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左擁臺積右抱格羅方德ARM忙擴事業(yè)版圖
繼日前與臺積電延伸合作至20奈米(nm)以下制程，安謀國際(ARM)再于14日宣布與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)簽訂合約，雙方將合推采用格羅方德20奈米制程與鰭式場效電晶體(FinFET)技術的ARM核心系統(tǒng)單晶片(SoC)，并攜手發(fā)
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爭搶臺積電28奈米訂單格羅方德擴產(chǎn)紐約八廠
格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)近期在28奈米晶圓代工市場布局動作頻頻。在成功自臺積電手里搶得高通(Qualcomm)28奈米晶片訂單后，格羅方德日前再度宣布啟動紐約12吋晶圓八廠(Fab 8)擴產(chǎn)計畫，進一步擴大第一期廠房( Modu
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格羅方德宣布與Rambus合作兩款28納米芯片
晶圓代工廠格羅方德（Globalfoundries）近日宣布，與Rambus共同發(fā)表雙方合作開發(fā)的28納米兩款獨立存儲器架構式矽測試芯片。格羅方德是臺積電競爭對手之一，28納米進度下半年預計進入量產(chǎn)。格羅方德宣布與Rambus合作的
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臺積電對手格羅方德 發(fā)表28納米
晶圓代工廠格羅方德（Globalfoundries）昨（26）日宣布，與Rambus共同發(fā)表雙方合作開發(fā)的28納米兩款獨立存儲器架構式矽測試芯片。 格羅方德是臺積電（2330）競爭對手之一，28納米進度下半年預計進入量產(chǎn)。 格羅方德
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Globalfoundries 發(fā)表28納米
晶圓代工廠格羅方德（Globalfoundries）昨（26）日宣布，與Rambus共同發(fā)表雙方合作開發(fā)的28納米兩款獨立存儲器架構式矽測試芯片。 格羅方德是臺積電（2330）競爭對手之一，28納米進度下半年預計進入量產(chǎn)。 格羅
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超微新單 臺積電受寵不減
處理器大廠超微（AMD）第2季財報不佳，第3季展望不如預期，股價上周末重跌逾13％，不過，超微仍在法說會中指出，雖然28納米產(chǎn)能吃緊，但超微沒有受到影響，現(xiàn)在晶圓代工伙伴仍只有臺積電（2330）及格羅方德（GlobalF
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格羅方德主管：HKMG成28nm量產(chǎn)致勝關鍵
格羅方德技術長辦公室先進技術架構主管SubramaniKengeri表示，該公司在32nm節(jié)點即引進HKMG制程，為更高密度電晶體實現(xiàn)低漏電流效益；相較于至28奈米才改用HKMG的競爭對手，技術成熟度略勝一籌。因此，擁有充足的HKMG
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格羅方德：HKMG成28nm量產(chǎn)致勝關鍵
格羅方德技術長辦公室先進技術架構主管SubramaniKengeri表示，該公司在32nm節(jié)點即引進HKMG制程，為更高密度電晶體實現(xiàn)低漏電流效益；相較于至28奈米才改用HKMG的競爭對手，技術成熟度略勝一籌。因此，擁有充足的HKMG
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格羅方德：HKMG成28nm量產(chǎn)致勝關鍵
格羅方德技術長辦公室先進技術架構主管Subramani Kengeri表示，該公司在32nm節(jié)點即引進HKMG制程，為更高密度電晶體實現(xiàn)低漏電流效益；相較于至28奈米才改用HKMG的競爭對手，技術成熟度略勝一籌。因此，擁有充足的HKM
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專訪格羅方德Subramani Kengeri HKMG成28奈米量產(chǎn)致勝關鍵
格羅方德技術長辦公室先進技術架構主管Subramani Kengeri表示，該公司在32奈米節(jié)點即引進HKMG制程，為更高密度電晶體實現(xiàn)低漏電流效益；相較于至28奈米才改用HKMG的競爭對手，技術成熟度略勝一籌。因此，擁有充足的H
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攜手格羅方德 虹晶完成28nm設計服務
虹晶科技 (Socle Technology Corporation)與格羅方德 (GLOBALFOUNDRIES) 10日共同宣布，完成虹晶首件28納米特殊應用芯片(ASIC)設計服務案。該設計案采用ARM Cortex A9多核心處理技術，透過格羅方德(GLOBALFOUNDRI
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攜手格羅方德 虹晶完成28nm設計服務
虹晶科技 (Socle Technology Corporation)與格羅方德 (GLOBALFOUNDRIES) 10日共同宣布，完成虹晶首件28納米特殊應用芯片(ASIC)設計服務案。該設計案采用ARM Cortex A9多核心處理技術，透過格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)
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攜手格羅方德 虹晶完成28nm設計服務
虹晶科技 (Socle Technology Corporation)與格羅方德 (GLOBALFOUNDRIES) 10日共同宣布，完成虹晶首件28納米特殊應用芯片(ASIC)設計服務案。該設計案采用ARM Cortex A9多核心處理技術，透過格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)
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攜手格羅方德 虹晶完成28nm設計服務
虹晶科技 (Socle Technology Corporation)與格羅方德 (GLOBALFOUNDRIES) 10日共同宣布，完成虹晶首件28納米特殊應用芯片(ASIC)設計服務案。該設計案采用ARM Cortex A9多核心處理技術，透過格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)
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ST委托格羅方德代工28/20奈米FD-SOI晶片
意法半導體(ST)宣布格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)將采用意法半導體獨有的完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件(Fully Depleted Silicon-on-Insulator, FD-SOI)技術，為意法半導體生產(chǎn)28奈米和20奈米晶片。 意法半導體負責
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強打HKMG技術格羅方德?lián)屖?8奈米大餅
趁臺積電28奈米(nm)產(chǎn)能供應不及之際，格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)已積極展開搶單攻勢。挾在高介電常數(shù)金屬閘極(HKMG)技術豐富經(jīng)驗，格羅方德已成功拿下超微(AMD)第二代加速處理器(APU)、意法半導體(ST)及多家通訊晶片
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臺積有望獲超微轉單工
處理器大廠超微（AMD）今年3月出清阿布達比創(chuàng)投（ATIC）旗下的格羅方德（GF）股權后，業(yè)界人士最新指出，在超微取消GF的28nm加速處理器（APU）獨家代工合約后，預計2013年APU晶片轉單臺積電的機率大增，將替臺積電28
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臺積有望獲超微轉單工
處理器大廠超微（AMD）今年3月出清阿布達比創(chuàng)投（ATIC）旗下的格羅方德（GF）股權后，業(yè)界人士最新指出，在超微取消GF的28奈米加速處理器（APU）獨家代工合約后，預計2013年APU晶片轉單臺積電的機率大增，將替臺積電
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格羅方德新技術 為移動與消費性應用實現(xiàn)3D晶片堆疊
格羅方德（GLOBALFOUNDRIES）宣布新技術，將可為新一代的行動與消費性應用實現(xiàn)三維（3D）晶片堆疊，位于紐約薩拉托加郡的晶圓八廠已安裝一套特殊生產(chǎn)工具，可在半導體晶圓上建立矽穿孔（TSV）技術，作業(yè)于20奈米技術
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格羅方德晶圓八廠實現(xiàn)20奈米3D晶片制程技術
格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)宣布新技術，將可為新一代的行動與消費性應用實現(xiàn)三維(3D)晶片堆疊，位于紐約薩拉托加郡的晶圓八廠已安裝一套特殊生產(chǎn)工具，可在半導體晶圓上建立矽穿孔(TSV)技術，作業(yè)于20奈米技術平臺上
