顯得尤為
目前,電磁環(huán)境日趨惡劣,電子系統(tǒng)工作的可靠性和安全性受到了嚴重威脅。研究在復雜的電磁環(huán)境下,特別是在核電磁脈沖(NEMP)、雷電電磁脈沖(LEMP)和高功率微波(HPM)等強電磁環(huán)境下,電子系統(tǒng)的電磁兼容性問題顯得尤為
本文提出在FPGA芯片內插入多條移位寄存器鏈的方法,可使測試開關盒連線資源的時問比傳統(tǒng)的測試方法和已有的一種方法時間上減少了99%以上,大大降低了測試的時間,降低了測試成本,并且消耗的硬件面積比大約在5%左右,在可接受的范圍內。