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2011年北美光伏市場預(yù)計勁增200%

據(jù)IHS iSuppli公司的北美光伏市場報告，美國加州的許多太陽能項目經(jīng)過多年開發(fā)之后終于投產(chǎn)，預(yù)計2011年北美的光伏(PV)太陽能系統(tǒng)安裝容量將大增200%。今年北美新安裝的PV容量預(yù)計將達3.5GW，是2010年1.2GW的三倍。其

網(wǎng)絡(luò)層
2011-11-18

光伏市場美光電場可再生能源
力晶呼吁美光Flash技轉(zhuǎn)臺塑　臺廠勿再死守DRAM

力晶亟欲與標(biāo)準型DRAM劃清界限的同時，也積極往NANDFlash產(chǎn)業(yè)靠攏，董事長黃崇仁表示，不要再說臺灣沒有內(nèi)存自有技術(shù)了，力晶的NANDFlash技術(shù)目前臺灣唯一自產(chǎn)自銷，同時也呼吁美光（Micron）趕快把NANDFlash技術(shù)技轉(zhuǎn)

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2011-11-11

DRAM Flash NANDFLASH 美光
力晶呼吁美光Flash技轉(zhuǎn)臺塑　臺廠勿再死守DRAM

力晶亟欲與標(biāo)準型DRAM劃清界限的同時，也積極往NAND Flash產(chǎn)業(yè)靠攏，董事長黃崇仁表示，不要再說臺灣沒有內(nèi)存自有技術(shù)了，力晶的NAND Flash技術(shù)目前臺灣唯一自產(chǎn)自銷，同時也呼吁美光(Micron)趕快把NAND Flash技術(shù)

消費電子
2011-11-11

DRAM Flash NAND 美光
美光新帝封測大單力成笑納

存儲器封測大廠力成科技（6239）接單再傳捷報，拿下美光（Micron）及新帝（SanDisk）NAND快閃存儲器封測大單！，加上原大客戶東芝加碼釋單，力成第4季營收可望優(yōu)于第3季由于智能型手機、平板計算機、Ultrabook等

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2011-11-02

存儲器東芝 NAND 美光
美光、三星將聯(lián)合研發(fā)“夾心餅干”內(nèi)存

之前我們曾經(jīng)提到過美光開發(fā)的“夾心餅干”內(nèi)存技術(shù)即HMC(Hyper Memory Cube)，該公司還聯(lián)合Intel在IDF 2011舊金山開發(fā)者論壇上展示了相關(guān)樣品。10月6日，美光宣布將和存儲芯片業(yè)界龍頭韓國三星電子一起研發(fā)HMC這種新

消費電子
2011-10-12

三星內(nèi)存 HM 美光
三星與美光結(jié)盟推動新一代內(nèi)存規(guī)格

三星電子（Samsung Electronics）與美光（Micron）近日宣布成立「混合內(nèi)存立方體」（Hybrid Memory Cube，HMC）協(xié)會，以用來開發(fā)與部署此一新一代HMC內(nèi)存技術(shù)的開放接口規(guī)格。根據(jù)雙方的聲明，成立該協(xié)會的關(guān)鍵因素，

消費電子
2011-10-12

三星內(nèi)存 HM 美光
三星與美光結(jié)盟推動新一代內(nèi)存規(guī)格

三星電子（SamsungElectronics）與美光（Micron）近日宣布成立「混合內(nèi)存立方體」（HybridMemoryCube，HMC）協(xié)會，以用來開發(fā)與部署此一新一代HMC內(nèi)存技術(shù)的開放接口規(guī)格。根據(jù)雙方的聲明，成立該協(xié)會的關(guān)鍵因素，也

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2011-10-11

三星內(nèi)存 HM 美光
眾廠商督促芯片界轉(zhuǎn)用新型內(nèi)存技術(shù)

三星目前正聯(lián)合競爭對手美光督促芯片界向新型堆疊式內(nèi)存(stackable memory)芯片技術(shù)過渡，此舉旨在降低能耗使用、加速電腦運行速度。三星和美光在共同聲明中表示，DRAM芯片制造商應(yīng)該開始向名為“hybrid-cube”的混合

消費電子
2011-10-09

芯片內(nèi)存內(nèi)存芯片美光
三星、美光督促芯片界轉(zhuǎn)用新型內(nèi)存技術(shù)

三星目前正聯(lián)合競爭對手美光督促芯片界向新型堆疊式內(nèi)存(stackablememory)芯片技術(shù)過渡，此舉旨在降低能耗使用、加速電腦運行速度。三星和美光在共同聲明中表示，DRAM芯片制造商應(yīng)該開始向名為“hybrid-cube”的混合

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2011-10-08

三星芯片內(nèi)存美光
三星、美光督促芯片界轉(zhuǎn)用新型內(nèi)存技術(shù)

三星目前正聯(lián)合競爭對手美光督促芯片界向新型堆疊式內(nèi)存(stackable memory)芯片技術(shù)過渡，此舉旨在降低能耗使用、加速電腦運行速度。三星和美光在共同聲明中表示，DRAM芯片制造商應(yīng)該開始向名為“hybrid-cube&r

智能硬件
2011-10-08

三星芯片內(nèi)存美光
Rambus指控美光和海力士串謀打壓其芯片技術(shù)

9月20日消息，Rambus律師周一在法庭上表示，微芯片制造商美光和海力士串謀打壓Rambus高端芯片技術(shù)，以阻止Rambus技術(shù)成為業(yè)界標(biāo)準。不過美光和海力士在加州法庭上回擊稱：“Rambus的RDRAM內(nèi)存芯片技術(shù)失敗的原因

