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同方微電子攜手宏力半導(dǎo)體穩(wěn)定量產(chǎn)0.13微米最小閃存存儲(chǔ)單元SIM卡
近日，專注智能卡芯片設(shè)計(jì)的北京同方微電子有限公司(以下簡(jiǎn)稱“同方微電子”)與晶圓制造服務(wù)公司上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司(以下簡(jiǎn)稱“宏力半導(dǎo)體”)共同宣布,同方微電子采用宏力半導(dǎo)體0.13微米微縮版嵌入式閃存技術(shù)
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徠卡M新傳感器或?qū)⒏淖儌鞲衅魇袌?chǎng)發(fā)展
在Chipworks最新的相機(jī)傳感器系列文章中，他們對(duì)徠卡M中搭載的全新MAX 2400萬(wàn)像素傳感器給予了極高的評(píng)價(jià)： 徠卡全畫幅傳感器(CIS)由CMOSIS的合作伙伴意法半導(dǎo)體制造。意法半導(dǎo)體的IMG175 300mm銅制造工藝是為1.75微
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聯(lián)電宣布完成12V高壓eFlash制程驗(yàn)證
聯(lián)華電子(UMC，以下簡(jiǎn)稱聯(lián)電)宣布，已順利驗(yàn)證晶圓代工業(yè)界首個(gè)結(jié)合12V解決方案的高壓嵌入式快閃記憶體(eFlash)制程。此制程可將中大尺寸之觸控IC所需的驅(qū)動(dòng)高壓，以及存放演算法所需的eFlash，結(jié)合于同一顆高整合度
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推動(dòng)微納米技術(shù)的創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)化
物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展已經(jīng)是大勢(shì)所趨，并將給人類生活帶來巨大的變革。而近年來微納米技術(shù)的發(fā)展也成為了人們關(guān)注的焦點(diǎn)，微納米技術(shù)已經(jīng)發(fā)展到什么程度，接下來將會(huì)如何發(fā)展，如何適應(yīng)物聯(lián)網(wǎng)發(fā)展時(shí)代背景，讓業(yè)內(nèi)人士十分關(guān)
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和艦科技 領(lǐng)航中國(guó)集成電路工業(yè)
和艦科技(蘇州)有限公司坐落于馳名中外的蘇州工業(yè)園區(qū)，是一家具有雄厚外資、制造尖端集成電路的一流晶圓專工企業(yè)。第一座8英寸晶圓廠于2003年5月正式投產(chǎn)，總投資超過12億美元，最大月產(chǎn)量可達(dá)6萬(wàn)片。目前和艦是國(guó)內(nèi)
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中芯國(guó)際: 推出EEPROM平臺(tái)
上海2012年9月19日電 /美通社/ -- 中芯國(guó)際[0.29 0.00%]集成電路制造有限公司（"中芯國(guó)際"，紐約證交所股票代碼：SMI，香港聯(lián)交所代碼：981），中國(guó)最大的和最先進(jìn)的半導(dǎo)體代工廠，今天宣布推出其1.2伏（V）低功耗嵌
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電感式傳感器特點(diǎn)及分類
接近開關(guān)(電感式)具有以下特點(diǎn)：（1）結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，傳感器無活動(dòng)電觸點(diǎn)，因此工作可靠壽命長(zhǎng)。（2）靈敏度和分辨力高，能測(cè)出微米的位移變化。傳感器的輸出信號(hào)強(qiáng)，電壓靈敏度一般每毫米的位移可達(dá)數(shù)百毫伏的輸出。（3）
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中國(guó)IC設(shè)計(jì)的主流將是什么？
從芯片數(shù)量看當(dāng)前，從世界范圍來看，往先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)移動(dòng)的勢(shì)頭是很強(qiáng)大的。因?yàn)楦鞔缶A廠在28nm、20nm的投入巨大，將來產(chǎn)能成熟后，預(yù)計(jì)產(chǎn)能會(huì)很大。其成本的誘因是非常大的，使客戶有很大的動(dòng)力向28、20nm移動(dòng)。如
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顯微鏡下才能欣賞的微雕，僅紅細(xì)胞大小
藝術(shù)有時(shí)讓人覺得很親切，有時(shí)候讓人覺得很奇妙，有時(shí)候讓會(huì)讓人驚嘆到說不出話來。但藝術(shù)美是共通的，還能夠感染大家，讓大家感受到什么是美。微型雕塑家，無疑是從事藝術(shù)事業(yè)中較為獨(dú)特的一個(gè)群體。因?yàn)樗麄兊牡窨?/p>
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亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)（二）
3 仿真分析及具體設(shè)計(jì)結(jié)果3.1 仿真分析在亞微米的ESD結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中，一種常見的具體的ESD瞬態(tài)檢測(cè)電壓如圖2 VDD-VSS間的電壓鉗位結(jié)構(gòu)。其原理如下：主要利用結(jié)構(gòu)中的RC延遲作用，一般T=RC被設(shè)計(jì)為100ns-1000ns之間，而
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亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
