感測芯片

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2014年科技產(chǎn)業(yè)十大趨勢預(yù)測

根據(jù)資策會MIC的觀察分析， 2013年全球經(jīng)濟(jì)未有大幅起色，預(yù)估 2014年可望出現(xiàn)較佳的成長動能，不過在主要地區(qū)市場消費(fèi)者信心尚未有明顯回升趨勢下，估計(jì)整體景氣回升的力道相對緩和，2014年高科技產(chǎn)業(yè)仍將面臨不確定

消費(fèi)電子
2014-01-07

趨勢預(yù)測供應(yīng)鏈通訊感測芯片
改寫游戲史及3C產(chǎn)品的「芯片界明日之星」：感測芯片

改寫游戲史及3C產(chǎn)品的「芯片界明日之星」：感測芯片

嵌入式動態(tài)
2012-05-29

智能化計(jì)算機(jī) 感測芯片
聯(lián)電MEMS感測芯片　邁入量產(chǎn)

晶圓代工廠聯(lián)電投入微機(jī)電 (MEMS)技術(shù)開發(fā)已3年，19日宣布成功產(chǎn)出CMOS-MEMS感測芯片，預(yù)計(jì)2011年投入量產(chǎn)。聯(lián)電CMOS-MEMS技術(shù)制造的麥克風(fēng)元件已完成功能驗(yàn)證，訊噪比 (S/N ratio) 已可達(dá)到 56dBA 以上的水平，其性

消費(fèi)電子
2011-01-20

聯(lián)電 MEMS CMOS 感測芯片
聯(lián)電MEMS感測芯片成功產(chǎn)出

晶圓代工廠聯(lián)電投入微機(jī)電 (MEMS)技術(shù)開發(fā)已3年，19日宣布成功產(chǎn)出CMOS-MEMS感測芯片，預(yù)計(jì)2011年投入量產(chǎn)。聯(lián)電CMOS-MEMS技術(shù)制造的麥克風(fēng)元件已完成功能驗(yàn)證，訊噪比 (S/N ratio) 已可達(dá)到 56dBA 以上的水平，其性

模擬
2011-01-20

聯(lián)電 MEMS CMOS 感測芯片
聯(lián)電MEMS感測芯片　邁入量產(chǎn)

晶圓代工廠聯(lián)電投入微機(jī)電 (MEMS)技術(shù)開發(fā)已3年，19日宣布成功產(chǎn)出CMOS-MEMS感測芯片，預(yù)計(jì)2011年投入量產(chǎn)。聯(lián)電CMOS-MEMS技術(shù)制造的麥克風(fēng)元件已完成功能驗(yàn)證，訊噪比 (S/N ratio) 已可達(dá)到 56dBA 以上的水平，其性

模擬
2011-01-20

聯(lián)電 MEMS CMOS 感測芯片
HDNS2000光學(xué)感測芯片在運(yùn)動檢測中的應(yīng)用

本文介紹HDNS2000的功能、特點(diǎn)，從硬件與軟件兩個(gè)方面討論HDNS2000與AVR單片機(jī)的接口設(shè)計(jì)。

測試測量
2004-12-07

光學(xué) DNS S2000 感測芯片
HDNS2000光學(xué)感測芯片在運(yùn)動檢測中的應(yīng)用

本文介紹HDNS2000的功能、特點(diǎn)，從硬件與軟件兩個(gè)方面討論HDNS2000與AVR單片機(jī)的接口設(shè)計(jì)。

數(shù)字電源
2004-12-04

光學(xué) DNS S2000 感測芯片
HDNS2000光學(xué)感測芯片在運(yùn)動檢測中的應(yīng)用

本文介紹HDNS2000的功能、特點(diǎn)，從硬件與軟件兩個(gè)方面討論HDNS2000與AVR單片機(jī)的接口設(shè)計(jì)。

數(shù)字電源
2004-12-04

光學(xué) DNS S2000 感測芯片

感測芯片

2014年科技產(chǎn)業(yè)十大趨勢預(yù)測

改寫游戲史及3C產(chǎn)品的「芯片界明日之星」：感測芯片

聯(lián)電MEMS感測芯片　邁入量產(chǎn)

聯(lián)電MEMS感測芯片成功產(chǎn)出

聯(lián)電MEMS感測芯片　邁入量產(chǎn)

HDNS2000光學(xué)感測芯片在運(yùn)動檢測中的應(yīng)用

HDNS2000光學(xué)感測芯片在運(yùn)動檢測中的應(yīng)用

HDNS2000光學(xué)感測芯片在運(yùn)動檢測中的應(yīng)用

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