晶體管
-
晶體管的三種接法 靜態(tài)工作點和交流性能計算問題
通過對單管共射放大電路的分析和計算，使得放大電路的組成原則更明確和具體了。放大的關鍵是發(fā)揮晶體管的控制作用。在共射電路中，晶體管的b-e為輸入端，c-e為輸出端，利用iB對iC的控制作用，實現(xiàn)了電流放大和電壓放大。有沒有其他的控制關系呢?比如，能不能用iB去控制iE?用iE去控制iC?用iC去控制iE?在實現(xiàn)這些控制的過程中，電路能不能得到功率的放大?我們先把這幾種電流控制關系的示意圖表示在下圖中，以便分析和比較。圖a是iB對iC的控制，是以e極為公共端，這就是前面介紹過的共射接法;圖b是iB對iE的控制
-
Intel的委屈誰能懂？10nm質量雖高卻陷入難產的漩渦
要知道，臺積電當初做代工也是得到了Intel悉心指導的，沒想到現(xiàn)在被臺積電、三星各種領先，特別是10nm工藝節(jié)點被這兩家甩開。
-
新型二維材料或將續(xù)寫摩爾定律對晶體管的預言
近年來，半導體行業(yè)總是籠罩在摩爾定律難以為繼的陰霾之下。但北京大學物理學院研究員呂勁團隊與楊金波、方哲宇團隊最新研究表明，新型二維材料或將續(xù)寫摩爾定律對晶體管的預言。他們在預測出“具有蜂窩狀原子排布的碳原子摻雜氮化硼(BNC)雜化材料是一種全新二維材料”后，這次發(fā)表在《納米通訊》上的研究，通過實驗證實了這類材料存在能谷極化現(xiàn)象，并具有從紫外拓展到可見光、近紅外以及遠紅外波段的可調能隙功能。
-
開關三極管，加速電容的分析！
由于電荷存儲效應，晶體管BE之間有一接電容，與Rb構成RC電路，時間常數(shù)較大影響了晶體管的導通和截至速度（即開關速度）
-
晶體管音頻混合器電路圖
三個或者三個以上的不同電平的輸入控制流入Q1基極的電流，這些電流可為Q1的基極提供20的電壓增益。晶體管音頻混合器電路圖：
-
IBM“全包圍門”結構，晶體管的未來
摩爾定律在20年前就被唱衰，但直到現(xiàn)在，半導體工程師們仍然發(fā)揚釘子精神，從方寸之地騰挪出無限空間。
-
怎樣讀懂放大電路圖
讀放大電路圖時也還是按照“逐級分解、抓住關鍵、細致分析、全面綜合”的原則和步驟進行。首先把整個放大電路按輸入、輸出逐級分開，然后逐級抓住關鍵進行分析弄通原理。放大電路有它本身的特點：一是有靜態(tài)和動態(tài)兩種工作狀態(tài)，所以有時往往要畫出它的直流通路和交流通路才能進行分析;二是電路往往加有負反饋，這種反饋有時在本級內，有時是從后級反饋到前級，所以在分析這一級時還要能“瞻前顧后”。在弄通每一級的原理之后就可以把整個電路串通起來進行全面綜合。
-
晶體管音頻混合器
三個或者三個以上的不同電平的輸入控制流入Q1基極的電流，這些電流可為Q1的基極提供20的電壓增益。
-
晶體管突破形態(tài)極限 柔性計算機將成現(xiàn)實
據(jù)外媒《物理科學》官方網站報道，來自卡內基·梅隆大學的機械工程師卡梅爾·馬杰迪和詹姆斯·魏斯曼是液態(tài)金屬領域的杰出研究者。他們發(fā)現(xiàn)用液態(tài)合金能夠制作出晶體管，從而讓更多電子元件實現(xiàn)柔性轉化。
-
晶控本機振蕩器電路圖
該振蕩器可能包括幾個轉換晶體管，這些晶體管是用來提供信道化操作的。如果需要的話，可增加一個緩沖放大器。
-
晶體管驅動負載技巧及選擇的注意事項
