日經(jīng)新聞26日?qǐng)?bào)導(dǎo),日本山形大學(xué)時(shí)任靜士等教授已成功研發(fā)出一套可藉由印刷的方式來(lái)制造OLED面板驅(qū)動(dòng)元件( 電晶體 )的新技術(shù)。報(bào)導(dǎo)指出,藉由利用該新技術(shù),則只要結(jié)合作為發(fā)光體的有機(jī)化合物和塑膠制面板,則OLED面
Intel透露今年預(yù)計(jì)推出的Ivy Bridge將采用全新22nm的3D硅晶體技術(shù),并且在接下來(lái)將進(jìn)展到14nm,乃至于之后于2016年間也預(yù)計(jì)推出采用11nm制程的 “Skymont”平臺(tái)。而看起來(lái)IBM也將不甘落后,目前官方宣布已
電路的功能在光接收電路中,如果外來(lái)光引起誤動(dòng)作,可靠性就會(huì)下降。用脈沖式發(fā)光,可作成能識(shí)別平均外來(lái)光和脈沖波的電路。輸出不僅有導(dǎo)通、截止?fàn)顟B(tài),還有與驅(qū)動(dòng)頻率相同的脈沖串輸出。電路工作原理流過(guò)光電晶體管
晶片微小化要幾奈米才夠看?英特爾今年量產(chǎn)22奈米元件,臺(tái)積電三年內(nèi)轉(zhuǎn)進(jìn)14奈米世代,而國(guó)研院國(guó)家奈米元件實(shí)驗(yàn)室于今(6)日更發(fā)表,導(dǎo)入銀、鍺兩種新元件材料,內(nèi)建矽基太陽(yáng)能電池元件,做為未來(lái)綠能的10奈米元件世代
連于慧/臺(tái)北 全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)奉為圭臬的摩爾定律(Moore’s Law)發(fā)展雖有面臨瓶頸的挑戰(zhàn),然目前半導(dǎo)體業(yè)者仍積極發(fā)展新材料,并在制程微縮上加緊腳步,國(guó)研院國(guó)家奈米元件實(shí)驗(yàn)室便表示,「三角型鍺鰭式電晶體」技術(shù)可
美國(guó)半導(dǎo)體研發(fā)聯(lián)盟機(jī)構(gòu)Semiconductor Research (SRC)與康乃爾大學(xué)(Cornell University)合作發(fā)表一種微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)電晶體,并可提供給SRC聯(lián)盟成員采用,做為 CMOS 晶片上的時(shí)序(timing)解決方案。 這種 MEMS-JFE
晶片微小化要幾奈米才夠看?英特爾今年量產(chǎn)22奈米元件,臺(tái)積電三年內(nèi)轉(zhuǎn)進(jìn)14奈米世代,而國(guó)研院國(guó)家奈米元件實(shí)驗(yàn)室于今(6)日更發(fā)表,導(dǎo)入銀、鍺兩種新元件材料,內(nèi)建矽基太陽(yáng)能電池元件,做為未來(lái)綠能的10奈米元件世
混合信號(hào)IC的現(xiàn)身要追溯自1980年代,而此技術(shù)的出發(fā)點(diǎn)當(dāng)然也不出這數(shù)十年來(lái)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)所追求的目標(biāo),亦即「小」。將類比和數(shù)位電路「混合」在一起,自然就能達(dá)到縮減占板空間的效用。隨著混合信號(hào)技術(shù)的不斷進(jìn)展,此
晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國(guó)舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示,在接下來(lái)十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見(jiàn)的,可直達(dá) 7奈米節(jié)點(diǎn);但在 7奈米
據(jù)美國(guó)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日?qǐng)?bào)道,美國(guó)科學(xué)家們正在研制一種新的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)設(shè)備——鐵電晶體管隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FeTRAM),其將比現(xiàn)在的商用存儲(chǔ)設(shè)備更快捷,且比占主流的閃存能耗更低。研究發(fā)表在美國(guó)化學(xué)學(xué)會(huì)
