
這里是全晶體管逆變器,可以驅(qū)動(dòng)60W負(fù)載的電路圖。晶體管Q1和Q2形成一個(gè)50Hz的無(wú)穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器。Q2的集電極的輸出連接到輸入的達(dá)林頓對(duì)形成由Q3和Q1的輸出Q4.Similarly的輸
HL402的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理圖
具有退飽和保護(hù)的抗過(guò)飽和功能刪除電路原理圖
用UC3634控制單相無(wú)刷直流電動(dòng)機(jī)
用PNP和NPN晶體管的電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路
21ic訊 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出ZXTR2000系列高壓穩(wěn)壓器,把晶體管、Zener二極管及電阻器集成到一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)SOT89封裝,通過(guò)減少器件數(shù)量和占位面積,提升電路的
新的NMOS(N型金屬氧化物半導(dǎo)體)外延沉積工藝對(duì)下一代移動(dòng)處理器芯片內(nèi)更快的晶體管至關(guān)重要。應(yīng)用材料公司在Applied Centura RP Epi系統(tǒng)設(shè)備上新開(kāi)發(fā)了一套NMOS晶體管應(yīng)用技術(shù),繼續(xù)保持其在外延技術(shù)方面十年來(lái)的領(lǐng)先
加州理工大學(xué)的一組工程師表示,他們現(xiàn)在可以憧憬這樣的智能手機(jī)和電腦芯片:它們不僅能自我防護(hù),還能自我修復(fù),那樣就算遇到了麻煩(比如晶體管徹底失效),也能在短短幾微秒內(nèi)恢復(fù)如初。 科學(xué)家們聲稱(chēng),他們利用高
新的NMOS(N型金屬氧化物半導(dǎo)體)外延沉積工藝對(duì)下一代移動(dòng)處理器芯片內(nèi)更快的晶體管至關(guān)重要 應(yīng)用材料公司在Applied Centura RP Epi系統(tǒng)設(shè)備上新開(kāi)發(fā)了一套NMOS晶體管應(yīng)用技術(shù),繼續(xù)保持其在外延技術(shù)方面十年來(lái)的領(lǐng)
新的NMOS(N型金屬氧化物半導(dǎo)體)外延沉積工藝對(duì)下一代移動(dòng)處理器芯片內(nèi)更快的晶體管至關(guān)重要 應(yīng)用材料公司在Applied Centura RP Epi系統(tǒng)設(shè)備上新開(kāi)發(fā)了一套NMOS晶體管應(yīng)用技術(shù),繼續(xù)保持其在外延技術(shù)方面十年來(lái)的領(lǐng)
概述功率電子電路大多要求具有大電流輸出能力,以便于驅(qū)動(dòng)各種類(lèi)型的負(fù)載。功率驅(qū)動(dòng)電路是功率電子設(shè)備輸出電路的一個(gè)重要組成部分。輸入回路的電阻有差別,ULN2003是2.7k,ULN2004是10.5k。靈敏度也有差別,簡(jiǎn)單講2003
據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)7月4日?qǐng)?bào)道,美國(guó)麻省理工學(xué)院(MIT)電子研究實(shí)驗(yàn)室(RLE)、哈佛大學(xué)以及奧地利維也納技術(shù)大學(xué)的科學(xué)家們?cè)谧钚乱黄凇犊茖W(xué)》雜志撰文指出,他們研制出了一種由單個(gè)光子控制的全光開(kāi)關(guān),新的全光晶體管
近日消息,美國(guó)麻省理工學(xué)院(MIT)電子研究實(shí)驗(yàn)室(RLE)、哈佛大學(xué)以及奧地利維也納技術(shù)大學(xué)的科學(xué)家們?cè)谧钚乱黄凇犊茖W(xué)》雜志撰文指出,他們研制出了一種由單個(gè)光子控制的全光開(kāi)關(guān),新的全光晶體管有望讓傳統(tǒng)計(jì)算機(jī)和
據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)7月4日?qǐng)?bào)道,美國(guó)麻省理工學(xué)院(MIT)電子研究實(shí)驗(yàn)室(RLE)、哈佛大學(xué)以及奧地利維也納技術(shù)大學(xué)的科學(xué)家們?cè)谧钚乱黄凇犊茖W(xué)》雜志撰文指出,他們研制出了一種由單個(gè)光子控制的全光開(kāi)關(guān),新的全光晶體管
體視顯微鏡又稱(chēng)“實(shí)體顯微鏡”“立體顯微鏡”或稱(chēng)“操作和解剖顯微鏡”,是一種具有正像立體感地目視儀器。目前體視顯微鏡主要有哪些應(yīng)用呢?體視顯微鏡在觀察方便具有許多優(yōu)勢(shì),能夠低成本實(shí)現(xiàn)多人同步預(yù)覽,并有效
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,美國(guó)科學(xué)家首次利用納米尺度的絕緣體氮化硼以及金量子點(diǎn),實(shí)現(xiàn)量子隧穿效應(yīng),制造出了沒(méi)有半導(dǎo)體的晶體管。該成果有望開(kāi)啟新的電子設(shè)備時(shí)代。幾十年來(lái),電子設(shè)備變得越來(lái)越小,科學(xué)家們現(xiàn)已能將數(shù)百
據(jù)美國(guó)每日科學(xué)網(wǎng)站6月21日?qǐng)?bào)道,美國(guó)科學(xué)家首次利用納米尺度的絕緣體氮化硼以及金量子點(diǎn),實(shí)現(xiàn)量子隧穿效應(yīng),制造出了沒(méi)有半導(dǎo)體的晶體管。該成果有望開(kāi)啟新的電子設(shè)備時(shí)代。幾十年來(lái),電子設(shè)備變得越來(lái)越小,科學(xué)家
據(jù)報(bào)道,美國(guó)科學(xué)家首次利用納米尺度的絕緣體氮化硼以及金量子點(diǎn),實(shí)現(xiàn)量子隧穿效應(yīng),制造出了沒(méi)有半導(dǎo)體的晶體管。該成果有望開(kāi)啟新的電子設(shè)備時(shí)代。幾十年來(lái),電子設(shè)備變得越來(lái)越小,科學(xué)家們現(xiàn)已能將數(shù)百萬(wàn)個(gè)半導(dǎo)
在Synopsys 的協(xié)助下,臺(tái)灣聯(lián)電(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術(shù)的測(cè)試用芯片日前完成了流片。聯(lián)電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動(dòng)14nm制程FinFET產(chǎn)品的制造,而這次這款測(cè)試芯片完成流片設(shè)計(jì)則顯然向?qū)崿F(xiàn)
硅基晶體管無(wú)法一直縮小下去,芯片公司已經(jīng)考慮用其它材料取代硅,其中的熱門(mén)替代材料包括鍺和半導(dǎo)體化合物III-V。加州伯克利大學(xué)教授胡正明確信硅的日子屈指可數(shù),下一代或下下一代人將不會(huì)再使用硅,將會(huì)有更好的材