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[導讀]晶圓代工廠聯(lián)電投入微機電 (MEMS)技術開發(fā)已3年,19日宣布成功產出CMOS-MEMS感測芯片,預計2011年投入量產。聯(lián)電CMOS-MEMS技術制造的麥克風元件已完成功能驗證,訊噪比 (S/N ratio) 已可達到 56dBA 以上的水平,其性

晶圓代工廠聯(lián)電投入微機電 (MEMS)技術開發(fā)已3年,19日宣布成功產出CMOS-MEMS感測芯片,預計2011年投入量產。

聯(lián)電CMOS-MEMS技術制造的麥克風元件已完成功能驗證,訊噪比 (S/N ratio) 已可達到 56dBA 以上的水平,其性能極具國際競爭力,預計將于2011年上半年提供工程樣品,接著便能進入量產。CMOS-MEMS加速度計的產品開發(fā)也己符合消費性電子產品之應用規(guī)格 (1g ~16g),其功能也達量產的目標。

聯(lián)電指出,除已與多家客戶合作開發(fā)各樣的MEMS芯片和高度集成的CMOS-MEMS產品,擴展微機電傳感器于生活或環(huán)境監(jiān)測之高階應用之外,聯(lián)電也以自身多樣性的CMOS制程技術,提供微機電專用ASIC芯片之專工服務,以支持各種微機電應用。

聯(lián)電表示,MEMS技術開發(fā)是一項極大挑戰(zhàn),目前已有不錯成果;客戶MEMS麥克風元件已完成功能驗證,訊噪比可達56dBA以上,預計今年上半年提供工程樣品,隨即可導入量產。

聯(lián)電MEMS加速度計產品開發(fā)也已符合消費性電子產品的應用規(guī)格,功能也達量產目標;此外,聯(lián)電也與多家客戶合作開發(fā)各樣MEMS芯片產品,擴展微機電傳感器在生活或環(huán)境監(jiān)測的高階應用。

聯(lián)電表示,隨著MEMS傳感器應用日益普及,MEMS專工服務需求急遽增加,聯(lián)電未來將開放MEMS技術,提供產業(yè)及學術界開發(fā)新元件。

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