新的熱量模型可以幫助醫(yī)療電子設(shè)備持續(xù)更長(zhǎng)時(shí)間

（文章來源：攜手健康網(wǎng)） 總部位于伊利諾伊大學(xué)的工程師團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)，當(dāng)前用于預(yù)測(cè)普通半導(dǎo)體材料中熱損失的模型并不適用于所有情況。通過測(cè)試使用四種常用方法制造的氮化鎵半導(dǎo)體的熱性能，研究小組發(fā)

結(jié)構(gòu)疲勞損傷演化過程及度量

一、疲勞損傷過程的不同階段 疲勞損傷過程是交變載荷作用而引起的結(jié)構(gòu)材料性能衰減的過程，也是微裂紋的形成及擴(kuò)展的過程。實(shí)驗(yàn)觀察表明，無缺陷金屬和合金等工業(yè)材料，疲勞微裂紋總是在自由表面處形成，有三類形核位置，主要是駐留滑移帶（Persistent Slip B

MOSFET和三極管的區(qū)別在哪？你知道嗎？

你知道MOSFET和三極管的區(qū)別嗎?MOSFET是一種在模擬電路和數(shù)字電路中都應(yīng)用的非常廣泛的一種場(chǎng)效晶體管。三極管也成為雙極型晶體管，他能夠控制電流的的流動(dòng)，將較小的信號(hào)放大成為幅值較高的電信號(hào)。MOSFET和三極管都有ON狀態(tài)，那么在處于ON狀態(tài)時(shí)，這兩者有什么區(qū)別呢?

DigiLens與水晶光電聯(lián)手，推出低成本的AR顯示器

（文章來源：電子工程世界） AR全息波導(dǎo)顯示技術(shù)的創(chuàng)新者DigiLens 宣布將與水晶光電攜手?jǐn)U張中國(guó)市場(chǎng)， 林曉書擔(dān)任其駐中國(guó)區(qū)總經(jīng)理。 水晶光電是光學(xué)鍍膜、AR光學(xué)和半導(dǎo)體光學(xué)的頂級(jí)

華為P40系列多款特色保護(hù)殼公布 專為游戲、潛水設(shè)計(jì)！

今晚9點(diǎn)，華為舉辦了華為P40系列全球線上發(fā)布會(huì)，在會(huì)上，除了展示華為最新旗艦機(jī)型華為P40系列外，還介紹了多款為華為P40系列推出的官方特色保護(hù)殼，不僅僅樣式多樣，其功能也非常有趣，讓我們來看看吧。

無污染無公害！X射線成像揭示了一種天然滅蚊化合物的殺蚊機(jī)理

許多用來阻止或消滅攜帶疾病的蚊子的化學(xué)物質(zhì)會(huì)污染生態(tài)系統(tǒng)，并推動(dòng)更多有問題的抗殺蟲劑物種的進(jìn)化。慶幸的是，我們很快就會(huì)有更好的選擇。 據(jù)外媒報(bào)道，近日，由格勒諾布爾阿爾卑斯大學(xué)領(lǐng)導(dǎo)的并在《自然通訊》上

臺(tái)積電麒麟 985量產(chǎn) 華為Mate 30將率先搭載

近日外媒報(bào)道，華為下一代麒麟旗艦芯片985目前交給臺(tái)積電進(jìn)行批量生產(chǎn)麒麟985芯片。據(jù)悉，華為旗艦機(jī)Mate 30系列將搭載的麒麟985芯片，該芯片是基于臺(tái)積電7nm+EUV(極紫外光刻工藝)工藝，這也是臺(tái)積電首次生產(chǎn)EUV光刻技術(shù)。

基于圖像處理的石英晶體片分選技術(shù)

晶體控制振蕩器

又薄又軟的半導(dǎo)體新材料可制微納光電器件

性質(zhì)柔軟、厚度只有幾納米、光學(xué)性能良好……記者近日從南京工業(yè)大學(xué)獲悉，該校王琳教授課題組制備出一種超薄的高質(zhì)量二維碘化鉛晶體，并且通過它實(shí)現(xiàn)了對(duì)二維過渡金屬硫化物材料光學(xué)性質(zhì)的調(diào)控，為制造太陽能電池、光電探測(cè)器提供了新思路。該成果發(fā)表在最新一期國(guó)際期刊《先進(jìn)材料》上。

芯片公司技術(shù)即將到達(dá)極限，創(chuàng)新是否停止了？

數(shù)十年來，芯片制造商和整個(gè)社會(huì)都受益于摩爾定律。摩爾定律以一種快速而可預(yù)測(cè)的速度，提供了更強(qiáng)大、更廉價(jià)的計(jì)算能力。眾所周知，這條規(guī)律實(shí)際上是兩種趨勢(shì)——芯片速度變快和芯片尺寸縮小。就像上了發(fā)條一樣，晶體管密度每?jī)赡攴环?，?jì)算能力也相應(yīng)提高。

中國(guó)電科成功制備4英寸氧化鎵單晶

近日，中國(guó)電科46所經(jīng)過多年氧化鎵晶體生長(zhǎng)技術(shù)探索，通過改進(jìn)熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)、優(yōu)化生長(zhǎng)氣氛和晶體生長(zhǎng)工藝，有效解決了晶體生長(zhǎng)過程中原料分解、多晶形成、晶體開裂等問題，采用導(dǎo)模法成功制備出高質(zhì)量的4英寸氧化鎵單晶。

晶體三極管結(jié)構(gòu)及工作原理簡(jiǎn)述

;;; 1．結(jié)構(gòu);;; 圖3-1是NPN型三極管結(jié)構(gòu)示意圖。三極管由三塊半導(dǎo)體構(gòu)成，對(duì)于NPN型三極管而言，由兩塊N型和一塊P3型半導(dǎo)體組成，P型半導(dǎo)體在中間，兩塊N型半導(dǎo)體在兩側(cè)，各

晶體三極管的特點(diǎn)是具有電流放大作用

英特爾開發(fā)出堆疊電路 這是要奪回芯片制造領(lǐng)先地位？

英特爾公司近日宣布，已開發(fā)出一種將計(jì)算電路堆疊在一起的方法，希望重新奪回其在芯片制造技術(shù)方面的領(lǐng)先地位。

微處理器用石英晶體諧振器

什么是晶體二極管？

晶體二極管在電路中常用“D”加數(shù)字表示，如： D5表示編號(hào)為5的二極管。 1、作用：二極管的主要特性是單向?qū)щ娦?，也就是在正向電壓的作用下，?dǎo)通電阻很小；

你必須知道的MCU外接晶體及振蕩電路

很多MCU開發(fā)者對(duì)MCU晶體兩邊要各接一個(gè)對(duì)地電容的做法表示不理解，因?yàn)檫@個(gè)電容有時(shí)可以去掉。筆 者參考了很多書籍，卻發(fā)現(xiàn)書中講解的很少，提到最多的往往是：對(duì)地電容具穩(wěn)

選擇性發(fā)射極晶體硅太陽電池實(shí)現(xiàn)方法分析

所謂選擇性發(fā)射極（SE-selectiveemiter）晶體硅太陽電池，即在金屬柵線（電極）與硅片接觸部位進(jìn)行重?fù)诫s，在電極之間位置進(jìn)行輕摻雜。這樣的結(jié)構(gòu)可降低擴(kuò)散層復(fù)合，由此可

晶體硅太陽能電池的絲網(wǎng)印刷技術(shù)