近日消息,據(jù)外媒報(bào)道,在美國(guó)加州舉行的IEEE定制積體電路大會(huì)(CICC)一場(chǎng)專題演講上有這樣一種看法:CMOS半導(dǎo)體技術(shù)將在2024年7nm制程時(shí)代面臨窘境,而石墨烯可望脫穎而出,成為用來(lái)取代這項(xiàng)技術(shù)的最佳選擇。美國(guó)喬治
CMOS半導(dǎo)體技術(shù)將在2024年7nm制程時(shí)代面臨窘境,而石墨烯可望脫穎而出,成為用來(lái)取代這項(xiàng)技術(shù)的最佳選擇──這是根據(jù)近日于美國(guó)加州舉行的IEEE定制積體電路大會(huì)(CICC)一場(chǎng)專題演講上所發(fā)表的看法。「石墨烯已經(jīng)展現(xiàn)出
CMOS半導(dǎo)體技術(shù)將在2024年7nm制程時(shí)代面臨窘境,而石墨烯可望脫穎而出,成為用來(lái)取代這項(xiàng)技術(shù)的最佳選擇──這是根據(jù)近日于美國(guó)加州舉行的IEEE定制積體電路大會(huì)(CICC)一場(chǎng)專題演講上所發(fā)表的看法?!甘┮呀?jīng)展現(xiàn)出
林凱文/綜合外電 英特爾(Intel)于13日舉行的科技論壇(Intel Developer Forum;IDF)中展示其3D電晶體制程技術(shù),并指出該公司于研發(fā)新制程方面領(lǐng)先眾對(duì)手近3年。 英特爾資深研究員Mark Bohr指出,在該公司導(dǎo)入應(yīng)變
加拿大納米技術(shù)研究所(National Institute for Nanotechnology, NINT)和阿爾伯塔大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)證實(shí)利用微波爐可以創(chuàng)建制造模具,用來(lái)生產(chǎn)更小更復(fù)雜的晶片,降低制造納米級(jí)電晶體的生產(chǎn)成本。根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)準(zhǔn)則
在22nm,或許是16nm節(jié)點(diǎn),我們將需要全新的電晶體。而在這其中,爭(zhēng)論的焦點(diǎn)在于究竟該采用哪一種技術(shù)。這場(chǎng)比賽將關(guān)乎到電晶體的重新定義。在22/20nm邏輯制程的開(kāi)發(fā)中,業(yè)界都爭(zhēng)先恐后地推出各種新的電晶體技術(shù)。英特
【大紀(jì)元2011年07月18日訊】(大紀(jì)元記者王明編譯報(bào)導(dǎo))隨著半導(dǎo)體生產(chǎn)技術(shù)日益精密,電子產(chǎn)品的體積越縮越小,未來(lái)將達(dá)到現(xiàn)在技術(shù)無(wú)法達(dá)到的地步。全球晶片制造設(shè)備主要供應(yīng)商應(yīng)用材料公司(Applied Materials),最
英特爾(Intel)宣布其電晶體演進(jìn)的重大突破,電晶體乃是現(xiàn)代電子產(chǎn)品中十分微小的基礎(chǔ)元件。自從矽電晶體在50年前發(fā)明以來(lái),首度采用三維(3D)立體結(jié)構(gòu)的電晶體即將邁入量產(chǎn)。英特爾于2002年首次公開(kāi)命名為T(mén)ri-Gate的革
半導(dǎo)體電晶體結(jié)構(gòu)將正式由平面式進(jìn)入三維(3D)時(shí)代。英特爾(Intel)5日宣布將于22奈米制程處理器(內(nèi)部代號(hào)為Ivy Bridge)中,首度采用3D結(jié)構(gòu)的電晶體設(shè)計(jì),除電晶體整合密度更甚以往,效能顯著提升外,由于可在更低電壓
陳玉娟/臺(tái)北 英特爾(Intel)正式宣布電晶體演進(jìn)的重大突破,同時(shí)也是處理器歷史性的創(chuàng)新,全球首款立體3閘(Tri-Gate)電晶體將進(jìn)入量產(chǎn)階段,并將維持科技演進(jìn)的步伐,于未來(lái)繼續(xù)推動(dòng)摩爾定律,預(yù)計(jì)在2012年底正式登場(chǎng)