晶體管
-
臺灣研出16納米SRAM技術 使電子設備更輕薄
【導讀】臺灣科研機構今天宣布，開發(fā)出全球第一個16納米的SRAM新組件，由于可容納晶體管是現(xiàn)行45納米的10倍，這可使未來電子設備更輕薄. 臺灣科研機構今天宣布，開發(fā)出全球第一個16納米的SRAM新組件，由于可容納晶
-
臺灣研制出最新芯片 筆記本重量減至500克
【導讀】12月17日消息，據研究人員和分析人士17日稱，位于臺灣新竹北部的“國研院”納米元件實驗室成功地在一個小型芯片中封裝了更多的晶體管。 12月17日消息，據研究人員和分析人士17日稱，位于臺灣新竹北部的“
-
美韓科學家制成世界上首個分子晶體管
【導讀】美國耶魯大學23日發(fā)表新聞公報稱，該校及韓國光州科學技術研究院科學家最近合作制成世界上首個分子晶體管，制作分子晶體管的材料是單個苯分子。 美國耶魯大學23日發(fā)表新聞公報稱，該校及韓國光州科學技術
-
富士通：可在任何材料表面生產電源供應晶體管
【導讀】不久前，科技大廠富士通發(fā)表了一項非常特別的半導體生產技術，這項技術幾乎可以在任何材料表面上生產電源供應晶體管（power-supply transistors），包含傳統(tǒng)的硅晶圓、玻璃，甚至是銅片上。 不久前，科技
-
爾必達瑞晶垂直晶體管結構DDR3芯片試產成功
【導讀】日本爾必達與臺灣瑞晶公司近日發(fā)表聯(lián)合聲明稱兩家公司已經成功完成了4F2架構設計1Gbit密度DDR3 DRAM芯片的試產，這次試產是由瑞晶的研發(fā)中心主導的。瑞晶的研發(fā)中心自去年開始正式運作，他們一直在和爾必達公
-
功耗為硅的十萬分之一？瑞士開發(fā)新半導體材料“輝鉬礦”
【導讀】有一種新開發(fā)的半導體材料輝鉬礦(molybdenite，MoS2)，其功耗據說僅有硅材料的十萬分之一，又能用以制作出尺寸更小的晶體管。瑞士洛桑理工學院(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne，EPGL)的研究人員并
-
臺積電:暫不采用3D晶體管技術
【導讀】分析師們表示，上述計劃或能幫助英特爾與競爭對手抗衡，之前，英特爾的芯片大多被高增長的智能手機市場拒之門外。 摘要： 分析師們表示，上述計劃或能幫助英特爾與競爭對手抗衡，之前，英特爾的芯片大多
-
三柵極3D晶體管，無法左右英特爾ARM之爭
【導讀】。英特爾 VS AMD就是熱議多年的話題，然后又變成微軟 VS 谷歌?，F(xiàn)在最有趣的一對是英特爾 VS ARM。英特爾發(fā)布三柵極3D晶體管之后，關于該技術能否左右二者之間的戰(zhàn)局業(yè)界已有很多評論文章。 摘要： 。英
-
應用材料公司完成對維利安半導體設備有限公司的收購
【導讀】近日，應用材料公司宣布已成功完成對維利安半導體設備有限公司的收購。此次收購使應用材料公司獲得了維利安公司市場領先的離子注入技術，進一步拓寬了其廣泛的產品組合，并為其帶來每年近15億美元的市場機遇
-
先進移動平臺用戶采用Soitec全耗盡(Fully Depleted)技術
【導讀】日前，Soitec (Euronext)今天宣布，無線平臺和半導體領軍企業(yè) ST-Ericsson 已選擇全耗盡平面晶體管技術(FD-SOI)開發(fā)設計其下一代移動處理器。 ， 摘要： 日前，Soitec (Euronext)今天宣布，無線平臺和半
-
知名半導體廠商3D工藝眾生相：掀半導體業(yè)模式風暴
【導讀】2012年4月23日，英特爾宣布采用3D三柵極晶體管設計，最小線寬為22納米的Ivy Bridge微處理器量產成功，并于4月29日開始全球銷售。 摘要： 2012年4月23日，英特爾宣布采用3D三柵極晶體管設計，最小線寬為
-
奈米碳管或將替代矽晶片成半導體新寵
【導讀】在10月28日美國出版的「自然-奈米技術」期刊中指出，奈米碳管，將替代數(shù)十億晶片中矽所占有的地位，包含使用量及大的微處理器與記憶晶片。 摘要： 在10月28日美國出版的「自然-奈米技術」期刊中指出，奈
-
SoC無需3D晶體管便可微細化至10nm
【導讀】SoC(systemonachip)是智能手機及平板電腦等移動產品的心臟。推動其低成本化和高性能化的微細化技術又有了新選擇。那就是最近意法半導體(ST)已開始面向28nm工藝SoC量產的完全耗盡型SOI(fullydepletedsilicono
-
碳納米管將替代硅芯片成下一代材料?
【導讀】在未來十年左右的時間里，蝕刻在硅基電腦芯片上的電路預計就將變得小無可小，從而促使人們尋找替代品來取代硅基芯片的地位。在使用什么材料作為替代品的問題上，有些研究者正對碳納米管寄予厚望。在本周一，
-
硅的日子屈指可數(shù) 芯片公司考慮用其它材料取代
【導讀】加州伯克利大學教授胡正明確信硅的日子屈指可數(shù)，下一代或下下一代人將不會再使用硅，將會有更好的材料去取代硅。 摘要： 加州伯克利大學教授胡正明確信硅的日子屈指可數(shù)，下一代或下下一代人將不會再使
-
寧波出臺石墨烯中長期規(guī)劃：千億產值待開發(fā)
作為全國七大新材料基地的寧波市將在本月28日舉行《寧波石墨烯技術創(chuàng)新與產業(yè)中長期發(fā)展規(guī)劃》發(fā)布會以及石墨烯戰(zhàn)略合作等簽約儀式。與此同時，近日國內外石墨烯研究也獲多項突破：英國利物浦大學的科學家開發(fā)出與石
-
一款單節(jié)晶體管性能測試電路
本文介紹的是一款單節(jié)晶體管性能測試電路圖。如下圖所示，被測單結晶體管VBT(設：BT33)與R3、C2組成張弛振蕩器。VBT在導通時，三極管VT1通過偏置電阻R2獲得偏置電流(此時S1
-
TTL電平、CMOS電平和EIA電平的一些總結
手機串口一般是CMOS電平，當把android手機當做開發(fā)板上的一個器件(比如利用android系統(tǒng)自帶的GPRS模塊，wifi模塊，語音視頻模塊等等)看待時，常常會涉及到自己重寫底層協(xié)議和驅動的情況，同時也會涉及到不同開發(fā)板不
-
全球半導體技術發(fā)展路線圖
一、半導體產業(yè)生態(tài)環(huán)境 半導體產業(yè)誕生于上世紀70年代，當時主要受兩大因素驅動：一是為計算機行業(yè)提供更符合成本效益的存儲器；二是為滿足企業(yè)開發(fā)具備特定功能的新產品而快速生產的專用集成電路。 到了80年
-
全球半導體技術發(fā)展路線圖
編譯：工業(yè)和信息化部國際經濟技術合作中心王超張強 一、半導體產業(yè)生態(tài)環(huán)境 半導體產業(yè)誕生于上世紀70年代，當時主要受兩大因素驅動：一是為計算機行業(yè)提供更符合成本效益的存儲器；二是為滿足企業(yè)開發(fā)具備特
