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GaN和SiC功率半導體將以18%的速度穩(wěn)增
在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。據(jù)有關報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷售額將從2012年的1.43億
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功耗為4mW的低工作周期LED閃燈
電池供電設備通常都有一個電源指示燈。但這個指示燈可能消耗不小的功率。用低工作周期的閃燈，可提供對開機狀態(tài)的適當提示，這種情況下可使用本文所描述的簡單電路。SN74AH
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美高森美公司推出全新1200V肖特基二極管系列
21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術的全新1200 V 肖特基二極管系列，新的二極管產品瞄準廣泛的工業(yè)應用，包括太陽能逆變器、電焊機、等離子切割機、快速車輛充電、石油勘探
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我國科學家研制出太赫茲肖特基二極管及電路
近日，中國科學院微電子研究所微波器件與集成電路研究室太赫茲器件研究組研制出截止頻率達到3.37THz的太赫茲肖特基二極管和應用于太赫茲頻段的石英電路。該器件作為太赫茲倍頻器核心元件，經中電集團41所驗證，性能與
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1P-104P超級電容器太陽能草坪燈的設計與實現(xiàn)
隨著經濟的發(fā)展和社會的進步，人們對能源提出了越來越高的要求，尋找新能源已成為當前人類面臨的迫切課題。由于太陽能發(fā)電具有火電、水電、核電所無法比擬的清潔性、安全性、資源的廣泛性和充足性，太陽能被認為是二
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Diodes公司推出首款微型無引線DFN0603封裝肖特基二極管
21ic訊 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出首款采用了微型無引線DFN0603封裝的肖特基二極管。該30V、0.1A額定值的SDM02U30LP3包含了開關、反向阻斷及整流功能，從而滿足智能手機與平板電腦等超便攜產品更高密度的
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雙通道理想二極管控制器取代兩個肖特基二極管
21ic訊 凌力爾特公司推出 0V 至 18V 雙通道理想二極管控制器 LTC4353，該器件可取代兩個大功率肖特基二極管，以低損耗實現(xiàn)多個電源 “或”，且對電源電壓的干擾最小。LTC4353 調節(jié)外部 N 溝道 MOSFET 的正
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太陽能草坪燈的設計方案
隨著經濟的發(fā)展和社會的進步，人們對能源提出了越來越高的要求，尋找新能源已成為當前人類面臨的迫切課題。由于太陽能發(fā)電具有火電、水電、核電所無法比擬的清潔性、安全性、資源的廣泛性和充足性，太陽能被認為是二
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太陽能草坪燈的設計方案
隨著經濟的發(fā)展和社會的進步，人們對能源提出了越來越高的要求，尋找新能源已成為當前人類面臨的迫切課題。由于太陽能發(fā)電具有火電、水電、核電所無法比擬的清潔性、安全性、資源的廣泛性和充足性，太陽能被認為是二
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太陽能草坪燈的設計方案
隨著經濟的發(fā)展和社會的進步，人們對能源提出了越來越高的要求，尋找新能源已成為當前人類面臨的迫切課題。由于太陽能發(fā)電具有火電、水電、核電所無法比擬的清潔性、安全性、資源的廣泛性和充足性，太陽能被認為是二
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適合各種電源應用的碳化硅肖特基二極管
功率因數(shù)校正(PFC)市場主要受與降低諧波失真有關的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場的基本規(guī)定之一，在英國、日本和中國也存在類似的標準。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過75W的離線設備的諧波標準
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適合各種電源應用的碳化硅肖特基二極管
功率因數(shù)校正(PFC)市場主要受與降低諧波失真有關的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場的基本規(guī)定之一，在英國、日本和中國也存在類似的標準。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過75W的離線設備的諧波標準
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肖特基二極管簡介
肖特基二極管分為有引線和表面安裝（貼片式）兩種封裝形式。 肖特基二極管在結構原理上與PN結二極管有很大區(qū)別，它的內部是由陽極金屬（用鉬或鋁等材料制成的阻擋層）、二氧化硅（SiO2）電場消除材料、N-外延層（砷材
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科銳新型碳化硅肖特基二極管提高太陽能微型逆變器能源效率
碳化硅功率器件市場領先者科銳公司繼續(xù)其在碳化硅功率器件向主流功率應用的推廣。與硅功率器件相比，科銳先進的碳化硅技術可降低系統(tǒng)成本、提高可靠性，并為能源效率建立新的標準?？其J公司最新推出的1200V Z-Rec
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科銳推出新型碳化硅肖特基二極管系列
碳化硅 (SiC) 功率器件市場領先者科銳公司 (Nasdaq: CREE) 日前宣布推出一新型產品系列。該系列產品由七款1200V Z-Rec 碳化硅(SiC)肖特基二極管組成，不僅優(yōu)化了價格和性能，還可提供多種額定電流和封裝選擇。通過推
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科銳推出新型1200V Z-Rec™ 碳化硅肖特基二極管系列
21ic訊 科銳公司日前宣布推出一新型產品系列。該系列產品由七款1200V Z-Rec™ 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管組成，不僅優(yōu)化了價格和性能，還可提供多種額定電流和封裝選擇。通過推出種類齊全的碳化硅二極管產品系列
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科銳推出新型1200V Z-Rec™ 碳化硅肖特基二極管系列
21ic訊 科銳公司日前宣布推出一新型產品系列。該系列產品由七款1200V Z-Rec™ 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管組成，不僅優(yōu)化了價格和性能，還可提供多種額定電流和封裝選擇。通過推出種類齊全的碳化硅二極管產品系列
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新型 650V 碳化硅肖特基二極管（Cree）
Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec™650V 結型肖特基勢壘 (JBS) 二極管系列，以滿足最新數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)要求。新型 JBS 二極管的阻斷電壓為 650V，能夠滿足近期數(shù)據(jù)中心電源架構修改的要求。據(jù)行業(yè)咨詢專家估算，
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結合N溝道MOSFET和肖特基二極管的器件FDZ3N513ZT（飛兆）
隨著手機市場的持續(xù)發(fā)展，以及智能電話的使用率和市場增長不斷上升，設計人員面臨著在總體設計中增加功能性，但同時需要減小外形尺寸和元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。為了應對客戶需求和發(fā)展趨勢，飛兆半導體開發(fā)出結合N溝道MOSFE
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結合N溝道MOSFET和肖特基二極管的器件FDZ3N513ZT（飛兆）
隨著手機市場的持續(xù)發(fā)展，以及智能電話的使用率和市場增長不斷上升，設計人員面臨著在總體設計中增加功能性，但同時需要減小外形尺寸和元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。為了應對客戶需求和發(fā)展趨勢，飛兆半導體開發(fā)出結合N溝道MOSFE