在電子制作時，經常涉及到需要控制蜂鳴器、繼電器、電機等元件，發(fā)現(xiàn)晶體管負載的不同接法，效果差別很大，有的接法甚至會導致電路工作不可靠，下面將介紹常見的負載驅動電路、驅動電路及元器件的選擇和使用進行討論。
-
三選一的信號開關，多路開關 CD4027多路開關
本設計實例，使用一個單刀瞬時接觸開關，通過滾動三個輸出態(tài)選擇三個信號源中的一個。附圖中的電路包括常用的CD4000 CM0s邏輯系列器件，以及一只通用NPN晶體管。所有元件的總成本不超過1美元。在任何一個時點上.電路
-
實用簡易晶體管可調穩(wěn)壓電源的設計制作
電子受好者在維修收音機等實踐中.常需要一臺直流穩(wěn)壓電源，代替電池作為電源之用。筆者設想用市面有賣的元器件，設計制作一臺簡易晶體管可調穩(wěn)壓電源，自己DIY出來，還是很成功的。喜悅之情是不用言表了。這臺穩(wěn)壓電
-
Intel 64層閃存率先商用10nm：晶體管密度增2.7倍
Intel這幾年制造工藝的推進緩慢頗受爭議，而為了證明自己的技術先進性，Intel日前在北京公開展示了10nm工藝的CPU處理器、FPGA芯片，并宣稱同樣是10nm，自己要比對手領先一代，還透露了未來7nm、5nm、3nm工藝規(guī)劃。
-
華為麒麟970處理器真身！55億晶體管恐怖
按照慣例，華為會在溝通會上分享更多麒麟970的研發(fā)內幕、功能特點以及消費者最為關心的技術細節(jié)。IFA上未能了解全面的花粉，此次溝通會不容錯過。
-
基于LabVIEW的三極管老化測試系統(tǒng)設計
針對一些功率器件(功率三極管、VDMOS,IGBT等),通過有規(guī)律給元器件通電和斷電,循環(huán)施加電應力和熱應力,可以檢驗其承受循環(huán)應力的能力?；谏鲜鲈?借助可視化編程語言LabVIEW和NI系列sb RIO-9612板卡,本文設計了一種三極管老化測試系統(tǒng),該系統(tǒng)滿足國軍標GJB1036的試驗要求,每個工位的采樣時間不大于4μs,總共64工位的采樣周期不大于300μs,滿足了快速控制的要求,同時還不失精準,電壓和電流的采樣分辨率達到了12 bit,精度達到1%,從而控制了器件結溫誤差。
-
EPC產品榮獲2017年度“Top10電源產品–最佳應用獎”
宜普電源轉換公司(EPC)第五代氮化鎵(eGaN®)晶體管及集成電路系列榮獲《今日電子》與21IC中國電子網頒發(fā)2017年度“Top10電源產品—最佳應用獎”。該獎項在2017年9月15日于北京舉行的電源技術研討會上頒發(fā)。
-
“英特爾精尖制造日”首推全球晶體管密度最高的制程工藝
今天舉行，展示了英特爾制程工藝的多項重要進展，包括：英特爾10納米制程功耗和性能的最新細節(jié)，英特爾首款10納米FPGA的計劃，并宣布了業(yè)內首款面向數(shù)據(jù)中心應用的64層3D NAND產品已實現(xiàn)商用并出貨。
-
英特爾首款10納米FPGA計劃
“英特爾精尖制造日”活動今天舉行，展示了英特爾制程工藝的多項重要進展，包括：英特爾10納米制程功耗和性能的最新細節(jié)，英特爾首款10納米FPGA的計劃，并宣布了業(yè)內首款面向數(shù)據(jù)中心應用的64層3D NAND產品已實現(xiàn)商用并出貨。
-
抑制啟動電流的好方法
最簡單的辦法是串個電感，利用通過電感的電流不能突變的特性來抑制峰值，但此法體積較大。更好的方法是利用晶體管限流電路來做軟啟動，最好的辦法則是改進電源電路本身來實現(xiàn)軟啟動。
