VA液晶顯示器光程差測量方法簡介

引言　　隨著液晶顯示器的不斷發(fā)展，對顯示對比度提出了更高的要求。使用垂直排列的液晶顯示器即VA 液晶顯示器，可以更好地減少底部漏光，更大地提高顯示對比度。VA 液晶顯示器盒內(nèi)液晶分子的排列方式是垂直排列，因

諧波是怎樣導(dǎo)致設(shè)備間干擾的

諧波電流導(dǎo)致的一個嚴(yán)重后果就是對同一個電網(wǎng)上的其他電氣電子設(shè)備形成干擾。常見的故障現(xiàn)象包括：交流電機(jī)過熱，振動增加。電子設(shè)備工作異常，儀表精度下降。那么，諧波源是如何導(dǎo)致這些故障現(xiàn)象的呢。了解這一點對

瑞薩電子推出新款超級結(jié)MOSFET

21ic訊 瑞薩電子公司日前宣布推出三款新型超級結(jié)金屬氧化物場效應(yīng)三極管（超級結(jié)MOSFET）（注1），具有如下的特點：600V功率半導(dǎo)體器件中的導(dǎo)通電阻X柵極電荷，適用于高速電機(jī)驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器和DC-AC逆變器應(yīng)用。這

利用LM3914顯示-至5V范圍的電壓電路

MOSFET驅(qū)動器及功耗計算方法

我們先來看看MOS關(guān)模型： Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。 Cgd：是兩個不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是 耗盡區(qū)電容

高品質(zhì)的LED制造技術(shù)分析

LED制造商中只有一少部分能夠制造出高品質(zhì)的LED。對于只用作簡單指示作用的應(yīng)用，低品質(zhì)的LED就足以滿足要求了。但是在許多要求一致性、可靠性、固態(tài)指示或照明等領(lǐng)域里必須采用高品質(zhì)的LED，特別是在惡劣環(huán)境下，例

MOSFET驅(qū)動器及功耗計算方法

我們先來看看MOS關(guān)模型： Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。 Cgd：是兩個不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是 耗盡區(qū)電容

找出微處理器ADC電壓的十六進(jìn)制編碼值

這種設(shè)計方案針對低檔八管腳flash存儲的8位微處理器，例如Freescale的MC68HC908QT4A，但是它也同樣適用于任何一款擁有ADC模塊的8位微處理器。在芯片內(nèi)，ADC轉(zhuǎn)換輸入的模擬電壓成數(shù)字信號格式。數(shù)字信號格式為8位的十

高品質(zhì)的LED制造技術(shù)分析

LED制造商中只有一少部分能夠制造出高品質(zhì)的LED。對于只用作簡單指示作用的應(yīng)用，低品質(zhì)的LED就足以滿足要求了。但是在許多要求一致性、可靠性、固態(tài)指示或照明等領(lǐng)域里必須采用高品質(zhì)的LED，特別是在惡劣環(huán)境下，例

找出微處理器ADC電壓的十六進(jìn)制編碼值

找出微處理器ADC電壓的十六進(jìn)制編碼值

過壓保護(hù)電路圖

如圖所示是一種過壓保護(hù)電路。當(dāng)外電壓E未超過設(shè)定的電壓Vs時，負(fù)阻發(fā)光二極管VD1截止，VT因無基極電流也截止，繼電器J不吸合，其常閉觸頭J1-1閉合，給負(fù)載RL供電。當(dāng)外電壓E一旦超過設(shè)定電壓Vs時，VD1由截止為導(dǎo)通，

多普勒微波自動開關(guān)電路圖

微波自動開關(guān)是根據(jù)微波的多普勒效應(yīng)來進(jìn)行控制的，它能夠監(jiān)測物體移動，并把移動轉(zhuǎn)換為電信號從而控制燈泡的亮滅或電器的啟閉。工作原理如下天線 、T1、C5等組成微波振蕩電路，由天線向空間輻射，在其周圍產(chǎn)生一個半

基本電能質(zhì)量測量方法和常見問題原因

雖然我們享受著固態(tài)技術(shù)的發(fā)展所帶來的巨大好處，但在實際上，處于這一技術(shù)核心地位的微電子技術(shù)卻依賴著清潔電能。更快的速度和更低的電壓，意味著對電能質(zhì)量有著更高的要求。電能質(zhì)量(PQ)涉及面較廣，從像電壓突降

基于TMS320VC5509與AD7322的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的設(shè)計

摘要：為了提高數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的采樣速度、轉(zhuǎn)換精度、降低系統(tǒng)功耗，設(shè)計了一種采用TI公司的C5000系列定點DSP芯片TMS320VC5509和ADI Device公司的2通道的、軟件可選的、雙極性輸入的、最高轉(zhuǎn)換速率是1MSpS、12位的帶符

準(zhǔn)諧振反激的原理介紹及應(yīng)用參數(shù)計算

如果不用固定的時鐘來初始化導(dǎo)通時間,而利用檢測電路來有效地“感測”MOSFET (VDS) 漏源電壓的第一個最小值或谷值,并僅在這時啟動MOSFET導(dǎo)通時間,結(jié)果會是由于寄生電容被充電到最小電壓,導(dǎo)通的電流尖峰將會

基于TMS320VC5509與AD7322的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的設(shè)計

摘要：為了提高數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的采樣速度、轉(zhuǎn)換精度、降低系統(tǒng)功耗，設(shè)計了一種采用TI公司的C5000系列定點DSP芯片TMS320VC5509和ADI Device公司的2通道的、軟件可選的、雙極性輸入的、最高轉(zhuǎn)換速率是1MSpS、12位的帶符

消弧線圈（干式接地變壓器）的運行分析

一、 消弧線圈運行的總體原則1、中性點經(jīng)消弧線圈接地的電網(wǎng)，在正常運行時，不對稱度應(yīng)不超過15%(不對稱度就是中性點的位移電壓與額定電壓的比值)，即長時間中性點位移電壓應(yīng)不超過額定電壓的15%。在操作過程中允許

路由器定時關(guān)機(jī)裝置

標(biāo)簽：數(shù)字鐘 路由器 LED電路如附圖所示.通電時+5.5V電源通過R1對C1充電，同時也通過R2對C2充電，但由于R1、C1的時間常數(shù)很大.所以C2先充好電。由于555的第②腳的電壓高于第⑥、⑦腳，它的第③腳便會輸出低電平，致

新的SiA436DJ在1.2V的柵源電壓下就可以導(dǎo)通

21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET®功率MOSFET。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強(qiáng)型PowerPAK® SC-70封裝，具有N溝道器件中最低的導(dǎo)通電阻。新的SiA436DJ在4.5V

電能質(zhì)量：對電壓驟降問題的分析

電力現(xiàn)在被人們廣泛的使用，電能已成了人們使用最為普遍的能源了，電能也是一個國家的綜合國力和發(fā)展水平的一個重要的標(biāo)志。保證電能的供應(yīng)穩(wěn)定關(guān)系到人們的正常生活生產(chǎn)的進(jìn)行，國家經(jīng)濟(jì)的運行和電網(wǎng)電氣設(shè)備的安全