
24h自動(dòng)投切電容器控制電路
有很多拓?fù)涠伎捎糜跒?LED 供電。您或許已經(jīng)知道,在開始選擇之前首先要明確設(shè)計(jì)要求,否則,您最后得到的設(shè)計(jì)方案可能就不夠理想,甚至更糟的是無(wú)法確保長(zhǎng)期正常工作。
晶體控制振蕩器a
瑞薩電子(Renesas Electronics)宣布開發(fā)創(chuàng)新的智慧財(cái)(IP),實(shí)作先進(jìn)的電容器式觸控感應(yīng)技術(shù),適用于如血壓計(jì)與血糖計(jì)等家用電器及醫(yī)療保健設(shè)備。相較于瑞薩的R8C/3xT微控制器(MCU),此IP可達(dá)到五倍的優(yōu)異觸控靈
21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出通過(guò)AEC-Q200認(rèn)證的,用于電動(dòng)和插電式混合動(dòng)力汽車的交流線路的新系列圓片陶瓷安規(guī)電容器---AY2系列。電容器符合IEC 60384-14.3標(biāo)準(zhǔn)第三版,具有Class X1(440
e絡(luò)盟日前宣布進(jìn)一步擴(kuò)展其KEMET電容器產(chǎn)品線,涵蓋最新系列超級(jí)電容器、電感器及信號(hào)繼電器,適用于汽車、通信及工業(yè)等應(yīng)用領(lǐng)域的電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)與制造。e絡(luò)盟亞太區(qū)產(chǎn)品營(yíng)銷總監(jiān)Marc Grange表示:“我們很高興
交流感應(yīng)電動(dòng)機(jī)的結(jié)構(gòu)及原理
由電容器啟動(dòng)的單相感應(yīng)電動(dòng)機(jī)電路圖
21ic訊 日前,全球分立半導(dǎo)體和無(wú)源電子元件的最大制造商之一Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,收購(gòu)日本的鉭電容器制造商Holy Stone Polytech有限公司(“Holy Stone Polytech”),
兩級(jí)阻容耦合放大電路
兩種多級(jí)負(fù)反饋放大器b
兩種多級(jí)負(fù)反饋放大器a
對(duì)于用于閃光燈泵浦式脈沖固體激光器且配備了外部驅(qū)動(dòng)型反激式轉(zhuǎn)換器的電容器充電裝置而言,本例可大幅提高其轉(zhuǎn)換效率。在閃光燈泵浦式脈沖固體激光器中,當(dāng)向蓄能電容器充
21ic訊 Allegro MicroSystems, LLC 推出全新霍爾效應(yīng)集成電路 (IC) ,可為雙線式應(yīng)用領(lǐng)域的真零速數(shù)字環(huán)形磁鐵和齒輪齒感測(cè)提供用戶友好型解決方案。Allegro’ 的 A1688 輪速傳感器 IC 主要面向汽車市場(chǎng),它包
不同于系統(tǒng)半導(dǎo)體、NAND Flash已展開10納米時(shí)代,DRAM無(wú)法輕易突破10納米的高墻。雖然四重曝光(Quadruple patterning;QPT)技術(shù),有利DRAM的先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換,但電容器制程問題是一大難題,由于采用新材料將直接影響生產(chǎn)
不同于系統(tǒng)半導(dǎo)體、NAND Flash已展開10納米時(shí)代,DRAM無(wú)法輕易突破10納米的高墻。雖然四重曝光(Quadruple patterning;QPT)技術(shù),有利DRAM的先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換,但電容器制程問題是一大難題,由于采用新材料將直接影響生產(chǎn)
電源行業(yè),一些應(yīng)用需要高耐壓、高容量的電容器,例如在開關(guān)電源中作輸入輸出濾波,儲(chǔ)能,尖峰吸收,DC-DC轉(zhuǎn)換,直流阻隔,電壓倍乘等等,此外,在一些應(yīng)用中,尺寸和重量非常重要,需要小體積的電子元器件。
晶體管錄音信號(hào)放大電路
W7800系列應(yīng)用電路
電子濾波器