半導(dǎo)體
2011-09-20

芯片技術(shù) RAM 海力士美光
第二季度NAND閃存銷售額下降4.3%

據(jù)IHSiSuppli公司的閃存市場報告，由于一家大型廠商的銷售額下降，第二季度NAND閃存市場意外下滑。根據(jù)最終數(shù)據(jù)，第二季度全球NAND銷售額為47億美元，比第一季度的49億美元下降4.3%。該市場降幅大于預(yù)期，主要是因為

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2011-09-05

東芝海力士 NAND閃存美光
第二季度NAND閃存銷售額下降4.3%，廠商份額明顯變化

據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場報告，由于一家大型廠商的銷售額下降，第二季度NAND閃存市場意外下滑。根據(jù)最終數(shù)據(jù)，第二季度全球NAND銷售額為47億美元，比第一季度的49億美元下降4.3%。該市場降幅大于預(yù)期，主要是因為

智能硬件
2011-08-30

東芝海力士 NAND閃存美光
英特爾稱RDRAM沒成為標(biāo)準只能怪Rambus自己

8月30日消息，據(jù)國外媒體報道，與Rambus合作的英特爾高管表示，RDRAM沒有成為行業(yè)標(biāo)準，Rambus只能怪自己，而不是芯片廠商。英特爾工程師保羅·法希(Paul Fahey)在加利福尼亞州高等法院的庭審中為海力士(Hynix

智能硬件
2011-08-30

DRAM 英特爾 MIDDOT 美光
DRAM低潮期廠商整并好時機

由于市場需求仍持續(xù)低迷，以現(xiàn)階段DRAM總投片約1300K為基準來計算，至少需減產(chǎn)20%，才有機會讓市場供需平衡，但再加上DRAM廠先前放入WaferBank中的庫存，甚至加上目前通路中所累積的DRAM顆粒，DRAM價格至少到明年第2

消費電子
2011-08-29

DRAM 三星 PC 美光
美光：DRAM掀整并風(fēng)

茂德有望引進新合作伙伴，再度掀起DRAM業(yè)界“整并說”。美光執(zhí)行長愛波頓認為，市況不好，但并非供過于求，預(yù)期景氣下修幅度不會如以往劇烈，前景很快就會明朗化，業(yè)界也將掀起整并風(fēng)。外電報導(dǎo)，美光認為，標(biāo)準型存

消費電子
2011-08-26

DRAM 存儲器美光
英利能源擬為美光伏電站提供55000塊多晶硅組件

LincolnRenewableEnergy公司(LRE)日前選擇英利綠色能源(YingliGreenEnergy，NYSE:YGE)為其位于新澤西州坎伯蘭縣FairfieldTownship的10MW光伏新電站提供55000塊YGE-235系列多晶硅組件。該項目被稱為新澤西橡樹光

消費電子
2011-08-26

多晶硅組件光伏電站美光
DRAM明年Q2才看到春燕低潮期正是廠商整并好時機

由于市場需求仍持續(xù)低迷，以現(xiàn)階段DRAM總投片約1300K為基準來計算，至少需減產(chǎn)20%，才有機會讓市場供需平衡，但再加上DRAM廠先前放入WaferBank中的庫存，甚至加上目前通路中所累積的DRAM顆粒，DRAM價格至少到明年第2

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2011-08-26

DRAM 三星 PC 美光
第三季度及下半年剩余時間DRAM價格預(yù)計下挫

據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM市場報告，第三季度DRAM市場將面臨供應(yīng)嚴重過剩和價格下滑的局面，導(dǎo)致下半年DRAM供應(yīng)商陷入困境。主流DRAM產(chǎn)品——2Gb DDR3的平均銷售價格預(yù)計第三季度將降到1.60美元，比第

智能硬件
2011-08-19

DRAM MDASH BSP 美光
第三季度及下半年剩余時間DRAM價格預(yù)計下挫

據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM市場報告，第三季度DRAM市場將面臨供應(yīng)嚴重過剩和價格下滑的局面，導(dǎo)致下半年DRAM供應(yīng)商陷入困境。主流DRAM產(chǎn)品——2Gb DDR3的平均銷售價格預(yù)計第三季度將降到1.60美元，比第二季度

智能硬件
2011-08-17

DRAM MDASH BSP 美光

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美光

2011年北美光伏市場預(yù)計勁增200%

力晶呼吁美光Flash技轉(zhuǎn)臺塑　臺廠勿再死守DRAM

力晶呼吁美光Flash技轉(zhuǎn)臺塑　臺廠勿再死守DRAM

美光新帝封測大單力成笑納

美光、三星將聯(lián)合研發(fā)“夾心餅干”內(nèi)存

三星與美光結(jié)盟推動新一代內(nèi)存規(guī)格

三星與美光結(jié)盟推動新一代內(nèi)存規(guī)格

眾廠商督促芯片界轉(zhuǎn)用新型內(nèi)存技術(shù)

三星、美光督促芯片界轉(zhuǎn)用新型內(nèi)存技術(shù)

三星、美光督促芯片界轉(zhuǎn)用新型內(nèi)存技術(shù)

Rambus指控美光和海力士串謀打壓其芯片技術(shù)

第二季度NAND閃存銷售額下降4.3%

第二季度NAND閃存銷售額下降4.3%，廠商份額明顯變化

英特爾稱RDRAM沒成為標(biāo)準只能怪Rambus自己

DRAM低潮期廠商整并好時機

美光：DRAM掀整并風(fēng)

英利能源擬為美光伏電站提供55000塊多晶硅組件

DRAM明年Q2才看到春燕低潮期正是廠商整并好時機

第三季度及下半年剩余時間DRAM價格預(yù)計下挫

第三季度及下半年剩余時間DRAM價格預(yù)計下挫

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