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IDT關(guān)廠 下單臺(tái)積
混合信號(hào)芯片大廠美商艾迪特科技（IDT）去年與晶圓代工龍頭臺(tái)積電（2330）簽訂代工合約后，IDT已于2月完成對(duì)臺(tái)積電制程認(rèn)證，5月起正式下單，制程大于0.35微米產(chǎn)品下單臺(tái)積電Fab3，小于0.35微米產(chǎn)品則下單臺(tái)積電Fab8
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世界先進(jìn)產(chǎn)品線
世界先進(jìn)首季營(yíng)收比重中，邏輯產(chǎn)品占營(yíng)收比重89%，DRAM11%。在邏輯產(chǎn)品線中，由于電視、PC及手機(jī)等帶動(dòng)需求，大尺寸驅(qū)動(dòng)IC營(yíng)收季增49%，占邏輯產(chǎn)品50%，小尺寸占邏輯產(chǎn)品線比重16%，營(yíng)收也比上季增加47%。此外，電源
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硅片價(jià)格與掩模價(jià)格趨勢(shì)
GSA（全球半導(dǎo)體合作聯(lián)盟）每個(gè)季度對(duì)于全球部分fabless和IDM企業(yè)進(jìn)行每個(gè)硅片的平均制造價(jià)格和每套掩模的平均售價(jià)進(jìn)行抽樣調(diào)查。硅片的制造價(jià)格逐漸呈下降趨勢(shì)， 如圖1所示， 每個(gè)季度的各種不同尺寸產(chǎn)出硅片的價(jià)格
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TSMC發(fā)布0.18微米車用嵌入式閃存硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)
TSMC 日前宣布推出0.18微米車用嵌入式閃存硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)，是TSMC第二代符合AEC-Q100產(chǎn)品高規(guī)格認(rèn)證之硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)，適用于廣泛的車用電子產(chǎn)品。TSMC 0.18微米車用嵌入式閃存硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)與0.25微米嵌入式閃存硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)相較
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TSMC發(fā)布0.18微米車用嵌入式閃存硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)
TSMC27日宣布推出0.18微米車用嵌入式閃存硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)，是TSMC第二代符合AEC-Q100產(chǎn)品高規(guī)格認(rèn)證之硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)，適用于廣泛的車用電子產(chǎn)品。TSMC0.18微米車用嵌入式閃存硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)與0.25微米嵌入式閃存硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)相較，
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TSMC發(fā)布0.18微米車用嵌入式閃存硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)
TSMC 27日宣布推出0.18微米車用嵌入式閃存硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)，是TSMC第二代符合AEC-Q100產(chǎn)品高規(guī)格認(rèn)證之硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)，適用于廣泛的車用電子產(chǎn)品。TSMC 0.18微米車用嵌入式閃存硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)與0.25微米嵌入式閃存硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)相較
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臺(tái)積電暫未打算升級(jí)上海松江工廠
臺(tái)積電多元布局大陸半導(dǎo)體市場(chǎng)，針對(duì)何時(shí)將向政府申請(qǐng)上海松江廠0.13微米制程升級(jí)案，臺(tái)積電低調(diào)表示，將待適當(dāng)時(shí)機(jī)提出申請(qǐng)，沒(méi)有時(shí)間表。法人指出，臺(tái)積電0.13微米制程制程成熟、良率很高，一旦登陸，不僅牽動(dòng)臺(tái)積
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臺(tái)積暫未打算升級(jí)上海松江工廠
臺(tái)積電多元布局大陸半導(dǎo)體市場(chǎng)，針對(duì)何時(shí)將向政府申請(qǐng)上海松江廠0.13微米制程升級(jí)案，臺(tái)積電低調(diào)表示，將待適當(dāng)時(shí)機(jī)提出申請(qǐng)，沒(méi)有時(shí)間表。法人指出，臺(tái)積電0.13微米制程制程成熟、良率很高，一旦登陸，不僅牽動(dòng)臺(tái)積
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松江廠升級(jí)0.13微米 臺(tái)積沒(méi)時(shí)間表
臺(tái)積電多元布局大陸半導(dǎo)體市場(chǎng)，針對(duì)何時(shí)將向政府申請(qǐng)上海松江廠0.13微米制程升級(jí)案，臺(tái)積電低調(diào)表示，將待適當(dāng)時(shí)機(jī)提出申請(qǐng)，沒(méi)有時(shí)間表。 法人指出，臺(tái)積電0.13微米制程制程成熟、良率很高，一旦登陸，不僅
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曹興誠(chéng)：沒(méi)有不可能、武士道2精神 授與聯(lián)電團(tuán)隊(duì)
