晶體管

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晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號來控制自身的開合，而且開關(guān)速度可以非常快，實驗室中的切換速度可達100GHz以上。2016年，勞倫斯伯克利國家實驗室的一個團隊打破了物理極限，將現(xiàn)有的最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm，完成了計算技術(shù)界的一大突破。

節(jié)能路燈用上半導(dǎo)體光源

日前，天津市路燈管理部門在王串場一號路附近安裝了一批半導(dǎo)體光源新型路燈，通過半導(dǎo)體照明試驗后，將廣泛用于全市道路的照明。這種半導(dǎo)體光源新型路燈的照明板由百余個半導(dǎo)體發(fā)光體組成，壽命能比傳統(tǒng)燈延長3至

消費電子
2007-06-22

半導(dǎo)體 BSP 晶體管電子管
2011年美國晶體管市場規(guī)模將達11億美元

美國俄亥俄州市場分析機構(gòu)Freedonia的報告，包括化合物半導(dǎo)體材料在內(nèi)，美國工業(yè)晶體管市場將在未來4年內(nèi)，每年以6%的速度增長，到2011年將達到11億美元的市場規(guī)模。報告作者NedZimmerman指出化合物半導(dǎo)體材料的增長

消費電子
2007-06-20

半導(dǎo)體材料 GAN BSP 晶體管
英特爾:45納米晶體管使摩爾定律再延續(xù)10年

6月15日消息，據(jù)國外媒體報道，英特爾銷售與市場推廣事業(yè)部副總裁兼亞太區(qū)總經(jīng)理蔣安邦不久前在接受采訪時稱，由于45納米晶體管的誕生，摩爾定律將至少再延續(xù)10年。蔣安邦在泰國曼谷接受采訪時稱，英特爾最新研發(fā)的4

電子設(shè)計自動化
2007-06-15

英特爾摩爾定律創(chuàng)始人晶體管
飛兆推出高集成無需外接電阻的數(shù)字晶體管

飛兆半導(dǎo)體公司(FairchildSemiconductor)推出兩種全新的200mW數(shù)字晶體管系列，在目前市場上最小的封裝中集成了一個外接電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。FJY30xx(NPN)和FJY40xx(PNP)系列專為開關(guān)、逆變器、接口及驅(qū)動電路而量身定做，無

消費電子
2007-05-30

飛兆電阻高集成晶體管
恩智浦新型BISS晶體管減少功耗損耗

恩智浦半導(dǎo)體(NXP)近日發(fā)布了最新一代低VCEsat晶體管，與普通晶體管相比，其功率損耗可減少80%。恩智浦新型BISS(小信號擊穿)晶體管具有超低飽和電壓(1安培時低于60毫瓦)、高電路效率和更低的能源消耗，并能減少便

消費電子
2007-04-05

恩智浦 CE BSP 晶體管
恩智浦新推雙極晶體管功率損耗減少80%

恩智浦半導(dǎo)體（由飛利浦創(chuàng)建的獨立半導(dǎo)體公司）日前發(fā)布了最新一代低VCEsat晶體管，與普通晶體管相比，其功率損耗可減少80%。恩智浦新型BISS（小信號擊穿）晶體管具有超低飽和電壓（1安培時低于60毫瓦）、高電路

消費電子
2007-04-03

恩智浦 CE BSP 晶體管
Graphene晶體管問世有望替代硅電路

曼徹斯特大學(xué)(UniversityofManchester)的研究人員與德國MaxPlanckInstitute的研究人員一起開發(fā)出采用一種新型材料的只有一個原子厚、不到50個原子寬的晶體管。這種被稱為graphene的物質(zhì)被描述二維材料，具有極高的晶

消費電子
2007-03-09

薄膜電路 GRAPH 晶體管
英特爾重組墨西哥工廠 08年生產(chǎn)45納米芯片

英特爾周一表示，將投資10億到15億美元重組位于新墨西哥的一家工廠，這個工廠準(zhǔn)備將2008年的下半年生產(chǎn)先進的45納米晶體管芯片。英特爾的發(fā)言人說，公司2007年的資本支出預(yù)計在53億美元到57億美元之間，他沒有透露

消費電子
2007-02-28

芯片英特爾納米芯片晶體管
英特爾重組新墨西哥工廠 08年生產(chǎn)45納米芯片

英特爾重組新墨西哥工廠 08年生產(chǎn)45納米芯片

嵌入式動態(tài)
2007-02-27

英特爾納米芯片 BSP 晶體管
英特爾發(fā)布晶體管技術(shù)重大突破

英特爾公司宣布在基礎(chǔ)晶體管設(shè)計方面取得了一個最重大的突破，采用兩種完全不同以往的晶體管材料來構(gòu)建45納米晶體管的絕緣“墻”和切換“門”。在下一代英特爾®酷睿™2雙核、英特爾®酷睿™2四核以

電子設(shè)計自動化
2007-02-05

英特爾制程技術(shù) 柵極晶體管
用事實抨擊“摩爾定律失效論”！惠普最新芯片研究成果即將揭曉

在摩爾定律(認為每隔24個月芯片上可集成的晶體管數(shù)量就會增加一倍)問世40年之后，半導(dǎo)體行業(yè)很多人都開始懷疑這一定律還能維持多久?，F(xiàn)在，惠普一項新的芯片架構(gòu)研究將給予摩爾定律更長的生命力，并使技術(shù)行業(yè)的快速

消費電子
2007-01-23

惠普芯片摩爾定律晶體管
惠普突破摩爾定律芯片內(nèi)晶體管數(shù)量提八倍

美國惠普公司的科學(xué)家周二宣布，他們采用了一種納米科技成果，可以將單位面積芯片上的晶體管數(shù)量增加八倍。相當(dāng)于應(yīng)用了三輪摩爾定律。惠普實驗室的科學(xué)家威廉姆斯表示，這項技術(shù)的一個優(yōu)勢是，可以在短期之內(nèi)結(jié)出

消費電子
2007-01-17

惠普芯片摩爾定律晶體管
英特爾開發(fā)浮體效應(yīng)晶體管

英特爾開發(fā)浮體效應(yīng)晶體管

嵌入式動態(tài)
2006-12-12

英特爾處理器 BSP 晶體管

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晶體管

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