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臺半導體廠：升值對Q3獲利影響不大
新臺幣兌美元匯率強勢升值，引發(fā)市場擔憂半導體廠恐出現(xiàn)匯損，對此，半導體、面板廠商認為，由于升值是近幾天才發(fā)生的事，且季報匯率都是用平均值計算，由于7、8月匯率相對穩(wěn)定，第3季不會有太大的匯損沖擊，近期
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臺半導體廠稱臺幣兌美元匯率升值對Q3獲利影響不大
新臺幣兌美元匯率強勢升值，引發(fā)市場擔憂半導體廠恐出現(xiàn)匯損，對此，半導體、面板廠商認為，由于升值是近幾天才發(fā)生的事，且季報匯率都是用平均值計算，7、8月匯率相對穩(wěn)定，第3季不會有太大的匯損沖擊，近期升值對第
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加碼擴產(chǎn)不手軟晶圓代工廠車拼先進制程
晶圓代工廠在先進制程的競爭愈演愈烈。行動裝置對采用先進制程的晶片需求日益高漲，讓臺積電、聯(lián)電、GLOBALFOUNDRIES與三星等晶圓廠，皆不約而同加碼擴大先進制程產(chǎn)能，特別是現(xiàn)今需求最為殷切的28奈米制程，更是首要
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臺半導體廠：升值對第三季度獲利影響不大
新臺幣兌美元匯率強勢升值，引發(fā)市場擔憂半導體廠恐出現(xiàn)匯損，對此，半導體、面板廠商認為，由于升值是近幾天才發(fā)生的事，且季報匯率都是用平均值計算，由于7、8月匯率相對穩(wěn)定，第3季不會有太大的匯損沖擊，近期升值
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聯(lián)華電子連續(xù)第五年列名道瓊永續(xù)性指數(shù)成分股
聯(lián)華電子日前(14日)宣布，連續(xù)第五年同時列名于道瓊永續(xù)性指數(shù)(Dow Jones Sustainability Indexes, DJSI)之「世界指數(shù)(DJSI-World)」及「亞太指數(shù)(DJSI-Asia Pacific)」為成份股之一。2012年道瓊永續(xù)性世界指數(shù)由全球
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聯(lián)電創(chuàng)辦人曹興誠：臺廠拼轉(zhuǎn)型沖硬體軟實力
聯(lián)電榮譽董事長曹興誠說，臺灣近期一直談臺日企業(yè)聯(lián)盟，但科技界發(fā)展的趨勢已經(jīng)改變，具有創(chuàng)意、設計與服務的硬體產(chǎn)品才有賣點，日本在此卻是處于弱勢，臺灣企業(yè)應該放棄追求營收成長，改做有專精性的產(chǎn)品，才能把餅
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曹興誠：臺廠拚轉(zhuǎn)型 沖硬體軟實力
聯(lián)電榮譽董事長曹興誠說，臺灣近期一直談臺日企業(yè)聯(lián)盟，但科技界發(fā)展的趨勢已經(jīng)改變，具有創(chuàng)意、設計與服務的硬體產(chǎn)品才有賣點，日本在此卻是處于弱勢，臺灣企業(yè)應該放棄追求營收成長，改做有專精性的產(chǎn)品，才能把餅
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曹興誠：臺廠拚轉(zhuǎn)型 沖硬體軟實力
聯(lián)電榮譽董事長曹興誠說，臺灣近期一直談臺日企業(yè)聯(lián)盟，但科技界發(fā)展的趨勢已經(jīng)改變，具有創(chuàng)意、設計與服務的硬體產(chǎn)品才有賣點，日本在此卻是處于弱勢，臺灣企業(yè)應該放棄追求營收成長，改做有專精性的產(chǎn)品，才能把餅
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趕搭3D IC熱潮聯(lián)電TSV制程明年量產(chǎn)
聯(lián)電矽穿孔(TSV)制程將于2013年出爐。為爭食2.5D/三維晶片(3D IC)商機大餅，聯(lián)電加緊研發(fā)邏輯與記憶體晶片立體堆疊技術(shù)，將采Via-Middle方式，在晶圓完成后旋即穿孔，再交由封測廠依Wide I/O、混合記憶體立方體(HMC)
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趕搭3D IC熱潮聯(lián)電TSV制程明年量產(chǎn)
聯(lián)電矽穿孔(TSV)制程將于2013年出爐。為爭食2.5D/三維晶片(3D IC)商機大餅，聯(lián)電加緊研發(fā)邏輯與記憶體晶片立體堆疊技術(shù)，將采Via-Middle方式，在晶圓完成后旋即穿孔，再交由封測廠依Wide I/O、混合記憶體立方體(HMC)
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趕搭3D IC熱潮聯(lián)電TSV制程明年量產(chǎn)