聯(lián)電(2303)榮譽(yù)董事長(zhǎng)曹興誠(chéng)于今(21)日聯(lián)電三十周年慶祝活動(dòng)中，透過(guò)視訊聯(lián)機(jī)與全球聯(lián)電員工分享他當(dāng)年創(chuàng)設(shè)公司后，所一路秉持的兩大精神，包括「沒(méi)有不可能」、「武士道精神」等，傳承給目前的聯(lián)電經(jīng)營(yíng)團(tuán)隊(duì)，并相信
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CCD微米級(jí)圓鋼光電測(cè)徑儀設(shè)計(jì)
摘要: 提出了線陣CCD微米級(jí)非接觸式圓鋼光電測(cè)徑儀的設(shè)計(jì)方案，并以ARM微處理器和單片機(jī)為核心實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)；解決了傳統(tǒng)圓鋼測(cè)徑方法接觸式測(cè)量的局限問(wèn)題，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、小型化、非接觸、精度高等特點(diǎn)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明
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華潤(rùn)上華在北京舉辦工藝技術(shù)培訓(xùn)
華潤(rùn)上華科技有限公司(“華潤(rùn)上華”)主辦、北京集成電路設(shè)計(jì)園協(xié)辦的“2010 CSMC 工藝培訓(xùn)(北京)”在北京舉行，有百余位主要來(lái)自北京的IC設(shè)計(jì)公司、大學(xué)、研究所的IC 設(shè)計(jì)人員和業(yè)務(wù)主管繞有興趣
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CCD微米級(jí)圓鋼光電測(cè)徑儀設(shè)計(jì)
摘要: 提出了線陣CCD微米級(jí)非接觸式圓鋼光電測(cè)徑儀的設(shè)計(jì)方案，并以ARM微處理器和單片機(jī)為核心實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)；解決了傳統(tǒng)圓鋼測(cè)徑方法接觸式測(cè)量的局限問(wèn)題，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、小型化、非接觸、精度高等特點(diǎn)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明
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新型深亞微米電流靈敏放大器技術(shù)設(shè)計(jì)
隨著便攜式電子設(shè)備(PDA、射頻卡、GPS等)的廣泛應(yīng)用，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器得到了長(zhǎng)足的發(fā)展。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的性能將直接影響到系統(tǒng)在速度等方面的性能。因此，設(shè)計(jì)能夠高速存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器便成為當(dāng)今集成電路設(shè)計(jì)的一個(gè)研究熱點(diǎn)
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世界先進(jìn)8吋廠
世界先進(jìn)的8吋廠是在2007年3月時(shí)，華邦電子(Windbond)董事會(huì)通過(guò)，將以約新臺(tái)幣83億元的價(jià)格，出售位于新竹科學(xué)園區(qū)力行路之8吋晶圓廠所屬?gòu)S房、設(shè)施、晶圓制造設(shè)備與零配件給世界先進(jìn)，其資產(chǎn)移轉(zhuǎn)時(shí)間訂于2008年1月
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中芯國(guó)際集成電路制造有限公司2009年年度業(yè)績(jī)公布
概要 財(cái)務(wù)： 董事會(huì)欣然宣布本公司截至二零零九年十二月三十一日止年度的經(jīng)審核業(yè)績(jī)。 摘要資料包括： 銷售額由二零零八年的1,353.7百萬(wàn)美元下跌20.9%至二零零九年的1,070.4百萬(wàn)美元，主要是由於整體晶圓付運(yùn)量減少
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中芯國(guó)際發(fā)布2009年財(cái)報(bào)銷售額下滑20.9%
年度報(bào)告概要財(cái)務(wù)：董事會(huì)欣然宣布本公司截至二零零九年十二月三十一日止年度的經(jīng)審核業(yè)績(jī)。摘要資料包括：銷售額由二零零八年的1,353.7百萬(wàn)美元下跌20.9%至二零零九年的1,070.4百萬(wàn)美元，主要是由於整體晶圓付運(yùn)量減
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中芯國(guó)際發(fā)布2009年財(cái)報(bào) 銷售額下滑20.9%
年度報(bào)告概要?財(cái)務(wù)：董事會(huì)欣然宣布本公司截至二零零九年十二月三十一日止年度的經(jīng)審核業(yè)績(jī)。摘要資料包括：銷售額由二零零八年的1,353.7百萬(wàn)美元下跌20.9%至二零零九年的1,070.4百萬(wàn)美元，主要是由於整體晶圓付運(yùn)量
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TSMC 0.25微米車用嵌入式Flash出貨60萬(wàn)
TSMC于4月21日宣布該公司符合汽車電子AEC-Q100第一級(jí)(AEC-Q100 grade1)高規(guī)格要求之0.25微米嵌入式閃存工藝，累積出貨量已達(dá)到60萬(wàn)片八吋晶圓，為客戶產(chǎn)出各種不同汽車電子應(yīng)用之集成電路產(chǎn)品，相當(dāng)于微控制器(MCU)的
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TSMC0.25微米車用嵌入式快閃記憶體出貨已達(dá)60萬(wàn)片八吋晶圓
TSMC21日宣布該公司符合汽車電子AEC-Q100第一級(jí)(AEC-Q100grade1)高規(guī)格要求之0.25微米嵌入式快閃記憶體工藝，累積出貨量已達(dá)到60萬(wàn)片八吋晶圓，為客戶產(chǎn)出各種不同汽車電子應(yīng)用之集成電路產(chǎn)品，相當(dāng)于微控制器(MCU)的
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