
元件選擇參見(jiàn)圖B,其中VS1采用1-3A、400V以上的單向可控硅,VS3采用10-25A,600-800V的雙向可控硅。U采用2A、400V的全橋,亦可采用四只二極管VD1-VD4構(gòu)成橋式整流電路。在選擇TWH8778時(shí)應(yīng)測(cè)量一下,①端加10V的直
利用生物能發(fā)電的LED燈:Latrolamp這是由Yansei和斯坦福大學(xué)的科學(xué)家共同設(shè)計(jì)的一款環(huán)保燈具,該燈采用的電能是通過(guò)生物反應(yīng)得到,在一個(gè)圓錐形的瓶子中插入30納米寬的電極作用于瓶中的海藻葉綠體,海藻在進(jìn)行光合作
關(guān)斷單向可控硅的方式有兩種:其中一種是眾所周知的,就是可控硅的陽(yáng)極電位低于陰極電位或陽(yáng)極電流小于維持電流時(shí),可由導(dǎo)通轉(zhuǎn)為關(guān)斷。別一種則是將可控硅的控制極對(duì)地短路,也可以將其關(guān)斷。單向可控硅具有一觸即發(fā)
電壓駐波比(VSWR)是射頻技術(shù)中最常用的參數(shù),用來(lái)衡量部件之間的匹配是否良好。當(dāng)業(yè)余無(wú)線電愛(ài)好者進(jìn)行聯(lián)絡(luò)時(shí),當(dāng)然首先會(huì)想到測(cè)量一下天線系統(tǒng)的駐波比是否接近1:1, 如果接近1:1,當(dāng)然好。常常聽(tīng)到這樣的問(wèn)
一般常見(jiàn)的以固定偏壓方式量測(cè)電流訊號(hào),相關(guān)應(yīng)用如:一氧化碳(CO)濃度計(jì)、血糖計(jì)…等,此類應(yīng)用廣泛,本文僅以血糖計(jì)作為量測(cè)說(shuō)明?! ∫?、纮康科技HY11P系列簡(jiǎn)介 利用測(cè)試試紙做為葡萄糖訊號(hào)的擷取來(lái)源
半導(dǎo)體光電器件是把光和電這兩種物理量聯(lián)系起來(lái),使光和電互相轉(zhuǎn)化的新型半導(dǎo)體器件。光電器件主要有,利用半導(dǎo)體光敏特性工作的光電導(dǎo)器件,利用半導(dǎo)體光伏打效應(yīng)工作的光電池和半導(dǎo)體發(fā)光器件等。這一節(jié)中簡(jiǎn)略地向大家
由于國(guó)內(nèi)各處地下車庫(kù)長(zhǎng)時(shí)間缺乏自然光源需要長(zhǎng)期照明,朗視光電推出了系列l(wèi)ed智能車位照明燈:BVP-3210、BVP-3211、BVP-3212。 BVP-3210、BVP-3211、BVP-3212 BVP-3210智能車位照明燈(帶車位超聲波探測(cè)器)尺寸為60
我們都知道什么是電動(dòng)車普及的最大障礙--經(jīng)常是一充就是一通宵的充電時(shí)間。但是日產(chǎn)已經(jīng)聲稱他們開(kāi)發(fā)了一個(gè)新的充電系統(tǒng),讓你的車子在短短十分鐘內(nèi)就能充滿電(毫無(wú)疑問(wèn)日產(chǎn)更想說(shuō):你的樹(shù)葉引擎--見(jiàn)下圖),和你去
近日,美國(guó)佐治亞理工學(xué)院的研究人員利用氧化鋅納米線大幅提升了氮化鎵LED將電流轉(zhuǎn)化為紫外線的效能。通過(guò)在納米線上施加機(jī)械應(yīng)變,佐治亞理工學(xué)院的研究人員在其中制造了壓電電勢(shì)。該電勢(shì)被用于調(diào)整電荷的傳輸,并加
21ic訊 羅姆株式會(huì)社日前面向EV、HEV車(電動(dòng)汽車、混合動(dòng)力車)及工業(yè)設(shè)備,與擁有電力系統(tǒng)和電源封裝技術(shù)的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯(lián)合開(kāi)發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊&l
數(shù)年前,美國(guó)洛斯阿拉莫斯國(guó)家實(shí)驗(yàn)室創(chuàng)造出了89特斯拉的世界上最強(qiáng)人造磁場(chǎng)。近日這一紀(jì)錄被打破,德國(guó)亥姆霍茲德累斯頓羅森多夫研究中心(HZDR)的研究人員制造出了強(qiáng)度為91.4特斯拉的磁場(chǎng)。該中心的德累斯頓強(qiáng)磁實(shí)驗(yàn)
黑龍江省“十一五”科技攻關(guān)計(jì)劃項(xiàng)目“PJS-01經(jīng)顱磁電腦病治療儀”由哈爾濱奧博醫(yī)療器械有限公司承擔(dān),通過(guò)應(yīng)用內(nèi)源性神經(jīng)遞質(zhì)調(diào)控技術(shù)實(shí)現(xiàn)了通過(guò)非介入式手段,治療帕金森病。奧博帕金森治療儀填補(bǔ)國(guó)內(nèi)外空白,其技
具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的“非穿透型高壓大電流絕緣柵雙極晶體管(NPT IGBT)芯片系列產(chǎn)品”和“高壓大電流外延型超快軟恢復(fù)二極管(FRED)芯片系列產(chǎn)品”項(xiàng)目2011年10月25日在常州通過(guò)來(lái)自中國(guó)電器工業(yè)協(xié)會(huì)電力電子分會(huì)、
通常,在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中的第一頁(yè),列出了連續(xù)漏極電流ID,脈沖漏極電流IDM,雪崩電流IAV的額定值,然后對(duì)于許多電子工程師來(lái)說(shuō),他們對(duì)于這些電流值的定義以及在實(shí)際的設(shè)計(jì)過(guò)程中,它們?nèi)绾斡绊懴到y(tǒng)以及如何選
具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的“非穿透型高壓大電流絕緣柵雙極晶體管(NPT IGBT)芯片系列產(chǎn)品”和“高壓大電流外延型超快軟恢復(fù)二極管(FRED)芯片系列產(chǎn)品”項(xiàng)目2011年10月25日在常州通過(guò)來(lái)自中國(guó)電器工業(yè)協(xié)會(huì)電力電子分會(huì)、國(guó)家