聯(lián)電矽穿孔(TSV)制程將于2013年出爐。為爭食2.5D/三維晶片(3DIC)商機大餅，聯(lián)電加緊研發(fā)邏輯與記憶體晶片立體堆疊技術(shù)，將采Via-Middle方式，在晶圓完成后旋即穿孔，再交由封測廠依WideI/O、混合記憶體立方體(HMC)等
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爭食2.5D/3D IC商機大餅 聯(lián)電TSV制程明年量產(chǎn)
聯(lián)電矽穿孔(TSV)制程將于2013年出爐。為爭食2.5D/三維晶片(3DIC)商機大餅，聯(lián)電加緊研發(fā)邏輯與記憶體晶片立體堆疊技術(shù)，將采Via-Middle方式，在晶圓完成后旋即穿孔，再交由封測廠依WideI/O、混合記憶體立方體(HMC)等
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聯(lián)電/意法攜手開發(fā)65nm CMOS BSI制程技術(shù)
聯(lián)電6日宣布與意法半導體合作65nm CMOS影像感測器背面照度BSI技術(shù)。事實上，雙方先前已順利于聯(lián)電新加坡Fab 12i廠產(chǎn)出意法半導體的前面照度式FSI制程，奠基于之前的成功經(jīng)驗，此次合作將更進一步擴展兩家公司的伙伴關(guān)
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聯(lián)電/意法攜手開發(fā)65nm CMOS BSI制程技術(shù)
聯(lián)電6日宣布與意法半導體合作65nm CMOS影像感測器背面照度BSI技術(shù)。事實上，雙方先前已順利于聯(lián)電新加坡Fab 12i廠產(chǎn)出意法半導體的前面照度式FSI制程，奠基于之前的成功經(jīng)驗，此次合作將更進一步擴展兩家公司的伙伴關(guān)
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聯(lián)電3D IC年底產(chǎn)品級封測
聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)于SEMICON臺灣展會期間發(fā)表3D IC 技術(shù)趨勢與進展。聯(lián)電企業(yè)行銷總監(jiān)黃克勤表示，聯(lián)電克服開發(fā)初期制程問題，今年年底3D IC將進行產(chǎn)品級封裝與測試。他說明了聯(lián)電在3D IC方面的最新進展。聯(lián)電3D
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趕搭3D IC熱潮聯(lián)電TSV制程明年量產(chǎn)
聯(lián)電矽穿孔(TSV)制程將于2013年出爐。為爭食2.5D/三維晶片(3D IC)商機大餅，聯(lián)電加緊研發(fā)邏輯與記憶體晶片立體堆疊技術(shù)，將采Via-Middle方式，在晶圓完成后旋即穿孔，再交由封測廠依Wide I/O、混合記憶體立方體(HMC)
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野村：移動裝置扮動能 聯(lián)電Q4營收季減5-10%
聯(lián)電(2303)公布8月營收，微幅月增1.93%、來到97.99億元，年增19.49%，創(chuàng)下近20個月以來新高。而聯(lián)電目前第3季累積營收已達194.12億元，也已達第2季營收的7成。野村(NOMURA)即出具最新報告指出，聯(lián)電第3季財測達陣的機
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野村：手持裝置扮動能聯(lián)電Q4營收季減5-10%
聯(lián)電 (2303)公布8月營收，微幅月增1.93%、來到97.99億元，年增19.49%，創(chuàng)下近20個月以來新高。而聯(lián)電目前第3季累積營收已達194.12億元，也已達第2季營收的7成。野村( NOMURA )即出具最新報告指出，聯(lián)電第3季財測達陣
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8月營收／聯(lián)電連六升 攀近兩年高點
半導體景氣轉(zhuǎn)緩，但晶圓代工廠聯(lián)電（2303）在通訊應用的急單幫助下，昨（7 ）日公布8月營收來到97.98億元，不但是今年連續(xù)第6個月成長，也創(chuàng)下近20個月來新高。 據(jù)了解，半導體景氣下半年趨緩，客戶下單前置作業(yè)期
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聯(lián)電8月營收連6月成長逼近100億元大關(guān)月增1.93%
聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)今(7)日公告8月自結(jié)營收97.99億元，來到近20個月高點位階，并為今年連續(xù)6個月的成長；月增1.93 %，續(xù)逼進100億元，并較去年同期增19.49%。 聯(lián)電第2季營收為276.1億元、業(yè)績已呈現(xiàn)逐月攀高走勢
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