1 引言ESD(Electric Static Discharge)保護(hù)結(jié)構(gòu)的有效設(shè)計(jì)是CMOS集成電路可靠性設(shè)計(jì)的重要任務(wù)之一，其ESD結(jié)構(gòu)與工藝技術(shù)、特征尺寸密切相關(guān)，隨著IC工藝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，特征尺寸越來越小，管子的柵氧層厚度越來越
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超細(xì)線蝕刻工藝技術(shù)介紹
超細(xì)線蝕刻工藝技術(shù)介紹目前，集成度呈越來越高的趨勢(shì)，許多公司紛紛開始SOC技術(shù)，但SOC并不能解決所有系統(tǒng)集成的問題，因此在封裝研究中心（PRC）以及許多其它研究機(jī)構(gòu)，均將系統(tǒng)封裝（SOP或稱SiP）視為SOC解決方案
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張忠謀臺(tái)積電：28nm營(yíng)收三級(jí)跳
臺(tái)積電董事長(zhǎng)暨總執(zhí)行長(zhǎng)張忠謀表示，由于使用者對(duì)于諸如智慧型手機(jī)或平板電腦等行動(dòng)裝置產(chǎn)品的功耗與效能要求日益嚴(yán)苛，因此促使28nm制程的需求量有增無減;臺(tái)積電透過中科十五廠產(chǎn)能調(diào)節(jié)后，已可較上半年提供客戶更多
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張忠謀：臺(tái)積電的28nm營(yíng)收三級(jí)跳
臺(tái)積電董事長(zhǎng)暨總執(zhí)行長(zhǎng)張忠謀表示，由于使用者對(duì)于諸如智慧型手機(jī)或平板電腦等行動(dòng)裝置產(chǎn)品的功耗與效能要求日益嚴(yán)苛，因此促使28nm制程的需求量有增無減；臺(tái)積電透過中科十五廠產(chǎn)能調(diào)節(jié)后，已可較上半年提供客戶更
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張忠謀臺(tái)積電：28nm營(yíng)收三級(jí)跳
臺(tái)積電董事長(zhǎng)暨總執(zhí)行長(zhǎng)張忠謀表示，由于使用者對(duì)于諸如智慧型手機(jī)或平板電腦等行動(dòng)裝置產(chǎn)品的功耗與效能要求日益嚴(yán)苛，因此促使28nm制程的需求量有增無減；臺(tái)積電透過中科十五廠產(chǎn)能調(diào)節(jié)后，已可較上半年提供客戶更
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臺(tái)積電張忠謀:28nm營(yíng)收三級(jí)跳
臺(tái)積電28奈米(nm)制程代工營(yíng)收再創(chuàng)佳績(jī)。在中科十五廠產(chǎn)能調(diào)節(jié)挹注下，臺(tái)積電28奈米供貨不足問題已獲得有效解決，并已開始帶動(dòng)出貨量持續(xù)向上，預(yù)計(jì)下半年該產(chǎn)品線可占該公司晶圓銷售營(yíng)收逾20%。 臺(tái)積電董事長(zhǎng)暨總執(zhí)
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專訪臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀臺(tái)積電28奈米營(yíng)收三級(jí)跳
臺(tái)積電董事長(zhǎng)暨總執(zhí)行長(zhǎng)張忠謀表示，由于使用者對(duì)于諸如智慧型手機(jī)或平板電腦等行動(dòng)裝置產(chǎn)品的功耗與效能要求日益嚴(yán)苛，因此促使28奈米制程的需求量有增無減；臺(tái)積電透過中科十五廠產(chǎn)能調(diào)節(jié)后，已可較上半年提供客戶
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宏力半導(dǎo)體成功開發(fā)0.13微米嵌入式EEPROM模塊
中國(guó)上海，2012年7月30日-上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司(以下簡(jiǎn)稱“宏力半導(dǎo)體”)，專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造領(lǐng)先企業(yè)，宣布成功開發(fā)出高可靠性的0.13微米嵌入式EEPROM模塊(具有單字節(jié)擦寫能力)。宏力半導(dǎo)體先進(jìn)的
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宏力半導(dǎo)體成功開發(fā)0.13微米嵌入式EEPROM模塊
中國(guó)上海，2012年7月30日-上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司(以下簡(jiǎn)稱“宏力半導(dǎo)體”)，專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造領(lǐng)先企業(yè)，宣布成功開發(fā)出高可靠性的0.13微米嵌入式EEPROM模塊(具有單字節(jié)擦寫能力)。宏力半導(dǎo)體先進(jìn)的
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宏力半導(dǎo)體推出0.13微米嵌入式EEPROM模塊
上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司（以下簡(jiǎn)稱“宏力半導(dǎo)體”）宣布成功開發(fā)出高可靠性的0.13微米嵌入式EEPROM模塊（具有單字節(jié)擦寫能力）。 宏力半導(dǎo)體先進(jìn)的0.13微米嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)技術(shù)，第一次在0.13微米1.5伏低漏電
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